CN215115432U - 可用于芯片侧面tem制样的支撑装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，所述支撑装置形成为一个直三棱柱的五面体结构，该直三棱柱包含两个全等的直角三角形底面和三个长方形侧面；三个所述长方形侧面中，其中两个是与所述直角三角形底面共用直角边的长方形侧面，另外一个是与所述直角三角形底面共用斜边的长方形侧面。本实用新型设计了一种直三棱柱结构的TEM制样支撑装置。利用直三棱柱五面体结构的支撑作用和直角边长方形侧面固定芯片并使芯片侧面朝上，实现了从芯片侧面进行切割的目的，解决了较深结构TEM试片厚薄不均，刀痕严重的问题，提高了TEM制备的成功率和TEM试片的品质。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种TEM制样支撑装置，尤其涉及一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置。
背景技术
随着集成电路产业的发展和半导体市场的总体需求增加，芯片的设计和应用也逐渐趋于多元化。芯片生产完成后，需要测试特征尺寸来确认是否符合其设计需求，针对半导体器件的微结构观察，透射电子显微镜(TEM)由于其高解析高分辨率成为必不可少的分析仪器。而TEM样品需经过双束离子束(DB-FIB)制备成试片后才能进行分析。目前TEM样品制备的现有技术中，一般是将芯片水平放置于样品台上，从芯片的表面向下进行切割，以观察芯片的截面结构。对于较深的结构，在制备成TEM试片的过程中，结构底部极易形成刀痕，且制成的试片厚薄不均匀，品质不佳，最终影响TEM观察和尺寸量测。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供了一种新的可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，此支撑装置可固定样品且使样品侧面朝上，进而在样品侧面进行TEM制样，将样品的深度变成宽度，解决了较深结构TEM试片品质不佳的问题。
为实现上述技术效果，本实用新型采用的技术方案是：
一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，所述支撑装置形成为一个直三棱柱的五面体结构，该直三棱柱包含两个全等的直角三角形底面和三个长方形侧面；三个所述长方形侧面中，其中两个是与所述直角三角形底面共用直角边的长方形侧面，另外一个是与所述直角三角形底面共用斜边的长方形侧面。
作为本实用新型支撑装置的一种优选技术方案，共用直角边的两个所述长方形侧面中的其中之一的表面设有用于固定芯片宽面的胶带。
作为本实用新型支撑装置的一种优选技术方案，所述胶带为导电胶带。
作为本实用新型支撑装置的一种优选技术方案，共用直角边的两个所述长方形侧面中的其中另一水平放置在TEM制样机台上。
本实用新型由于采用上述技术方案，使其具有的有益效果是：
本实用新型设计了一种直三棱柱结构的TEM制样支撑装置。利用直三棱柱五面体结构的支撑作用和直角边长方形侧面固定芯片并使芯片侧面朝上，实现了从芯片侧面进行切割的目的，解决了较深结构TEM试片厚薄不均，刀痕严重的问题，提高了TEM制备的成功率和TEM试片的品质。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置的立体结构示意图。
图2为本实用新型实施例可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置的使用状态示意图。
图3为使用现有技术从芯片表面进行切割制样得到的试片TEM图片。
图4为使用本实用新型的支撑装置从芯片侧面进行切割制样得到的试片TEM图片及其局部放大图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
现有技术的缺点在于对于较深的芯片结构，从芯片表面向下进行切割观察其截面结构，制成的TEM试片厚薄不均，且结构底部会形成刀痕，试片品质不佳，影响TEM拍摄和量测。基于此情况，本实用新型提供了一种可用于在芯片侧面进行制样的支撑装置，以解决上述问题。
参阅图1和图2，本实用新型提供了一种新的TEM制样支撑装置，该支撑装置是一个直三棱柱的五面体结构，该直三棱柱包含两个全等的直角三角形底面11和三个长方形侧面12。三个长方形侧面12中，其中两个是与直角三角形底面11共用直角边的长方形侧面12，另外一个是与直角三角形底面共用斜边的长方形侧面12。将任意一个直角边长方形侧面12朝下放在水平面上，另一个直角边长方形侧面12用于负载芯片10，芯片10通过导电胶带(图中未显示)固定在其中之一的直角边长方形侧面12上，并将芯片待制样的一侧朝上。余下的两个长方形侧面12和两个直角三角形底面11作为支撑，用以保持支撑装置的稳定。
本实用新型可将芯片10竖直固定在支撑装置上，使芯片10侧面朝上。使用时，将该支撑装置放入TEM制样机台，支撑装置的一个直角边长方形侧面12水平放置在TEM制样机台表面，芯片10的一个宽面通过导电胶带固定在支撑装置的另一个直角边长方形侧面12上，使得芯片10的一个侧面(待制样的一侧)竖直朝上，然后，从芯片侧面向下切割，使芯片的深度转成宽度，可使制备的TEM试片厚薄均匀，且避免形成刀痕，提高TEM试片的品质。
如图3所示，为使用现有技术从芯片表面进行切割制样，制备出的试片TEM图片，试片品质不佳，各界线都非常模糊，无法准确量测。
使用本实用新型的支撑装置从芯片侧面进行切割制样，所得试片的TEM图片如图4所示。对比图3与图4的TEM图片可以看出，图3的深度结构变成了图2的宽度结构，侧面切割制备的样品界线较为清楚，且样品厚度均匀，没有刀痕。放大较深结构底部位置，如图4右侧的局部放大图，可以看出底部结构界线非常清楚，可准确量测各结构尺寸。
本实用新型的关键点为设计了一种直三棱柱结构的TEM制样支撑装置。利用直三棱柱五面体结构的支撑作用和直角边长方形侧面固定芯片并使芯片侧面朝上，实现了从芯片侧面进行切割的目的，解决了较深结构TEM试片厚薄不均，刀痕严重的问题，提高了TEM制备的成功率和TEM试片的品质。
与现有技术相比，本实用新型利用直三棱柱结构的支撑作用结合直角边长方形侧面固定芯片使芯片侧面朝上，实现了从芯片侧面切割的目的。此实用新型的优点是解决了较深结构TEM试片厚薄不均，刀痕严重的问题，提高了TEM制备的成功率和TEM试片的品质。
需要说明的是，在本文中，诸如术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (1)
1.一种可用于芯片侧面TEM制样的支撑装置，其特征在于：所述支撑装置形成为一个直三棱柱的五面体结构，该直三棱柱包含两个全等的直角三角形底面和三个长方形侧面；三个所述长方形侧面中，其中两个是与所述直角三角形底面共用直角边的长方形侧面，另外一个是与所述直角三角形底面共用斜边的长方形侧面；共用直角边的两个所述长方形侧面中的其中之一的表面设有用于固定芯片宽面的胶带，所述胶带为导电胶带；共用直角边的两个所述长方形侧面中的其中另一水平放置在TEM制样机台上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120518464.7U CN215115432U (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 可用于芯片侧面tem制样的支撑装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120518464.7U CN215115432U (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 可用于芯片侧面tem制样的支撑装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN215115432U true CN215115432U (zh) | 2021-12-10 |
Family
ID=79341529
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202120518464.7U Active CN215115432U (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 可用于芯片侧面tem制样的支撑装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN215115432U (zh) |
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2021
- 2021-03-10 CN CN202120518464.7U patent/CN215115432U/zh active Active
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