CN215727630U - 一种半导体晶圆检测平台 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于晶圆生产设备技术领域,具体是一种半导体晶圆检测平台,包括平台、XY移动平台、相机镜头安装梁、真空吸附治具、气浮减震器、底脚,XY移动平台设置在平台上,相机镜头安装梁跨设在XY移动平台上方,相机镜头安装梁与平台连接,平台的底部与底脚采用气浮减震器连接,真空吸附治具设置在XY移动平台的上端面,真空吸附治具包括真空吸附机构、真空吸附治具本体,真空吸附治具本体的一侧设有凹槽,真空吸附治具本体另一侧设有真空吸附机构。同现有技术相比,通过在平台与底脚之间设置气浮减震器,对平台整体进行减震与自动调平,真空吸附治具上设有凹槽,与叉型机械手配合取放晶圆片,防止机械手臂刮伤或撞击晶圆片。
Description
技术领域
本实用新型属于晶圆生产设备技术领域,具体是一种半导体晶圆检测平台。
背景技术
晶圆片在生产制程过程中,通常需要用到百倍以上镜头和相机,这样就对检测平台提出更高的要求,检测精度通常在纳米级,不管是对运动机构还是平台稳定性都有很高的要求
因此,需要设计一种自动化晶圆片高精度检测平台,可以保证运动机构和平台的稳定性。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术的不足,提供了一种半导体晶圆检测平台,具有优异的减震、缓冲和抗压效果,能够提高晶圆检测设备的安装稳定性和后续检测精度。
为达到上述目的,本实用新型是一种半导体晶圆检测平台,包括平台、XY移动平台、相机镜头安装梁、真空吸附治具、气浮减震器、底脚,XY移动平台设置在平台上,相机镜头安装梁跨设在XY移动平台上方,相机镜头安装梁与平台连接,平台的底部与底脚采用气浮减震器连接,真空吸附治具设置在XY移动平台的上端面,真空吸附治具包括真空吸附机构、真空吸附治具本体,真空吸附治具本体的一侧设有凹槽,真空吸附治具本体另一侧设有真空吸附机构。
所述的真空吸附机构包括真空进气孔、气道、真空吸附孔,气道穿过真空吸附治具本体外圆面与真空进气口连接,真空吸附孔穿过真空吸附治具本体的上表面与气道连接。
所述的凹槽为W型凹槽。
所述的真空吸附孔沿真空吸附治具本体的半径设置至少两个。
所述的平台为大理石平台。
所述的相机镜头安装梁为大理石相机镜头安装梁。
本实用新型同现有技术相比,通过在平台的底部与底脚之间设置气浮减震器,对平台、XY移动平台、相机镜头安装梁整体进行减震与自动调平,真空吸附治具上设有凹槽,与叉型机械手配合取放晶圆片,防止机械手臂刮伤或撞击晶圆片。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型真空吸附治具结构示意图。
具体实施方式
现结合附图对本实用新型做进一步描述。
如附图1~图2所示,本实用新型是一种半导体晶圆检测平台,包括平台1、XY移动平台2、相机镜头安装梁3、真空吸附治具4、气浮减震器5、底脚6,XY移动平台2设置在平台1上,相机镜头安装梁3跨设在XY移动平台2上方,相机镜头安装梁3与平台1连接,平台1的底部与底脚6采用气浮减震器5连接,真空吸附治具4设置在XY移动平台2的上端面,真空吸附治具4包括真空吸附机构、真空吸附治具本体4-1,真空吸附治具本体4-1的一侧设有凹槽4-5,真空吸附治具本体4-1另一侧设有真空吸附机构。
其中,真空吸附机构包括真空进气口4-2、气道4-3、真空吸附孔4-4,气道4-3穿过真空吸附治具本体4-1外圆面与真空进气口4-2连接,真空吸附孔4-4穿过真空吸附治具本体4-1的上表面与气道4-3连接,真空吸附孔4-4沿真空吸附治具本体4-1的半径设置至少两个,凹槽4-5为W型凹槽,与叉型机械手配合,防止机械手刮伤或撞击晶圆片,平台1为大理石平台,相机镜头安装梁3为大理石相机镜头安装梁,通过大理石平台及安装梁可以提供一个较好的支撑平面,满足测量精密度的要求。
实施例:在检测过程中,将相机加百倍镜头安装在相机镜头安装梁3上,叉型机械手将晶圆片放置在真空吸附治具4上,沿凹槽4-5抽出,防止手臂刮伤或撞击晶圆片,通过气道4-3使真空吸附孔4-4呈负压状态,通过真空吸附的方式将晶圆片固定,通过XY移动平台2使晶圆片与镜头对齐,通过相机加百倍镜头进行检测,检测过程中通过气浮减震器5保证平台1、XY移动平台2、相机镜头安装梁3整体在百倍镜头下平稳不抖动。
因此采用本实用新型可以提高晶圆检测设备的安装稳定性和后续检测精度。
Claims (6)
1.一种半导体晶圆检测平台,包括平台(1)、XY移动平台(2)、相机镜头安装梁(3)、真空吸附治具(4)、气浮减震器(5)、底脚(6),XY移动平台(2)设置在平台(1)上,相机镜头安装梁(3)跨设在XY移动平台(2)上方,相机镜头安装梁(3)与平台(1)连接,其特征在于:平台(1)的底部与底脚(6)采用气浮减震器(5)连接,真空吸附治具(4)设置在XY移动平台(2)的上端面,真空吸附治具(4)包括真空吸附机构、真空吸附治具本体(4-1),真空吸附治具本体(4-1)的一侧设有凹槽(4-5),真空吸附治具本体(4-1)另一侧设有真空吸附机构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆检测平台,其特征在于:所述的真空吸附机构包括真空进气口(4-2)、气道(4-3)、真空吸附孔(4-4),气道(4-3)穿过真空吸附治具本体(4-1)外圆面与真空进气口(4-2)连接,真空吸附孔(4-4)穿过真空吸附治具本体(4-1)的上表面与气道(4-3)连接。
3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆检测平台,其特征在于:所述的真空吸附孔(4-4)沿真空吸附治具本体(4-1)的半径设置至少两个。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆检测平台,其特征在于:所述的凹槽(4-5)为W型凹槽。
5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆检测平台,其特征在于:所述的平台(1)为大理石平台。
6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆检测平台,其特征在于:所述的相机镜头安装梁(3)为大理石相机镜头安装梁。
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CN202122121865.1U Active CN215727630U (zh) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 一种半导体晶圆检测平台 |
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