CN116745003A - 光照射式脱毛装置 - Google Patents
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Abstract
光照射式脱毛装置(1)具备光源(10)和控制单元(50)。光源(10)射出400nm～1200nm的波长的光。另外，控制单元(50)控制从光源(10)进行的光照射的启动关闭。而且，在脱毛处理时从光源(10)进行单次的光照射时，控制单元(50)使光源(10)交替地重复启动状态与关闭状态，并且将启动状态的时间和关闭状态的时间控制为可变。
Description
技术领域
本公开涉及一种光照射式脱毛装置。
背景技术
近年来，作为进行人的体毛的脱毛的方法，已知以下一种方法：向皮肤表面照射规定波长的光使其发热来对毛囊附近的细胞造成损伤，由此得到脱毛效果。作为这样的装置，能够列举光照射式脱毛装置。
光照射式脱毛装置具备发光单元，该发光单元具有光源。另外，作为光照射式脱毛装置的光源，一般使用具有窄带的波长谱的光源或具有宽带的波长谱的光源(例如，参照专利文献1、2)。作为具有窄带的波长谱的光源，能够列举LED(Light Emitting Diode：发光二极管)或激光等。作为具有宽带的波长谱的光源，能够列举闪光灯。
在专利文献1中，特别记载了一种利用具有570nm～1200nm的波长范围的峰值发光波长的光源(VCSEL：面发光激光)放射1ms～600ms的范围的处理光脉冲的光照射式脱毛装置。专利文献1所记载的光照射式脱毛装置通过施加2J/cm2～30J/cm2范围的照射能量来得到脱毛效果。在专利文献2中记载了一种具备发光单元的光照射式脱毛装置，该发光单元具有700nm～980nm的红色～近红外波长范围的峰值发光波长的LED管芯。专利文献2所记载的光照射式脱毛装置从发光单元放射60ms～120ms的范围的处理光脉冲来对皮肤施加3J/cm2～7J/cm2范围的照射能量，由此得到脱毛效果。
专利文献1和2所记载的光照射式脱毛装置均是通过在使发出规定波长的光的光源靠近要进行脱毛的皮肤表面的状态下从光源照射规定时间的光来实施脱毛处理。即，专利文献1和2所记载的光照射式脱毛装置通过光照射时的发热对毛囊附近的细胞造成损伤来得到脱毛效果。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5715128号公报
专利文献2：日本特表2019-509087号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上述那样的以往的光照射式脱毛装置如果单次照射强光，则能够得到高的脱毛效果。但是，如果为了得到充分的脱毛效果而照射更强的光，则皮肤温度急剧地上升，因此以往的光照射式脱毛装置有时给用户带来损伤等不适感。特别是由于用户的皮肤的性状、与疼痛有关的灵敏度各式各样，因此获得充分的脱毛效果和抑制光照射时的不适感处于折衷的关系，难以兼顾。
本公开提供一种能够兼顾充分的脱毛效果和对光照射时的不适感的抑制的光照射式脱毛装置。
本公开的一个方式所涉及的光照射式脱毛装置具备：光源，其射出400nm～1200nm的波长的光；以及控制单元，其控制从光源进行的光照射的启动关闭。而且，在脱毛处理时从光源进行单次的光照射时，控制单元使光源交替地重复启动状态与关闭状态，并且将启动状态的时间和关闭状态的时间控制为可变。
根据本公开，能够提供一种能够兼顾充分的脱毛效果和对光照射时的不适感的抑制的光照射式脱毛装置。
附图说明
图1是示出本实施方式的光照射式脱毛装置的结构的剖视图。
图2是图1的II-II线的剖视图。
图3是示出本实施方式所涉及的光源的概要性的配置状态的例子的立体图。
图4是本实施方式的光照射式脱毛装置的主要部分的框图。
图5是示出本实施方式的光照射式脱毛装置的光照射时的经过时间与光密度的关系的一例的图表。
图6是示出本实施方式的光照射式脱毛装置的光照射时的经过时间与光密度的关系的另一例的图表。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明实施方式。但是，有时省略不必要的详细说明。例如，有时省略已经周知的事项的详细说明或针对实质上相同的结构的重复说明。
此外，附图以及以下的说明是为了本领域技术人员充分地理解本公开而提供的，并非意图通过它们来限定权利要求书所记载的主题。
另外，在以下的实施方式中，以使射出口朝向上方的状态规定光照射式脱毛装置1的上下方向Z。另外，将光照射式脱毛装置1的水平方向上的长边方向规定为宽度方向Y。并且，将光照射式脱毛装置1的水平方向上的短边方向(与上下方向Z及宽度方向Y正交的方向)规定为前后方向X。
另外，在本实施方式中，将光照射式脱毛装置1主体的设置有开关部(未图示)的一侧规定为前后方向上的前方来进行说明。
图1是示出本实施方式的光照射式脱毛装置1的结构的剖视图，图2是图1的II-II线的剖视图。如图1和图2所示，光照射式脱毛装置1具备壳体5、光源10、温度传感器13、皮肤冷却部20、冷却器40以及控制单元50。
在壳体5的一端设置有光照射式脱毛装置1的成为光的射出口的开口部。在壳体5的开口部设置有光源10，对皮肤照射光。另外，在壳体5的与光源10相反的一侧形成有底部。在壳体5设置有多个第一开口部6和多个第二开口部7，将外部的空气从多个第一开口部6吸入并从多个第二开口部7排出。在壳体5的内侧收容有光源10、温度传感器13、皮肤冷却部20、冷却器40以及控制单元50。
图3是示出本实施方式所涉及的光源10的概要性的配置状态的例子的立体图。此外，在图3中省略了温度传感器13、皮肤冷却部20、冷却器40的一部分结构等。如图1～图3所示，在本实施方式中，光源10包括多个LED(Light Emitting Diode)。LED以大致等间隔地分离配置的状态安装在基板12上。光源10与未图示的电源电连接，通过从电源供给电力来从光源10照射光。
光源10照射具有400nm以上且1200nm以下的波长的光。通过向皮肤照射如上述那样的光，毛囊的黑色素吸收上述光而发热。然后，毛囊中含有的毛基质由于该热而受到损伤，从而促进毛的排出。光的波长也可以为500nm以上，也可以为600nm以上，也可以为700nm以上，也可以为800nm以上。另外，光的波长也可以为1000nm以下，也可以为900nm以下。从光源10照射的光也可以是在400nm以上且1200nm以下的范围内具有峰值波长的光。即使是光在如上述那样的范围内具有峰值波长的情况，被照射的光也可以含有上述范围以外的波长成分。另外，各个LED不需要具有同一波长谱，也可以将照射不同的波长谱的光的LED组合地使用。此外，上述波长是在光源10的温度为25℃的情况下照射的光的波长。
光源10优选在辐照度超过15W/cm2且小于50W/cm2的条件下照射光。通过以超过15W/cm2的辐照度照射光，能够对生长期初期～生长期的毛造成高的脱毛效果。另外，通过以小于50W/cm2的辐照度照射光，能够抑制由光照射引起的皮肤温度的上升。因此，能够更可靠地对皮肤进行冷却来减轻皮肤刺激。辐照度也可以超过20W/cm2，也可以超过25W/cm2，也可以超过30W/cm2。另外，辐照度也可以小于45W/cm2，也可以小于40W/cm2。
皮肤冷却部20配置在与光源10相向的位置。皮肤冷却部20既可以与光源10接触，也可以与光源10空出空间地配置。另外，皮肤冷却部20被设置为在与光源10相反的一侧与皮肤接触。皮肤冷却部20由具有透光性的材料形成。当从光源10照射光时，皮肤冷却部20使从光源10照射的光透过，透过了皮肤冷却部20的光被照射到皮肤。皮肤冷却部20例如是具有透光性的板，在本实施方式中使用了圆板的皮肤冷却部20。
皮肤冷却部20优选由不易吸收从光源10照射的光的材料形成。具体地说，皮肤冷却部20的全光线透过率优选为80％以上。如果全光线透过率为80％以上，则从光源10照射的光的大部分能够透过皮肤冷却部20。因此，能够使大量的光到达黑色素，能够促进脱毛效果。另外，由于能够减少被皮肤冷却部20吸收而变换为热的光的量，因此能够抑制皮肤冷却部20的温度上升。从光不易被皮肤冷却部20吸收的观点出发，全光线透过率更优选为90％以上，进一步优选为95％以上，特别优选为99％以上。全光线透过率的上限值为100％。能够按照JIS K7361-1∶1997来测定全光线透过率。
皮肤冷却部20的折射率优选为1.7以上。如果皮肤冷却部20的折射率为1.7以上，则来自光源10的光不易被皮肤冷却部20吸收。折射率的值越大，皮肤冷却部20越易于使光透过。因此，折射率更优选为1.8以上，进一步优选为1.9以上，特别优选为2.0以上。折射率的上限值没有特别地限定，也可以是10。能够按照JIS B7071-1∶2015，通过最小偏向角法来测定折射率。
皮肤冷却部20在与皮肤接触的情况下对皮肤进行冷却。皮肤冷却部20优选含有热传导性高的材料。皮肤冷却部20的热传导率优选为1W/mK以上。如果热传导率为1W/mK以上，则即使皮肤冷却部20被来自光源10的光以及皮肤加热，也容易散热，因此能够有效地对皮肤进行冷却。存在以下倾向：热传导率的值越大，则皮肤冷却部20的热传导性越高，皮肤冷却部20的冷却效果越高。因此，从冷却效率的观点出发，皮肤冷却部20的热传导率更优选为2W/mK以上，进一步优选为10W/mK以上，特别优选为30W/mK以上，最优选为100W/mK以上。热传导率的上限值没有特别地限定，也可以是100000W/mK。能够按照JIS R1611∶2010，通过激光闪光法来测定热传导率。
皮肤冷却部20也可以含有无机物质。具体地说，皮肤冷却部20优选含有从由Al2O3、ZnO、ZrO2、MgO、GaN、AlN以及金刚石构成的组中选择出的至少一种物质。由于这些材料的折射率和热传导率高，因此能够使皮肤冷却部20的透光性和热传导性提高。此外，Al2O3(蓝宝石)的折射率是1.79，热传导率是42W/mK。ZnO的折射率是2.01，热传导率是20W/mK。ZrO2的折射率是2.13，热传导率是3W/mK。MgO的折射率是1.74，热传导率是47W/mK。GaN的折射率是2.346，热传导率是200W/mK。AlN的折射率是2.175，热传导率是150W/mK。金刚石的折射率是2.417，热传导率是1000W/mK。
从耐热性和透光性的观点等出发，皮肤冷却部20也可以含有硅酮树脂等树脂。另外，皮肤冷却部20也可以含有硅酮树脂等树脂和分散在树脂中的高导热填料。通过皮肤冷却部20含有高导热填料而易于散发皮肤冷却部20的热，因此能够有效地对皮肤进行冷却。高导热填料也可以含有如上述那样的无机物质。
皮肤冷却部20中的无机物质的比例优选为10质量％以上。通过将皮肤冷却部20中的无机物质的比例设为10质量％以上，能够提高皮肤冷却部20的热传导性。皮肤冷却部20中的无机物质的比例更优选为30质量％以上，进一步优选为50质量％以上，特别优选为70质量％以上，最优选为90质量％以上。
皮肤冷却部20优选被冷却为-5℃以上且小于35℃。通过皮肤冷却部20被冷却为-5℃以上，能够以不易产生伴随冷却引起的皮肤疼痛的方式对皮肤进行冷却。另一方面，通过皮肤冷却部20被冷却为小于35℃，能够抑制由光照射时的皮肤温度上升引起的炎症。皮肤冷却部20更优选被冷却为0℃以上，进一步优选被冷却为5℃以上，特别优选被冷却为10℃以上。另外，皮肤冷却部20更优选被冷却为小于30℃，进一步优选被冷却为小于25℃，特别优选被冷却为小于20℃，最优选被冷却为小于15℃。
温度传感器13检测皮肤冷却部20的温度。通过检测皮肤冷却部20的温度，能够精密地控制皮肤冷却部20的温度。温度传感器13以与皮肤冷却部20相向的方式设置。具体地说，温度传感器13安装于基板12。在本实施方式中，温度传感器13包括接触式温度传感器。作为接触式温度传感器，能够列举热敏电阻、热电偶以及测温电阻体等。
冷却器40对皮肤冷却部20进行冷却。通过光照射式脱毛装置1具备冷却器40，能够使皮肤冷却部20更加低温。因此，能够进一步提高由皮肤冷却部20造成的皮肤冷却效果。冷却器40包括散热部41和送风部45。
散热部41与皮肤冷却部20连接，散发从皮肤冷却部20夺取的热。散热部41包括连接部42、把持部43以及散热片44。
连接部42是板状的构件。在连接部42的一个面即第一面上设置有基板12。基板12被设置为比连接部42小且收纳在连接部42的内侧。在连接部42的第一面上的基板12的外侧连接有把持部43。在连接部42的与第一面相反一侧的面即第二面上设置有散热片44。
把持部43从连接部42的第一面朝向上下方向Z的上方突出，把持着皮肤冷却部20的整个周缘。因而，光源10被皮肤冷却部20、把持部43以及连接部42包围。由光源10生成的热经由皮肤冷却部20以及冷却器40的散热部41散热。此外，把持部43把持着皮肤冷却部20的整个周缘，但把持部43与皮肤冷却部20的至少一部分连接即可。
散热片44设置于连接部42的第二面(与光源10相反一侧的面)。因此，皮肤冷却部20的热通过把持部43及连接部42向散热片44移动。散热片44包括多片，由于与空气的接触面积大，因此容易散热。
散热部41优选含有热传导性优良的材料。散热部41的热传导率的值也可以比皮肤冷却部20的热传导率的值大。具体地说，散热部41也可以含有铝、铁以及铜等金属。把持部43、连接部42以及散热片44既可以由相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。
送风部45通过向散热部41输送空气来对散热部41进行冷却。送风部45例如包括风扇，通过风扇旋转而产生气流。在壳体5的与送风部45相向的部位设置有多个第一开口部6。另外，在壳体5的与散热片44相向的部位设置有多个第二开口部7。因此，当使送风部45驱动时，将通过多个第一开口部6从壳体5的外部吸入的空气送到散热片44。接触到散热片44的空气的热与散热片44的热进行交换，散热片44被冷却。与散热片44接触而被加热的空气通过多个第二开口部7被排出到壳体5的外部。
此外，在本实施方式中，说明为光照射式脱毛装置1使用空冷式的冷却器40对皮肤冷却部20进行冷却，但也可以除了使用空冷式的冷却器40以外还使用珀耳帖元件等对皮肤冷却部20进行冷却，或者代替空冷式的冷却器40而使用珀耳帖元件等对皮肤冷却部20进行冷却。使用珀耳帖元件对皮肤冷却部20进行冷却的情况下的光照射式脱毛装置1能够更强力地对皮肤冷却部20进行冷却。
控制单元50控制光源10的启动状态和关闭状态。另外，控制单元50控制送风部45的驱动和停止。控制单元50具有计算机系统，该计算机系统包括CPU(Central ProcessingUnit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)以及RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)。而且，CPU执行存储在ROM中的程序，由此计算机系统作为控制单元50发挥功能。在此，CPU执行的程序被预先记录在计算机系统的ROM中，但也可以被记录在存储卡等非暂态记录介质中来提供，也可以通过因特网等电通信线路来提供。
图4是本实施方式的光照射式脱毛装置1的主要部分的框图。如图4的框图所示，光照射式脱毛装置1具备电源、控制单元50、光源10以及皮肤冷却部20，来作为负责光照射的系统。当通过操作光照射式脱毛装置1的操作开关(未图示)来接通电源时，向控制单元50供给电力而成为光照射的待机状态。在进行光照射时，控制单元50控制光源10的启动关闭。作为开始进行脱毛处理的方式，例如能够列举在用户操作了设置于主体的开关类(未图示)时开始进行脱毛处理的方式。除此之外，也可以设为以下方式：在光照射式脱毛装置1中设置用于探测皮肤的传感器，在控制单元50感测出传感器探测到皮肤这一情况时，光照射式脱毛装置1进行光照射。
以上的本实施方式的光照射式脱毛装置1具备光源10和控制单元50。光源10射出400nm～1200nm的波长的光。另外，控制单元50控制从光源10进行的光照射的启动关闭。而且，在脱毛处理时从光源10进行单次的光照射时，控制单元50使光源10交替地重复启动状态与关闭状态，并且将启动状态的时间和关闭状态的时间控制为可变。
由此，在光源10为启动状态时皮肤的温度上升，但在光源10为关闭状态时皮肤的温度降低。由于像这样的启动状态与关闭状态交替地重复，因此光照射式脱毛装置1能够抑制皮肤温度的急剧上升，进而能够抑制给用户带来的不适感。另外，如果假设脱毛所需的总能量为9J/cm2～50J/cm2，则如果在单次的光照射中使在光源10的启动状态下放出的照射能量的总和为9J/cm2～50J/cm2，则能够得到充分的脱毛效果。也就是说，在施加了脱毛所需的充分的总能量的同时，光照射式脱毛装置1还能够与各个用户的性状无关地抑制给用户带来的不适感。
另一方面，以往的光照射式脱毛装置不进行启动状态和关闭状态的控制，而在单次的光照射中始终以启动状态施加脱毛所需的照射能量，因此皮肤温度急剧地上升，有时给用户带来不适感。
在本实施方式中，“单次的光照射”是指对某皮肤区域以能够得到充分的脱毛效果的程度的照射能量进行的一次连续的光照射。在此，“连续”不是指光源10的启动状态是连续的，而是指光源10的启动状态与关闭状态混合的处理是连续的。
在单次的光照射中，为了抑制皮肤的温度急剧上升，优选在开始光照射时设为低照射能量，之后使照射能量逐渐地增大。这样的话，用户习惯由光照射引起的发热的刺激，因此能够在得到用于获得充分的脱毛效果的照射能量之前抑制损伤等不适感。
如上所述，为了使照射能量逐渐地增大，在本实施方式中，控制单元50优选设定为在脱毛处理时从光源10进行单次的光照射时如以下那样进行控制。即，控制单元50优选控制光源10的启动状态和关闭状态，以使由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)和由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)满足下面的条件(1)和条件(2)。在此，在本实施方式中，光源10被控制为交替地重复启动状态与关闭状态，但第n个启动状态和第n+1个启动状态是指在单次的光照射中光源10的启动状态为第1个、第2个、···第n个、第n+1个。此外，n是从1开始的自然数。
条件(1)：Eg(n)≤Eg(n+1)
条件(2)：Eg(n+1)＝A×Eg(n)A≥1
条件(1)规定了由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)是由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)以上的能量。另外，条件(2)规定了由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)是对由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)乘以常数A而得到的能量。在条件(2)中，常数A为1以上，因此由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)是由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)以上的、该能量Eg(n)的A倍。即，在常数A大于1的情况下，通过满足条件(1)和条件(2)，光照射的能量随时间经过而逐渐地增大。
如上所述，在本实施方式中，作为一例，将常数A设为1以上的数，以由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)为由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)的能量以上的方式进行光照射。能够通过光照射时间、光源10中的发光元件数(LED数)或电流的调整等、或者它们的组合来进行由光照射产生的能量的调整。例如，能够通过控制光源10的启动关闭来控制光照射时间，由此进行基于光照射时间的能量调整。另外，能够通过使能够发光的发光元件增加或减少，来进行基于发光元件数的能量调整。并且，能够通过电流控制电路等来进行基于电流的能量调整。其中，基于光照射时间的能量的调整是仅通过由控制单元50控制光源10的启动关闭就能够实现的，在不需要其它构件这一点上最为优选。即，基于光照射时间的能量调整与利用光源10的驱动电流或发光元件数来控制照射能量的情况相比，能够低成本地实现。
这样，在本实施方式的光照射式脱毛装置1中，控制单元50优选通过调整光源10的启动状态的时间来控制Eg(n)和Eg(n+1)。
图5的图表示出了光照射式脱毛装置1的光照射时的经过时间与光密度的关系的一例。更为具体地说，图5示出了使光源10(光密度固定)的启动状态的时间从第1个启动状态起依次逐渐地增加、使由光照射产生的能量(Eg(1)～Eg(5))随时间经过而递增的状态。此外，在图5中，Eg(1)～Eg(5)的长方形的面积表示能量的大小。而且，该面积的总和只要是脱毛所需的充分的总能量即可。通过像这样构成，光照射式脱毛装置1能够在对皮肤施加脱毛所需的总能量的同时抑制给用户带来的不适感。
在图5中，Eg(n)与Eg(n+1)之间是使光照射为关闭状态的时间。在图5中，使光照射为关闭状态的时间均相等，但只要满足条件(1)和条件(2)，则使光照射为关闭状态的时间未必需要相等。
在图5中，作为使光照射为关闭状态的时间，例如能够设为0.1秒～1.0秒。另外，能量Eg(1)～Eg(5)能够分别设定为例如在0.1秒～1.0秒的期间递增。
在条件(2)中，优选设定为1≤A≤2。通过将常数A设为2以下，皮肤表面温度不会变得过高，能够抑制产生疼痛。
另外，也可以设置开关类等使得用户能够在1≤A≤2的范围内变更常数A。例如，能够考虑将常数A为1的情况设为“弱”模式、将常数A为1.5的情况设为“中等”模式，将常数A为2的情况设为“强”模式。
以上的优选方式也能够如以下那样表现。即，该优选方式的光照射式脱毛装置具备在400nm～1200nm内具有波长峰值的多个LED和控制LED的发光的控制单元。而且，控制单元构成为使LED反复启动和关闭来控制LED启动时的放射能量。照射能量包括前一阶段照射的Eg(n)和后一阶段照射的Eg(n+1)，前一阶段照射的Eg(n)≤后一阶段照射的Eg(n+1)，并且Eg(n+1)＝A×Eg(n)(n>0且1≤A)。在此，LED对应于图1～图4中的光源10，控制单元对应于图2、图4中的控制单元50。另外，该方式的光照射式脱毛装置的效果与上述的光照射式脱毛装置1的效果相同。
此外，在本实施方式中，控制单元50也可以设定为在脱毛处理时从光源10进行单次的光照射时如以下那样进行控制。即，控制单元50进行控制，以使由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)和由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)满足条件(3)。同时，控制单元50进行控制，以使TOFF(n～n+1)和TOFF(n+1～n+2)满足条件(4)。TOFF(n～n+1)是第n个启动状态与第n+1个启动状态之间的光源10的关闭状态的时间。TOFF(n+1～n+2)是第n+1个启动状态与第n+2个启动状态之间的光源10的关闭状态的时间。此外，n是从1开始的自然数。
条件(3)：Eg(n)＝Eg(n+1)
条件(4)：TOFF(n～n+1)>TOFF(n+1～n+2)
条件(3)规定了由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)与由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)相等。另外，条件(4)规定了第n+1个启动状态与第n+2个启动状态之间的光源10的关闭状态的时间TOFF(n+1～n+2)比第n个启动状态与第n+1个启动状态之间的光源10的关闭状态的时间TOFF(n～n+1)短。即，通过满足条件(3)和条件(4)，由第1个～第n+1个启动状态的光照射产生的能量为固定，并且，光照射的关闭状态的时间随着时间经过而减少。即，通过满足条件(3)和条件(4)，光照射的能量随着时间经过而逐渐地增大。
图6的图表示出了光照射式脱毛装置1的光照射时的经过时间与光密度的关系的另一例。更为具体地说，图6示出了在由光照射产生的能量Eg(1)～Eg(5)中，光源10(光密度固定)的启动状态的时间均设为固定的状态。另外，图6示出了使各个期间的光源10的关闭状态的时间TOFF(1～2)～TOFF(4～5)随着时间经过而递减的状态。如图6所示，关闭状态的时间逐渐地变短，由此在单次照射时间内照射的平均能量Eg逐渐地增大。另外，与图5同样地，Eg(1)～Eg(5)的长方形的面积表示能量的大小。而且，该面积的总和只要是脱毛所需的充分的总能量即可。通过像这样构成，光照射式脱毛装置1能够在对皮肤施加脱毛所需的总能量的同时抑制给用户带来的不适感。
在图6中，作为使光照射为启动状态的时间，例如能够设为0.1秒～1.0秒。另外，使光照射为关闭状态的时间TOFF(1～2)～TOFF(4～5)例如能够分别设定为在0.1秒～1.0秒的期间内递减。
在图6中，在由第1个光照射产生的能量Eg(1)大而给用户带来不适感的情况下，也可以仅针对Eg(1)缩短光照射时间等来减小能量。
优选的是，本实施方式的光照射式脱毛装置1还具备测定皮肤表面温度的传感器，控制单元50基于传感器测定出的皮肤表面温度来控制光照射时间。根据这样的结构，光照射式脱毛装置1在皮肤表面温度高时缩短光照射时间或停止光照射，由此能够抑制给用户带来的不适感。
此外，上述实施方式用于例示本公开中的技术，因此在权利要求书或其等同的范围内能够进行各种变更、置换、附加、省略等。
产业上的可利用性
本公开能够应用于例如家用脱毛装置、商用脱毛装置等。
附图标记说明
1：光照射式脱毛装置；5：壳体；6：第一开口部；7：第二开口部；10：光源；12：基板；13：温度传感器；20：皮肤冷却部；40：冷却器；41：散热部；42：连接部；43：把持部；44：散热片；45：送风部；50：控制单元。
Claims (5)
1.一种光照射式脱毛装置，具备：
光源，其射出400nm～1200nm的波长的光；以及
控制单元，其控制从所述光源进行的光照射的启动关闭，
其中，在脱毛处理时从所述光源进行单次的光照射时，所述控制单元使所述光源交替地重复启动状态与关闭状态，并且将启动状态的时间和关闭状态的时间控制为可变。
2.根据权利要求1所述的光照射式脱毛装置，其中，
在脱毛处理时从所述光源进行单次的光照射时，所述控制单元控制所述光源的启动状态和关闭状态，使得由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)和由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)满足以下的条件(1)和条件(2)，
其中，n是从1开始的自然数，
条件(1)：Eg(n)≤Eg(n+1)
条件(2)：Eg(n+1)＝A×Eg(n)A≥1。
3.根据权利要求2所述的光照射式脱毛装置，其中，
所述控制单元通过调整所述光源的启动状态的时间来控制所述Eg(n)和所述Eg(n+1)。
4.根据权利要求2或3所述的光照射式脱毛装置，其中，
在所述条件(2)中，设定为1≤A≤2。
5.根据权利要求1所述的光照射式脱毛装置，其中，
所述控制单元进行控制，使得由第n个启动状态的光照射产生的能量Eg(n)和由第n+1个启动状态的光照射产生的能量Eg(n+1)满足以下的条件(3)，并且，第n个启动状态与第n+1个启动状态之间的所述光源的关闭状态的时间TOFF(n～n+1)以及第n+1个启动状态与第n+2个启动状态之间的所述光源的关闭状态的时间TOFF(n+1～n+2)满足以下的条件(4)，
其中，n是从1开始的自然数，
条件(3)：Eg(n)＝Eg(n+1)
条件(4)：TOFF(n～n+1)>TOFF(n+1～n+2)。
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