CN210521090U - 一种半导体激光脱毛模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体激光脱毛模块，所述半导体激光脱毛模块包括安装座、激光阵列结构和激光脱毛头，所述激光阵列结构设于所述安装座上，所述激光阵列结构包括电极板和多条激光管芯，各所述激光管芯对应二种不同的波长，所述电极板的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板上，以用以发出激光；所述激光脱毛头连接所述激光阵列结构设置，用以将所述激光阵列结构发出的激光按一定方向导出。本实用新型通过将所述半导体激光脱毛模块的激光管芯设置有二种不同波长的激光管芯，不同波长可满足多种颜色的皮肤需求，设有激光脱毛头以方便对特定区域进行脱毛，脱毛效果更好。
Description
技术领域
本实用新型涉及医学美容器械领域，具体涉及一种半导体激光脱毛模块。
背景技术
激光脱毛是依据选择性的光热动力学原理，通过合理调节激光波长能量脉宽，激光便能穿过皮肤表层到达毛发的根部毛囊，光能被吸收并转化为破坏毛囊组织的热能，从而使毛发失去再生能力同时又不损伤周边组织、痛感轻微的技术。但现有的激光脱毛模块，一般一个模块只有一种波长，对不同颜色的皮肤脱毛效果会差异很大，不能进行调节波长，另外有一些仪器虽然具有多个不同波长的激光，但往往需要设置多个激光模块，以进行调节切换，以满足不同客户皮肤的需求，过于繁琐。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型的主要目的在于提供一种半导体激光脱毛模块，旨在解决现有的一种激光模块不能满足多种皮肤需求的问题。
为了实现上述目的，本实用新型提出的一种半导体激光脱毛模块，包括：
安装座；
激光阵列结构，设于所述安装座上，所述激光阵列结构包括电极板和多条激光管芯，各所述激光管芯对应二种不同的波长，所述电极板的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板上，以用以发出激光；
激光脱毛头，所述激光脱毛头连接所述激光阵列结构设置，以用以将所述激光阵列结构发出的激光按一定方向导出。
可选地，所述激光脱毛头包括：
导光柱，所述导光柱具有与所述多个激光管芯呈相对设置的第一端、以及与所述第一端相对的自由端，所述第一端与所述激光阵列结构相连接，所述自由端自所述第一端朝向所述多个激光管芯相反的方向横向延伸设置；
壳体，呈包覆所述导光柱设置，所述壳体与所述导光柱的自由端呈相对应处设有开口，以使所述激光管芯发出的激光从所述开口处射出；
冷却机构，连接所述壳体，用以为所述导光柱散热。
可选地，所述导光柱自所述第一端向所述自由端方向呈渐小设置。
可选地，所述冷却机构包括制冷器和冷凝器，所述冷凝器靠近所述导光柱的自由端设置，且呈相对设置于所述壳体两侧，所述制冷器连接所述冷凝器，以用以为所述冷凝器制冷。
可选地，所述开口处设有蓝宝石片。
可选地，所述激光管芯对应的二种不同的波长分别为λ1和λ2，λ1为760nm，λ2为810nm。
可选地，所述760nm波长激光管芯输出光功率为30瓦到360瓦、所述810nm波长激光管芯输出光功率为30瓦到360瓦。
可选地，所述760nm波长激光管芯和所述810nm波长激光管芯分别设置有多个，且多个所述激光管芯沿所述电极板正负极方向交替排列设置。
本实用新型提供的技术方案中，通过将所述半导体激光脱毛模块的激光管芯设置有二种不同波长的激光管芯，不同波长可满足不同皮肤颜色的需求以及治疗，无需反复进行调节，操作更方便，且设有激光脱毛头以方便对特定区域进行脱毛，能达到更好的脱毛效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型提供的一种半导体激光脱毛模块的一实施例的结构示意图；
图2为图1中所述半导体激光脱毛模块的主视图；
图3为图1中所述激光阵列结构的结构示意图；
图4为图1中所述激光激光脱毛头的结构示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 1 | 安装座 | 24 | 散热座 |
| 2 | 激光阵列结构 | 3 | 激光脱毛头 |
| 21 | 激光管芯 | 31 | 导光柱 |
| 22 | 电极板 | 32 | 壳体 |
| 23 | 散热片 | 33 | 冷却机构 |
本实用新型目的的实现、功能特点及优异效果，下面将结合具体实施例以及附图做进一步的说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括二个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
激光脱毛是依据选择性的光热动力学原理，通过合理调节激光波长能量脉宽，激光便能穿过皮肤表层到达毛发的根部毛囊，光能被吸收并转化为破坏毛囊组织的热能，从而使毛发失去再生能力同时又不损伤周边组织、痛感轻微的技术。但现有的激光脱毛模块，一般一个模块只有一种波长，对不同颜色的皮肤脱毛效果会差异很大，不能进行调节波长，另外有一些仪器虽然具有多个不同波长的激光，但往往需要设置多个激光模块，以进行调节切换，以满足不同客户皮肤的需求，过于繁琐。
鉴于此，本实用新型提供一种半导体激光脱毛模块，所述半导体激光脱毛模块主要用于脱毛仪器中，图1至图4为本实用新型提供的半导体激光脱毛模块的一实施例。
请参阅图1至图2，在本实施例中，所述半导体激光脱毛模块包括安装座1、激光阵列结构2和激光脱毛头3，所述激光阵列结构2设于所述安装座1上，所述激光阵列结构2包括电极板22和多条激光管芯21，各所述激光管芯21对应二种不同的波长，所述电极板22的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯21沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板22上，所述激光脱毛头3连接所述激光阵列结构2设置，以用以将所述激光阵列结构2发出的激光按一定方向导出，所述激光管芯21包括二种不同波长的管芯，以发出不同波长的激光，以适于对各种皮肤的用户使用。
本实用新型提供的技术方案中，通过将所述半导体激光脱毛模块的激光管芯21设置有二种不同波长的激光管芯21，不同波长可满足各种颜色的皮肤需求以及治疗效果，无需多次进行调节，操作更方便，且设有激光脱毛头以更方便对特定区域进行脱毛能达到更好的脱毛效果。
在本实施例中，设定所述激光管芯21对应的二种不同的波长分别为λ1和λ2，所述λ1的取值范围为750nm～780nm，所述λ2的取值范围为790nm～830nm，所述不同波段激光以用于适应不同皮肤的需求。
进一步地，在本实施例中，λ1为760nm，λ2为810nm。760nm波长为最适合白色皮肤人脱毛的波长，810nm为最适合亚洲人脱毛的波长，适合于所有毛发类别，处理较深层的毛囊及残留的毛发，精准破坏较浓密毛囊，又不引起邻近组织的损伤。
更进一步地，在本实施例中，所述各激光管芯的型号有多种，具体地
在本实施例中，所述760nm波长激光管芯输出光功率为30瓦到360瓦、所述810nm波长激光管芯输出光功率为30瓦到360瓦，以根据客户的功率需求，来定制不同功率的激光模块。在本实施例中，所述各激光管芯的型号有多种，具体地，在本实施例中，所述760nm波长激光管芯的型号为LT-01-2465-760-50，所述810nm波长激光管芯的型号为LT-1500-01-2465。
在本实施例，请参阅图3，在一个半导体激光脱毛模块中，所述760nm波长激光管芯和所述810nm波长激光管芯分别设置有多个，且多个所述激光管芯21沿所述电极板22正负极方向呈依次交错层叠设置。所述760nm波长激光管芯和所述810nm波长激光管芯的排列方式不作具体限定，只要使得所述各波长光段均匀分布的排列形式都应属于本申请的保护范围。
在本实施例中，所述各激光管芯21呈长条状设置，所述各激光管芯21的长端面沿与所述电极板22正负极方向相垂直的方向横向布设于所述电极板22上，多个所述激光管芯21沿所述电极板22表面横向设置有多条。多个所述激光管芯21排列成阵列结构布设于所述电极板22上，所述阵列结构可设置为多个且呈并列放置于所述电极板22上，所述激光管芯21的排列方式可根据客户需求作相应的排列，以适应不同面积的光照需求。
在本实施例中，所述激光阵列结构2还包括散热结构，所述散热结构连接所述电极板22设置，用以对所述激光阵列结构2进行散热，所述散热结构包括散热座24和散热片23，所述散热座24设于所述安装座1上；所述散热片23安装于所述散热座24上，且设于所述电极板22上与所述激光管芯21呈相对设置的一面，用以对所述激光阵列结构2进行散热。所述激光管芯21在发光时，会散发大量热量，为保持装置的寿命，因此必需增加散热结构以对所述激光管芯21进行散热，所述半导体激光器工作时需保证良好散热，存储温度为－40℃～+85℃。所述散热结构的设置形式不限于上述一种，所述散热结构也可设置为风扇散热，还可设置为空调结构的散热形式等，以能对所述激光管芯21进行散热的散热结构的设置形式都应属于本申请的保护范围。
进一步地，所述散热座24和所述安装座1上分别设有呈相对应设置的水路通道。所述水路通道内通以循环冷却水，所述冷却水的水温控制为23℃～27℃，水压控制为0.4～0.6MPa，以带走所述散热片23传导出的热量，提高冷却效果。
在本实施例中，请参阅图4，所述半导体激光脱毛模块还包括激光脱毛头，所述激光脱毛头3包括导光柱31、壳体32和冷却机构33，所述导光柱31具有与所述多个激光管芯呈相对设置的第一端、以及与所述第一端相对的自由端，所述第一端与所述激光阵列结构相连接，所述自由端自所述第一端向外延伸设置；所述壳体32呈包覆所述导光柱设置，所述壳体32与所述导光柱31的自由端呈相对应处设有开口，以使所述激光管芯发出的激光从所述开口处射出；所述冷却机构33连接所述壳体32，用以为所述导光柱散热。所述激光脱毛头3开口的大小可根据实际使用的需求来设定，也可根据所述多个激光管芯21的排列方式来设定，每一模块的开口大小均可不相同，所述壳体32上设有用以安装于脱毛仪器或其他仪器上的安装结构，以根据每一仪器的具体需求而定，在此不作具体限定。
进一步地，所述开口处设有蓝宝石片，蓝光可减轻脱毛时的疼痛感。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种半导体激光脱毛模块，其特征在于，包括：
安装座；
激光阵列结构，设于所述安装座上，所述激光阵列结构包括电极板和多条激光管芯，各所述激光管芯对应二种不同的波长，所述电极板的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板上，以用以发出激光；
激光脱毛头，所述激光脱毛头连接所述激光阵列结构设置，以用以将所述激光阵列结构发出的激光按一定方向导出；
设定所述激光管芯对应的二种不同的波长分别为λ1和λ2，所述λ1的取值范围为760nm～780nm，所述λ2的取值范围为810nm～830nm。
2.如权利要求1所述的半导体激光脱毛模块，其特征在于，所述激光脱毛头包括：
导光柱，所述导光柱具有与所述多个激光管芯呈相对设置的第一端、以及与所述第一端相对的自由端，所述第一端与所述激光阵列结构相连接，所述自由端自所述第一端朝向所述多个激光管芯相反的方向横向延伸设置；
壳体，呈包覆所述导光柱设置，所述壳体与所述导光柱的自由端呈相对应处设有开口，以使所述激光管芯发出的激光从所述开口处射出；
冷却机构，连接所述壳体，用以为所述导光柱散热。
3.如权利要求2所述的半导体激光脱毛模块，其特征在于，所述导光柱自所述第一端向所述自由端方向呈渐小设置。
4.如权利要求2所述的半导体激光脱毛模块，其特征在于，所述冷却机构包括制冷器和冷凝器，所述冷凝器靠近所述导光柱的自由端设置，且呈相对设置于所述壳体两侧，所述制冷器连接所述冷凝器，以用以为所述冷凝器制冷。
5.如权利要求2所述的半导体激光脱毛模块，其特征在于，所述开口处设有蓝宝石片。
6.如权利要求1所述的半导体激光脱毛模块，其特征在于，所述激光管芯对应的二种不同的波长分别为λ1和λ2，λ1为760nm，λ2为810nm。
7.如权利要求6所述的半导体激光脱毛模块，其特征在于，所述760nm波长激光管芯输出光功率为30瓦到360瓦、所述810nm波长激光管芯输出光功率为30瓦到360瓦。
8.如权利要求6所述的半导体激光脱毛模块，其特征在于，所述760nm波长激光管芯和所述810nm波长激光管芯分别设置有多个，且多个所述激光管芯沿所述电极板正负极方向交替排列设置。
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