CN215496734U - 防过流mos器件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开一种防过流MOS器件，包括：MOS芯片、铜支撑框架、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，铜支撑框架上具有一镂空区，一导热陶瓷片位于所述MOS芯片和铜支撑框架之间，漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度；铜支撑框架进一步包括支撑片区和外延片区，此铜支撑框架的外延片区从环氧封装体上端面延伸出，所述铜支撑框架的支撑片区间隔设置有若干个通孔，环氧封装体覆盖通孔。本实用新型防过流MOS器件既有利于将器件内部的热量扩散出，也提高了器件整体的结构强度和安全性。

Description

防过流MOS器件
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOS器件。
背景技术
MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好，因而通常在电源、驱动电路、开关电路等有广泛应用。随着市场的发展，对MOS的安全性和可靠性要求越来越高。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种防过流MOS器件，该防过流MOS器件既有利于将器件内部的热量扩散出，也提高了器件整体的结构强度和安全性。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种防过流MOS器件，包括：MOS芯片、铜支撑框架、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，位于所述MOS芯片上表面的栅极区、漏极区和源极区分别通过第一金属线、第二金属线和第三金属线电连接到栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端，所述铜支撑框架上具有一镂空区，一导热陶瓷片位于所述MOS芯片和铜支撑框架之间，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上；
所述漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度；
所述铜支撑框架进一步包括支撑片区和外延片区，此铜支撑框架的外延片区从环氧封装体上端面延伸出，所述铜支撑框架的支撑片区间隔设置有若干个通孔，所述环氧封装体覆盖通孔。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述低熔点金属线为锡金属线、铋金属线或者铟金属线。
2. 上述方案中，所述第一金属线、第二金属线和第三金属线为铜金属线或者铝金属线。
3. 上述方案中，所述通孔为T形通孔。
4. 上述方案中，所述T形通孔的广口位于支撑片区与导热陶瓷片相背的表面
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
1、本实用新型MOS功率器件，其导热陶瓷片位于所述MOS芯片和铜支撑框架之间，提高器件散热性能，且漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度，当MOS管出现过大的电流时，位于漏极引脚或者源极引脚上的低熔点金属线发生熔断将电流阻断，从而避免MOS管在过大电流下发生爆炸，大大提高了MOS器件的安全性。
2、本实用新型MOS功率器件，其位于导热陶瓷片与MOS芯片相背的铜支撑框架进一步包括支撑片区和外延片区，此铜支撑框架的外延片区从环氧封装体上端面延伸出，所述铜支撑框架的支撑片区间隔设置有若干个通孔，既有利于将器件内部的热量扩散出，也提高了器件整体的结构强度。
附图说明
附图1为本实用新型防过流MOS器件的结构示意图；
附图2为附图1的后视结构示意图；
附图3为本实用新型防过流MOS器件的内部结构示意图。
以上附图中：1、MOS芯片；101、栅极区；102、漏极区；103、源极区；2、铜支撑框架；3、栅极引脚；4、漏极引脚；5、源极引脚；61、第一金属线；62、第二金属线；63、第三金属线；7、低熔点金属线；8、导热陶瓷片；9、环氧封装体；10、支撑片区；11、外延片区；12、通孔。
具体实施方式
在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例1：一种防过流MOS器件，包括：MOS芯片1、铜支撑框架2、栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5，位于所述MOS芯片1上表面的栅极区101、漏极区102和源极区103分别通过第一金属线61、第二金属线62和第三金属线63电连接到栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5各自的焊接端，所述铜支撑框架2上具有一镂空区，一导热陶瓷片8位于所述MOS芯片1和铜支撑框架2之间，一环氧封装体9包覆于MOS芯片1、铜支撑框架2和栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5各自的焊接端上；
所述漏极引脚4和源极引脚5中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体9内的区域具有一低熔点金属线7，此低熔点金属线7的宽度小于相应的引脚宽度；
所述铜支撑框架2进一步包括支撑片区10和外延片区11，此铜支撑框架2的外延片区11从环氧封装体9上端面延伸出，所述铜支撑框架2的支撑片区10间隔设置有若干个通孔12，所述环氧封装体9覆盖通孔12。
上述低熔点金属线7为锡金属线。
上述第一金属线61、第二金属线62和第三金属线63为铝金属线
实施例2：一种防过流MOS器件，包括：MOS芯片1、铜支撑框架2、栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5，位于所述MOS芯片1上表面的栅极区101、漏极区102和源极区103分别通过第一金属线61、第二金属线62和第三金属线63电连接到栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5各自的焊接端，所述铜支撑框架2上具有一镂空区，一导热陶瓷片8位于所述MOS芯片1和铜支撑框架2之间，一环氧封装体9包覆于MOS芯片1、铜支撑框架2和栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5各自的焊接端上；
所述漏极引脚4和源极引脚5中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体9内的区域具有一低熔点金属线7，此低熔点金属线7的宽度小于相应的引脚宽度；
所述铜支撑框架2进一步包括支撑片区10和外延片区11，此铜支撑框架2的外延片区11从环氧封装体9上端面延伸出，所述铜支撑框架2的支撑片区10间隔设置有若干个通孔12，所述环氧封装体9覆盖通孔12。
上述低熔点金属线7为铟金属线。
上述第一金属线61、第二金属线62和第三金属线63为铜金属线。
上述通孔12为T形通孔。
上述T形通孔的广口位于支撑片区10与导热陶瓷片8相背的表面。
采用上述防过流MOS器件时，其导热陶瓷片位于所述MOS芯片和铜支撑框架之间，提高器件散热性能，且漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度，当MOS管出现过大的电流时，位于漏极引脚或者源极引脚上的低熔点金属线发生熔断将电流阻断，从而避免MOS管在过大电流下发生爆炸，大大提高了MOS器件的安全性；
还有，其位于导热陶瓷片与MOS芯片相背的铜支撑框架进一步包括支撑片区和外延片区，此铜支撑框架的外延片区从环氧封装体上端面延伸出，所述铜支撑框架的支撑片区间隔设置有若干个通孔，既有利于将器件内部的热量扩散出，也提高了器件整体的结构强度。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种防过流MOS器件，其特征在于：包括：MOS芯片（1）、铜支撑框架（2）、栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5），位于所述MOS芯片（1）上表面的栅极区（101）、漏极区（102）和源极区（103）分别通过第一金属线（61）、第二金属线（62）和第三金属线（63）电连接到栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端，所述铜支撑框架（2）上具有一镂空区，一导热陶瓷片（8）位于所述MOS芯片（1）和铜支撑框架（2）之间，一环氧封装体（9）包覆于MOS芯片（1）、铜支撑框架（2）和栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端上；
所述漏极引脚（4）和源极引脚（5）中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体（9）内的区域具有一低熔点金属线（7），此低熔点金属线（7）的宽度小于相应的引脚宽度；
所述铜支撑框架（2）进一步包括支撑片区（10）和外延片区（11），此铜支撑框架（2）的外延片区（11）从环氧封装体（9）上端面延伸出，所述铜支撑框架（2）的支撑片区（10）间隔设置有若干个通孔（12），所述环氧封装体（9）覆盖通孔（12）。
2.根据权利要求1所述的防过流MOS器件，其特征在于：所述低熔点金属线（7）为锡金属线、铋金属线或者铟金属线。
3.根据权利要求1或者2所述的防过流MOS器件，其特征在于：所述第一金属线（61）、第二金属线（62）和第三金属线（63）为铜金属线或者铝金属线。
4.根据权利要求1或者2所述的防过流MOS器件，其特征在于：所述通孔（12）为T形通孔。
5.根据权利要求4所述的防过流MOS器件，其特征在于：所述T形通孔的广口位于支撑片区（10）与导热陶瓷片（8）相背的表面。
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