CN215975631U - 一种高散热组合式保护膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高散热组合式保护膜，其包括第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体，所述第一保护膜本体与第二保护膜本体之间设有组合拼接结构，所述第二保护膜本体与第三保护膜本体之间设有组合拼接结构一，所述第三保护膜本体与第四保护膜本体之间设有组合拼接结构二，所述第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体均由上石墨烯导热层、去静电层、抗电磁层、保护膜层、下石墨烯导热层及粘胶层。本实用新型使得保护膜具有去静电、抗电磁干扰、防击穿及高散热的多功能保护性能，提高功能性，更好的保护芯片或电子元器件，满足现有芯片或电子元器件的保护需求。

Description

一种高散热组合式保护膜

技术领域

本实用新型涉及保护膜的技术领域，具体涉及一种高散热组合式保护膜。

背景技术

随着现在科技的发展，电子设备的更新换代，对内部芯片、其它电子元器件及电池等的要求越来越高，散热效果及其保护也是尤为重要，现有对电子设备内部的芯片、其它电子元器件及电池等的保护方式在其表面包裹保护膜进行保护，从而延长内部芯片、其它电子元器件及电池的使用寿命及性能，现有市场上大多数保护膜仅仅起到防刮及一定的缓冲作用，但现有的保护膜的通过采用疏松孔作为缓冲结构，该结构缓冲效果较差，只有单一的缓冲结构，不会更好保护部芯片、其它电子元器件及电池等。现有的保护膜只能用于一种规格的芯片或电子元器件使用，无法根据不同规格尺寸的粘贴面积进行保护膜尺寸的组合调整，需要进行定制裁切，加工成本高，且裁切产生大量废料，无法给其它电子元器件使用，造成浪费；现有的保护膜只提供普通的包裹保护，功能性少，且由于导热物质无法与被粘附物体表面直接接触，导热性能差，满足不了现有芯片或电子元器件的保护需求。

实用新型内容

本项实用新型是针对现在的技术不足，提供一种高散热组合式保护膜。

本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是：

一种高散热组合式保护膜包括保护膜本体，所述保护膜本体由外朝内依次包括第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体，所述第一保护膜本体与第二保护膜本体之间设有组合拼接结构，所述第二保护膜本体与第三保护膜本体之间设有组合拼接结构一，所述第三保护膜本体与第四保护膜本体之间设有组合拼接结构二，所述第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体均由上石墨烯导热层、去静电层、抗电磁层、保护膜层、下石墨烯导热层及粘胶层依次层叠的方式排布构成，所述上石墨烯导热层与下石墨烯导热层之间设有多组导热凸块组。

作进一步改进，所述第一保护膜本体、第二保护膜本体及第三保护膜本体均为正方环形结构，所述第四保护膜本体为正方形结构，所述组合拼接结构包括多个组合拼接凸块及多个组合拼接凹槽，所述组合拼接结构一包括多个组合拼接凸块一及多个组合拼接凹槽一，所述组合拼接结构二包括多个组合拼接凸块二及多个组合拼接凹槽二，多个所述组合拼接凸块分别设置在所述第二保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽分别设置在所述第一保护膜本体的内侧面上，多个所述组合拼接凸块一分别设置在所述第三保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽一分别设置在所述第二保护膜本体的内侧面上，多个所述组合拼接凸块二分别设置在所述第四保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽二分别设置在所述第三保护膜的内侧面上。

作进一步改进，所述组合拼接凸块、组合拼接凸块一及组合拼接凸块二均为“T”字型凸块，所述组合拼接凹槽、组合拼接凹槽一及组合拼接凹槽二均为“T”字型凹槽。

作进一步改进，所述上石墨烯导热层的厚度及下石墨烯导热层的厚度均为0.04～0.06mm。

作进一步改进，所述上石墨烯导热层均设有多块缓冲凸块，多个所述缓冲凸块设有空腔及通孔，所述下石墨烯导热层的底面均设有多个导热接触凸条，多组所述导热凸块均由多个导热凸块构成。

作进一步改进，所述粘胶层均设有多个凹槽，多个所述导热接触凸条分别设置在所述凹槽内。

作进一步改进，所述粘胶层均包括缓冲压纹部及粘胶部，所述缓冲压纹部的剖面为波浪形结构，所述粘胶部设置在所述缓冲压纹部的底部，所述粘胶部由多个粘胶凸点构成。

作进一步改进，所述去静电层的厚度为0.05-0.08mm，所述去静电层为内部掺入导电金属粉的垫层。

作进一步改进，所述抗电磁层的底部设有网状抗击穿层，所述网状抗击穿层的底部设有抗电磁层一，所述所述抗电磁层及抗电磁层一的厚度均为 0.03-0.06mm，所述网状抗击穿层的厚度为0.03-0.05mm。

作进一步改进，所述保护膜层的厚度为0.1-0.3mm，所述保护膜层为PET 保护膜。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过设置上石墨烯导热层、去静电层、抗电磁层、保护膜层、下石墨烯导热层及网状抗击穿层使得保护膜具有去静电、抗电磁干扰、防击穿及高散热的多功能保护性能，提高功能性，更好的保护芯片或电子元器件，满足现有芯片或电子元器件的保护需求；通过设置不同尺寸的第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体，且其之间均通过组合拼接结构、组合拼接结构一及组合拼接而结构二连接，可根据需求进行快速自由组合，构成不同规格尺寸的高散热组合式保护膜，从而使得高散热组合式保护膜可用于不同规格尺寸的芯片或电子元器件上，提高适用性，且无需进行定制切割，减少加工成本，以及拆卸下来的保护膜本体部分可用于其它电子元器件的使用，减少浪费及成本；通过设置缓冲凸块用于起缓冲吸振保护作用，并且结合缓冲压纹部构成双重缓冲保护结构，有效防止外力对芯片或电子元件可能带来的损坏，通过设置通孔用于热量的散发及受到外力时缓冲凸块形变产生的热气的散发，提高缓冲保护性能；通过设置多个导热凸块组用于提高热量传递效率，使得下石墨烯导热层的热量快速传递至上石墨烯导热层，且所述下石墨烯导热层设置多个导热接触凸块用于提高下石墨烯导热层与被粘附芯片或电子元器的表面接触，大大提高热量传导的效率，提高散热效果；通过设置抗电磁层与抗电磁层一构成双重抗电磁干扰性能，从而防止电磁影响被粘附芯片或电子元器件的影响，通过设置网状抗击穿层用于提供抗击穿作用，防止突发产生的电击穿的情况出现损坏芯片或电子元器件。

下面结合附图与具体实施方式，对本实用新型进一步说明。

附图说明

图1为本实施例的高散热组合式保护膜整体结构示意图；

图2为本实施例的高散热组合式保护膜剖视示意图；

图3为本实施例的A的放大示意图。

具体实施方式

以下所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不因此而限定本发明的保护范围。

实施例，参见附图1～图3，一种高散热组合式保护膜1包括保护膜本体2，所述保护膜本体2由外朝内依次包括第一保护膜本体3、第二保护膜本体4、第三保护膜本体5及第四保护膜本体6，所述第一保护膜本体3与第二保护膜本体4之间设有组合拼接结构70，所述第二保护膜本体4与第三保护膜本体5之间设有组合拼接结构一71，所述第三保护膜本体5与第四保护膜本体6 之间设有组合拼接结构二72，所述第一保护膜本体3、第二保护膜本体4、第三保护膜本体5及第四保护膜本体6均由上石墨烯导热层8、去静电层9、抗电磁层10、保护膜层11、下石墨烯导热层12及粘胶层13依次层叠的方式排布构成，所述上石墨烯导热层8与下石墨烯导热层12之间设有多组导热凸块组14。

所述第一保护膜本体3、第二保护膜本体4及第三保护膜本体5均为正方环形结构，所述第四保护膜本体6为正方形结构，所述第一保护膜本体3的尺寸大于所述第二保护膜本体4的尺寸，并设置在所述第一保护膜本体3的内侧，所述第二保护膜本体4的尺寸大于所述第三保护膜本体5的尺寸，并设置在所述第二保护膜本体4的内侧，所述第三保护膜本体5的尺寸大于所述第四保护膜本体6的尺寸，所述第四保护膜本体6设置在所述第三保护膜本体5的内侧，所述组合拼接结构70包括多个组合拼接凸块700及多个组合拼接凹槽701，所述组合拼接结构一71包括多个组合拼接凸块一710及多个组合拼接凹槽一711，所述组合拼接结构二72包括多个组合拼接凸块二720 及多个组合拼接凹槽二721，多个所述组合拼接凸块700分别设置在所述第二保护膜本体4的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽701分别设置在所述第一保护膜本体3的内侧面上，多个所述组合拼接凸块一710分别设置在所述第三保护膜本体5的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽一711分别设置在所述第二保护膜本体4的内侧面上，多个所述组合拼接凸块二720分别设置在所述第四保护膜本体6的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽二721分别设置在所述第三保护膜5的内侧面上，所述组合拼接凸块700、组合拼接凸块一701 及组合拼接凸块二710均为“T”字型凸块，所述组合拼接凹槽701、组合拼接凹槽一711及组合拼接凹槽二721均为“T”字型凹槽，所述组合拼接结构 70、组合拼接结构一71及组合拼接结构二72用于根据需求对第一保护膜本体3、第二保护膜本体4、第三保护膜本体5及第四保护膜本体6进行自由组合，构成不同规格尺寸的高散热组合式保护膜1，从而使得高散热组合式保护膜1可用于不同规格尺寸的芯片或电子元器件上的使用，提高适用性，且无需进行定制切割，减少加工成本，以及拆卸下来的保护膜本体2部分可用于其它电子元器件的使用，减少浪费及成本。

所述上石墨烯导热层8的厚度及下石墨烯导热层12的厚度均为 0.04～0.06mm，所述上石墨烯导热层8均设有多块缓冲凸块80，多个所述缓冲凸块80设有空腔81及通孔82，多个所述缓冲凸块80用于起缓冲吸振保护作用，有效防止外力对芯片或电子元件可能带来的损坏，所述通孔82用于热量的散发及受到外力时缓冲凸块80形变产生的热气的散发，大大提高缓冲保护性能，所述下石墨烯导热层12的底面均设有多个导热接触凸条120，多组所述导热凸块13均由多个导热凸块构成，所述导热凸块均贯穿去静电层9、抗电磁层10及保护膜层11与上石墨烯导热层8的底部连接，并且导热凸块的外侧与去静电层9、抗电磁层10及保护膜层11贴合接触，大大提高热量传导的效率，提高散热效果。

所述粘胶层13均设有多个凹槽132，多个所述导热接触凸条120分别设置在所述凹槽132内，所述导热接触凸块120用于提高下石墨烯导热层12与被粘附芯片或电子元器的表面接触，从而提供导热性能，提高散热效果。

所述粘胶层13均包括缓冲压纹部130及粘胶部131，所述缓冲压纹部130 的剖面为波浪形结构，所述粘胶部131设置在所述缓冲压纹部130的底部，所述粘胶部131由多个粘胶凸点构成，所述缓冲压纹部130用于提高缓冲保护作用，与所述缓冲凸块80构成双重缓冲保护结构，大大提高缓冲保护性能，提高保护效果。

所述去静电层9的厚度为0.05-0.08mm，所述去静电层9为内部掺入导电金属粉的垫层，所述去静电层9用于去除静电作用，减少外界静电对芯片或电子元件的影响。

所述抗电磁层10的底部设有网状抗击穿层100，所述网状抗击穿层100 的底部设有抗电磁层一101，所述抗电磁层10及抗电磁层一101的厚度均为 0.03-0.06mm，所述网状抗击穿层100的厚度为0.03-0.05mm，所述抗电磁层 10与抗电磁层一10构成双重抗电磁干扰性能，从而防止电磁影响被粘附芯片或电子元器件的影响，所述网状抗击穿层100用于提供抗击穿作用，防止突发产生的电击穿的情况出现损坏芯片或电子元器件。

所述保护膜层11的厚度为0.1-0.3mm，所述保护膜层11为PET保护膜。

本实用新型通过设置上石墨烯导热层、去静电层、抗电磁层、保护膜层、下石墨烯导热层及网状抗击穿层使得保护膜具有去静电、抗电磁干扰、防击穿及高散热的多功能保护性能，提高功能性，更好的保护芯片或电子元器件，满足现有芯片或电子元器件的保护需求；通过设置不同尺寸的第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体，且其之间均通过组合拼接结构、组合拼接结构一及组合拼接而结构二连接，可根据需求进行快速自由组合，构成不同规格尺寸的高散热组合式保护膜，从而使得高散热组合式保护膜可用于不同规格尺寸的芯片或电子元器件上，提高适用性，且无需进行定制切割，减少加工成本，以及拆卸下来的保护膜本体部分可用于其它电子元器件的使用，减少浪费及成本；通过设置缓冲凸块用于起缓冲吸振保护作用，并且结合缓冲压纹部构成双重缓冲保护结构，有效防止外力对芯片或电子元件可能带来的损坏，通过设置通孔用于热量的散发及受到外力时缓冲凸块形变产生的热气的散发，提高缓冲保护性能；通过设置多个导热凸块组用于提高热量传递效率，使得下石墨烯导热层的热量快速传递至上石墨烯导热层，且所述下石墨烯导热层设置多个导热接触凸块用于提高下石墨烯导热层与被粘附芯片或电子元器的表面接触，大大提高热量传导的效率，提高散热效果；通过设置抗电磁层与抗电磁层一构成双重抗电磁干扰性能，从而防止电磁影响被粘附芯片或电子元器件的影响，通过设置网状抗击穿层用于提供抗击穿作用，防止突发产生的电击穿的情况出现损坏芯片或电子元器件。

本实用新型并不限于上述实施方式，采用与本实用新型上述实施例相同或近似结构或装置，而得到的其他用于高散热组合式保护膜，均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高散热组合式保护膜，其特征在于：所述高散热组合式保护膜包括保护膜本体，所述保护膜本体由外朝内依次包括第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体，所述第一保护膜本体与第二保护膜本体之间设有组合拼接结构，所述第二保护膜本体与第三保护膜本体之间设有组合拼接结构一，所述第三保护膜本体与第四保护膜本体之间设有组合拼接结构二，所述第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体均由上石墨烯导热层、去静电层、抗电磁层、保护膜层、下石墨烯导热层及粘胶层依次层叠的方式排布构成，所述上石墨烯导热层与下石墨烯导热层之间设有多组导热凸块组。

2.根据权利要求1所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述第一保护膜本体、第二保护膜本体及第三保护膜本体均为正方环形结构，所述第四保护膜本体为正方形结构，所述组合拼接结构包括多个组合拼接凸块及多个组合拼接凹槽，所述组合拼接结构一包括多个组合拼接凸块一及多个组合拼接凹槽一，所述组合拼接结构二包括多个组合拼接凸块二及多个组合拼接凹槽二，多个所述组合拼接凸块分别设置在所述第二保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽分别设置在所述第一保护膜本体的内侧面上，多个所述组合拼接凸块一分别设置在所述第三保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽一分别设置在所述第二保护膜本体的内侧面上，多个所述组合拼接凸块二分别设置在所述第四保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽二分别设置在所述第三保护膜的内侧面上。

3.根据权利要求2所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述组合拼接凸块、组合拼接凸块一及组合拼接凸块二均为“T”字型凸块，所述组合拼接凹槽、组合拼接凹槽一及组合拼接凹槽二均为“T”字型凹槽。

4.根据权利要求3所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述上石墨烯导热层的厚度及下石墨烯导热层的厚度均为0.04～0.06mm。

5.根据权利要求4所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述上石墨烯导热层均设有多块缓冲凸块，多个所述缓冲凸块设有空腔及通孔，所述下石墨烯导热层的底面均设有多个导热接触凸条，多组所述导热凸块均由多个导热凸块构成。

6.根据权利要求5所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述粘胶层均设有多个凹槽，多个所述导热接触凸条分别设置在所述凹槽内。

7.根据权利要求6所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述粘胶层均包括缓冲压纹部及粘胶部，所述缓冲压纹部的剖面为波浪形结构，所述粘胶部设置在所述缓冲压纹部的底部，所述粘胶部由多个粘胶凸点构成。

8.根据权利要求7所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述去静电层的厚度为0.05-0.08mm，所述去静电层为内部掺入导电金属粉的垫层。

9.根据权利要求8所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述抗电磁层的底部设有网状抗击穿层，所述网状抗击穿层的底部设有抗电磁层一，所述抗电磁层及抗电磁层一的厚度均为0.03-0.06mm，所述网状抗击穿层的厚度为0.03-0.05mm。

10.根据权利要求9所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述保护膜层的厚度为0.1-0.3mm，所述保护膜层为PET保护膜。

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