CN215070858U - 一种微型激光脱毛半导体激光模组 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种微型激光脱毛半导体激光模组,包括:底座组件、密封盖、两个半导体激光芯片、匀化透镜、正极电极和负极电极;半导体激光芯片固设在底座组件上;两个半导体激光芯片的长轴位于同一条直线上;密封盖盖合在半导体激光芯片上;半导体激光芯片的出光侧朝向出光窗口;匀化透镜固设在出光窗口上;正极电极和负极电极均与半导体激光芯片电连接。本实用新型通过两个半导体激光芯片设置成线阵结构,极大地减小了激光模组的体积,因此,可以在不改变原有IPL式脱毛设备其他结构的情况下可以替换原有IPL式脱毛设备中的IPL光源,提升了原有脱毛设备的脱毛效果的同时极大地降低了原有脱毛设备的更换成本。
Description
技术领域
本实用新型属于激光脱毛设备技术领域,具体涉及一种微型激光脱毛半导体激光模组。
背景技术
在医疗美容市场中IPL光子新型脱毛及美容技术随着时间的积累,越来越多的缺点逐渐被发现。IPL(Intense Pulsed Light)被称为强脉冲光,也称为彩光、复合光、强光,是一种有特殊波长的宽谱可视光,有较柔和的光热效应,通过激光破坏毛囊达到永久脱毛的效果,速度快,效果好,安全性高无副作用,无痛,收缩毛孔,滋润肌肤等优势。“光子”技术最早由科医人激光公司研制成功,起初主要应用于皮肤科临床治疗皮肤毛细血管扩张和血管瘤,后来才被应用到美容脱毛嫩肤。IPL属于宽普的圆周发散性光源,波段范围为475-1200nm的彩光,波长的复杂和能量的不准确性,导致IPL在脱毛过程中会出现其他的副作用,影响脱毛效果。现有技术中,采用激光脱毛的脱毛效果较好,但是,若需将IPL脱毛设备更新替换为激光式脱毛,则需要废弃IPL设备,更换为激光脱毛仪,极大地增加了成本;而且,现有技术中的激光脱毛模组结构复杂且为专用结构,无法更换到IPL设备上使用。
实用新型内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供了一种微型激光脱毛半导体激光模组。本实用新型要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
一种微型激光脱毛半导体激光模组,包括:底座组件、密封盖、两个半导体激光芯片、匀化透镜、正极电极和负极电极;
所述半导体激光芯片固设在所述底座组件上;两个所述半导体激光芯片的长轴位于同一条直线上;两个所述半导体激光芯片间隔设置;
所述密封盖,与所述底座组件固定连接,开设有出光窗口,盖合在所述半导体激光芯片上;所述半导体激光芯片的出光侧朝向所述出光窗口;
所述匀化透镜,固设在所述出光窗口上;
所述正极电极和所述负极电极均固设在所述底座组件上,且均与所述半导体激光芯片电连接。
在本实用新型的一个实施例中,所述半导体激光芯片的驱动电压为3.6V。
在本实用新型的一个实施例中,所述匀化透镜为凹透镜。
在本实用新型的一个实施例中,所述匀化透镜为平凹透镜,所述匀化透镜的曲面朝向所述出光窗口的外侧。
在本实用新型的一个实施例中,所述正极电极和所述负极电极均为长条状;
所述正极电极和所述负极电极分别位于两个所述半导体激光芯片的一侧,且所述正极电极的长轴和所述负极电极的长轴均与所述半导体激光芯片的长轴平行。
在本实用新型的一个实施例中,所述密封盖的两端的端面上分别开设有第一安装通孔和第二安装通孔;
所述正极电极,一端位于密封盖内,另一端穿出所述第一安装通孔延伸至所述密封盖的外部;
所述负极电极,一端位于密封盖内,另一端穿出所述第二安装通孔延伸至所述密封盖的外部。
在本实用新型的一个实施例中,所述底座组件,包括底座和散热热沉;
所述散热热沉,固设在所述底座上;
所述半导体激光芯片,封装在所述散热热沉上。
在本实用新型的一个实施例中,所述底座上还开设有至少一个定位通孔;所述定位通孔位于所述散热热沉的一端的侧面
所述定位通孔上连接有定位件;
所述定位件与所述密封盖固定连接。
本实用新型的有益效果:
本实用新型通过两个半导体激光芯片设置成线阵结构,极大地减小了激光模组的体积,因此,可以在不改变原有IPL式脱毛设备其他结构的情况下可以替换原有IPL式脱毛设备中的IPL光源,安装在原有脱毛设备上进行使用,安装更换便捷,提升了原有脱毛设备的脱毛效果的同时极大地降低了原有脱毛设备的更换成本。
以下将结合附图及实施例对本实用新型做进一步详细说明。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种微型激光脱毛半导体激光模组的结构示意图;
图2是本实用新型实施例提供的一种微型激光脱毛半导体激光模组的立体结构示意图;
图3是本实用新型实施例提供一种微型激光脱毛半导体激光模组的结构示意图。
附图标记说明:
10-底座组件;11-底座;12-散热热沉;13-定位通孔;20-密封盖;21-第二安装通孔;30-半导体激光芯片;40-匀化透镜;50-正极电极;60-负极电极。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。
请参见图1和图2,一种微型激光脱毛半导体激光模组,包括:底座组件10、密封盖20、两个半导体激光芯片30、匀化透镜40、正极电极50和负极电极60。半导体激光芯片30固设在底座组件10上。两个半导体激光芯片30的长轴位于同一条直线上。两个半导体激光芯片30间隔设置。两个半导体激光芯片30封装在底座组件10上,两个半导体激光芯片30的出光侧的长轴位于同一条直线上,形成线阵结构。两个半导体激光芯片30线阵排布,体积较小,减小了激光模组整体的体积。
本实施例中,密封盖20与底座组件10固定连接,密封盖20上开设有出光窗口,密封盖20盖合在半导体激光芯片30上。半导体激光芯片30的出光侧朝向出光窗口。匀化透镜40固设在出光窗口上。匀化透镜40可以将半导体激光芯片30的出射光进行匀化,将激光的高斯分布转变成比较均匀的光斑输出。光斑能量均匀,提升了激光的作用效果。正极电极50和负极电极60均固设在底座组件10上,且均与半导体激光芯片30电连接。
本实施例的激光模组体积较小,可以直接安装在原有脱毛设备的IPL光源(灯管或灯泡)的安装位置上,可以在不改变原有IPL式脱毛设备其他结构的情况下可以替换原有IPL式脱毛设备中的IPL光源。半导体激光芯片30输出的激光波普分布窄、波长较为稳定、能量强、具有一定的方向性,提升了原有脱毛设备的脱毛效果,同时极大地降低了原有脱毛设备的更换成本。
在一种可行的实现方式中,底座组件10安装在原有脱毛设备的相应安装位置上,正极电极50和负极电极60均与原有脱毛设备的控制电路电连接,调试控制电路的电压以符合激光半导体芯片的工作电压。半导体激光芯片30的工作电压远低于IPL光源的工作电压,安全性较高。
在一种可行的实现方式中,微型激光脱毛半导体激光模组采用脉冲式工作,基于一定的电压电流,可以输出额定功率50%的光能量,电光转换率较高,波峰波长为808nm±10nm,输出光斑大小为长约25mm,宽约6mm。其中,可以根据需要选用不同的半导体激光芯片30一获得不同的波长的输出光,也可以根据需要设置出光窗口的大小获得不同大小的光斑。
进一步地,半导体激光芯片30的驱动电压为3.6V。本实施例中,半导体激光芯片30的用电是低电压高电流,属于弱电范围,安全性较高,降低了对人体的危害性。需要说明的是,IPL光源需要480V电压驱动,安全系数较低,本实施例的激光模组替代IPL光源,提高了原有脱毛设备的安全性。
进一步地,匀化透镜40为凹透镜。
优选地,匀化透镜40为平凹透镜,匀化透镜40的曲面朝向出光窗口的外侧。平凹透镜可以将高斯分布的激光转变成比较均匀的光斑输出。
进一步地,如图3所示,正极电极50和负极电极60均为长条状。正极电极50和负极电极60分别位于两个半导体激光芯片30的一侧,且正极电极50的长轴和负极电极60的长轴均与半导体激光芯片30的长轴平行。
进一步地,如图2所示,密封盖20的两端的端面上分别开设有第一安装通孔和第二安装通孔21。正极电极50的一端位于密封盖20内,正极电极50的另一端穿出第一安装通孔延伸至密封盖20的外部。负极电极60的一端位于密封盖20内,负极电极60的另一端穿出第二安装通孔21延伸至密封盖20的外部。
进一步地,如图3所示,底座组件10包括底座11和散热热沉12。散热热沉12固设在底座11上。半导体激光芯片30封装在散热热沉12上。本实施例中,散热热沉12位于密封盖20内,用于对半导体激光芯片30散热。正极电极50和负极电极60均位于散热热沉12的一侧。
在一种可行的实现方式中,在封装半导体激光芯片30时,可以在长方形的热沉上封装出线阵排布的2个额定功率为50W的半导体激光芯片30。
在一种可行的实现方式中,微型激光脱毛半导体激光模组的底座11的背面还设置有散热装置,例如风冷装置或TEC制冷装置,满足激光模组的工作温度在50℃以下。
进一步地,如图3所示,底座11上还开设有至少一个定位通孔13。定位通孔13位于散热热沉12的一端的侧面。定位通孔13上连接有定位件。定位件与密封盖20固定连接。本实施例中,定位通孔13用于安装密封盖20,定位件可以使螺栓或螺钉,定位件穿过定位通孔13与密封盖20固定连接。具体地,定位通孔13的数量可以为两个。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,包括:底座组件(10)、密封盖(20)、两个半导体激光芯片(30)、匀化透镜(40)、正极电极(50)和负极电极(60);
所述半导体激光芯片(30)固设在所述底座组件(10)上;两个所述半导体激光芯片(30)的长轴位于同一条直线上;两个所述半导体激光芯片(30)间隔设置;
所述密封盖(20),与所述底座组件(10)固定连接,开设有出光窗口,盖合在所述半导体激光芯片(30)上;所述半导体激光芯片(30)的出光侧朝向所述出光窗口;
所述匀化透镜(40),固设在所述出光窗口上;
所述正极电极(50)和所述负极电极(60)均固设在所述底座组件(10)上,且均与所述半导体激光芯片(30)电连接。
2.根据权利要求1所述的一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,所述半导体激光芯片(30)的驱动电压为3.6V。
3.根据权利要求2所述的一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,所述匀化透镜(40)为凹透镜。
4.根据权利要求2所述的一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,所述匀化透镜(40)为平凹透镜,所述匀化透镜(40)的曲面朝向所述出光窗口的外侧。
5.根据权利要求4所述的一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,所述正极电极(50)和所述负极电极(60)均为长条状;
所述正极电极(50)和所述负极电极(60)分别位于两个所述半导体激光芯片(30)的一侧,且所述正极电极(50)的长轴和所述负极电极(60)的长轴均与所述半导体激光芯片(30)的长轴平行。
6.根据权利要求5所述的一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,所述密封盖(20)的两端的端面上分别开设有第一安装通孔和第二安装通孔(21);
所述正极电极(50),一端位于密封盖(20)内,另一端穿出所述第一安装通孔延伸至所述密封盖(20)的外部;
所述负极电极(60),一端位于密封盖(20)内,另一端穿出所述第二安装通孔(21)延伸至所述密封盖(20)的外部。
7.根据权利要求6所述的一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,所述底座组件(10),包括底座(11)和散热热沉(12);
所述散热热沉(12),固设在所述底座(11)上;
所述半导体激光芯片(30),封装在所述散热热沉(12)上。
8.根据权利要求7所述的一种微型激光脱毛半导体激光模组,其特征在于,所述底座(11)上还开设有至少一个定位通孔(13);所述定位通孔(13)位于所述散热热沉(12)的一端的侧面
所述定位通孔(13)上连接有定位件;
所述定位件与所述密封盖(20)固定连接。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202121094124.2U CN215070858U (zh) | 2021-05-20 | 2021-05-20 | 一种微型激光脱毛半导体激光模组 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202121094124.2U CN215070858U (zh) | 2021-05-20 | 2021-05-20 | 一种微型激光脱毛半导体激光模组 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN215070858U true CN215070858U (zh) | 2021-12-07 |
Family
ID=79213451
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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