CN212517179U - 功率mos的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种功率MOS的封装结构，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。本实用新型避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部，增加了和热交换的面积，从而便于热量扩散。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率MOS的封装结构。
背景技术
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型。
场效应管在同步整流开关电源及脉冲电源工业领域中广泛应用，为此，现有技术中很多涉及场效应管的封装结构，一般大电流的封装结构是将场效应管的直接焊接在电路板上，然后再将电路板固定在相应的导电基座上，最后进行相应的封装。采用上述结构的场效应管封装结构，由于场效应管工作温度较高，且散热效果不好，容易导致焊点由于高温作用下而软化，致使场效应管与电路板接触不良而影响工作；另外，现有器件体积较大，不利于安装使用。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种功率MOS的封装结构，该功率MOS的封装结构避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部，增加了和热交换的面积，从而便于热量扩散。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种功率MOS的封装结构，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；
所述陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；
所述MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；
所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；
所述陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；
所述陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述陶瓷导热本体的导槽的截面形状为弧形。
2. 上述方案中，所述第一导电条、第二导电条平行设置。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
1. 本实用新型功率MOS的封装结构，其MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接，降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，充分发挥了功率MOS大功率，低功耗的优势；还有，其陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔，既进一步改善了热量的扩散，也避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部；还有，其陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽，既增加了和热交换的面积，也有利于贴装时空气快速流动，从而便于热量扩散。
2. 本实用新型功率MOS的封装结构，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块，源极管脚与第一导电条电连接，漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和本体为一个整体，提高了器件整体结构稳定性。
附图说明
附图1为本实用新型功率MOS的封装结构的结构示意图；
附图2为本实用新型功率MOS的封装结构的剖面结构示意图。
以上附图中：1、环氧封装体；2、MOSFET芯片；21、源极区；22、MOSFET芯片；23、MOSFET芯片；3、陶瓷导热本体；31、第一条形凹槽；32、第二条形凹槽；33、第三凹槽；34、侧表面；4、源极管脚；5、漏极管脚；6、栅极管脚；71、第一导电条；72、第二导电条；73、导电块；8、导电线；9、散热板；10、通孔；11、导槽。
具体实施方式
实施例1：一种功率MOS的封装结构，包括：位于环氧封装体1中的MOSFET芯片2、陶瓷导热本体3、源极管脚4、漏极管脚5和栅极管脚6，此源极管脚4、漏极管脚5和栅极管脚6从环氧封装体1内向外延伸出；
所述陶瓷导热本体3一表面开有第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33，此第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33内分别填充有第一导电条71、第二导电条72和导电块73；
所述MOSFET芯片2上具有源极区21、漏极区22和栅极区23，所述MOSFET芯片2安装于陶瓷导热本体上，此源极区21、漏极区22和栅极区23分别与第一导电条71、导电块73一端和第二导电条72电连接；
所述源极管脚4与第一导电条71电连接，所述漏极管脚5与导电块73另一端电连接，所述栅极管脚6与第二导电条72电连接；
所述陶瓷导热本体3具有一从环氧封装体1端面延伸出的散热板9，位于环氧封装体1内的陶瓷导热本体3具有至少一个通孔10；
所述陶瓷导热本体3与MOSFET芯片2相背的侧表面34从环氧封装体1内延伸出，此陶瓷导热本体3的侧表面平行地开有至少2个导槽11。
上述第一导电条71、第二导电条72平行设置。
实施例2：一种功率MOS的封装结构，包括：位于环氧封装体1中的MOSFET芯片2、陶瓷导热本体3、源极管脚4、漏极管脚5和栅极管脚6，此源极管脚4、漏极管脚5和栅极管脚6从环氧封装体1内向外延伸出；
所述陶瓷导热本体3一表面开有第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33，此第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33内分别填充有第一导电条71、第二导电条72和导电块73；
所述MOSFET芯片2上具有源极区21、漏极区22和栅极区23，所述MOSFET芯片2安装于陶瓷导热本体上，此源极区21、漏极区22和栅极区23分别与第一导电条71、导电块73一端和第二导电条72电连接；
所述源极管脚4与第一导电条71电连接，所述漏极管脚5与导电块73另一端电连接，所述栅极管脚6与第二导电条72电连接；
所述陶瓷导热本体3具有一从环氧封装体1端面延伸出的散热板9，位于环氧封装体1内的陶瓷导热本体3具有至少一个通孔10；
所述陶瓷导热本体3与MOSFET芯片2相背的侧表面34从环氧封装体1内延伸出，此陶瓷导热本体3的侧表面平行地开有至少2个导槽11。
上述第一导电条71、第二导电条72平行设置。
上述陶瓷导热本体3的导槽11的截面形状为弧形。
采用上述功率MOS的封装结构时，其MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接，降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，充分发挥了功率MOS大功率，低功耗的优势；还有，其既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和本体为一个整体，提高了器件整体结构稳定性；还有，其也避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部；还有，其陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽，既增加了和热交换的面积，也有利于贴装时空气快速流动，从而便于热量扩散。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种功率MOS的封装结构，其特征在于：包括：位于环氧封装体（1）中的MOSFET芯片（2）、陶瓷导热本体（3）、源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6），此源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6）从环氧封装体（1）内向外延伸出；
所述陶瓷导热本体（3）一表面开有第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33），此第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33）内分别填充有第一导电条（71）、第二导电条（72）和导电块（73）；
所述MOSFET芯片（2）上具有源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23），所述MOSFET芯片（2）安装于陶瓷导热本体上，此源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23）分别与第一导电条（71）、导电块（73）一端和第二导电条（72）电连接；
所述源极管脚（4）与第一导电条（71）电连接，所述漏极管脚（5）与导电块（73）另一端电连接，所述栅极管脚（6）与第二导电条（72）电连接；
所述陶瓷导热本体（3）具有一从环氧封装体（1）端面延伸出的散热板（9），位于环氧封装体（1）内的陶瓷导热本体（3）具有至少一个通孔（10）；
所述陶瓷导热本体（3）与MOSFET芯片（2）相背的侧表面（34）从环氧封装体（1）内延伸出，此陶瓷导热本体（3）的侧表面（34）平行地开有至少2个导槽（11）。
2.根据权利要求1所述的功率MOS的封装结构，其特征在于：所述第一导电条（71）、第二导电条（72）平行设置。
3.根据权利要求1所述的功率MOS的封装结构，其特征在于：所述陶瓷导热本体（3）的导槽（11）的截面形状为弧形。
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| CN202021722031.5U CN212517179U (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 功率mos的封装结构 |
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| CN202021722031.5U Active CN212517179U (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 功率mos的封装结构 |
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2020
- 2020-08-18 CN CN202021722031.5U patent/CN212517179U/zh active Active
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