CN215069983U - 一种带监测功能的深紫外封装器件结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种带监测功能的深紫外封装器件结构，包括基板、围坝、透镜、深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片，围坝设置于基板的顶部，深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片位于围坝内的正面线路层上，基板的底部设置有背面线路层焊盘，背面线路层焊盘与正面线路层通过基板上设置的通孔实现互联；本实用新型通过在深紫外发光二极管封装器件中设计深紫外探测LED芯片，利用深紫外探测LED芯片吸收深紫外发光二极管光线辐射通量转化成电信号方式，来达到监测杀菌消毒对深紫外发光二极管的辐射通量的需求，以此保证长久杀菌消毒的效果，从而让更多消费者直观看到深紫外发光二极管杀菌消毒效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种带监测功能的深紫外封装器件结构。
背景技术
深紫外发光二极管(UVC LED)具有可靠性高、寿命长，反应快，功耗低，环保无污染，体型小等优势，被广泛应用于水杀菌消毒、空气杀菌消毒、表面杀菌消毒等领域。值得注意的是，目前在使用环节无法监测深紫外发光二极管辐射通量，造成深紫外发光二极管辐射通量在衰减到一定程度的时间点后，无法达到杀菌消毒的目的。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种带监测功能的深紫外封装器件结构，以解决上述现有技术存在的问题，在深紫外发光二极管开启时，可以时时监测深紫外发光二极管的辐射通量，依据不同杀菌消毒对深紫外发光二极管辐射通量的需求，设置不同的监测数值报警，从而保证对杀菌消毒的深紫外辐射剂量需求。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：
本实用新型提供一种带监测功能的深紫外封装器件结构，包括基板、围坝、透镜、深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片，所述围坝设置于所述基板的顶部，所述深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片位于所述围坝内的正面线路层上，所述基板的底部设置有背面线路层焊盘，所述背面线路层焊盘与所述正面线路层通过所述基板上设置的通孔实现互联，所述围坝的内侧设置有限位台，所述透镜设置于所述限位台上并将所述深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片罩设在所述围坝内。
优选地，所述基板为方形的陶瓷基板。
优选地，所述围坝为方形的电镀围坝，所述围坝为多层电镀铜层形成的围墙结构。
优选地，所述基板上的通孔内设置有连接所述背面线路层焊盘与所述正面线路层的电镀通孔柱，所述电镀通孔柱由电镀金属铜填充所述通孔而成。
优选地，所述正面线路层通过外层设置的电镀铜层形成导电的线路层，包括5个独立的焊接功能区，包括线路层一、 线路层二、线路层三、线路层四和线路层五，所述线路层一与所述线路层二互联，所述线路层三分别与所述线路层四和所述线路层五互联。
优选地，所述背面线路层焊盘通过外层设置的电镀铜层形成导电的线路层，所述背面线路层焊盘包括5个独立的焊接功能区，包括焊盘一、焊盘二、焊盘三、焊盘四和焊盘五，所述焊盘一与所述焊盘二互联，所述焊盘三分别与所述焊盘四和所述焊盘五互联。
优选地，所述焊盘一与所述线路层一通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘二与所述线路层二通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘三与所述线路层三通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘四与所述线路层四通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘五与所述线路层五通过所述电镀通孔柱互联。
优选地，所述深紫外探测LED芯片的两端分别焊接在所述线路层一、 线路层二的顶部，所述深紫外LED发光二极管芯片包括深紫外LED发光二极管芯片一和深紫外LED发光二极管芯片二，所述深紫外LED发光二极管芯片一的两端分别焊接在所述线路层三和线路层四的顶部，所述深紫外LED发光二极管芯片二的两端分别焊接在所述线路层三和线路层五的顶部。
优选地，所述透镜通过粘合剂粘合在所述限位台上。
本实用新型相对于现有技术取得了以下有益技术效果：
本实用新型提供的带监测功能的深紫外封装器件结构，通过在深紫外发光二极管封装器件中设计深紫外探测LED芯片，利用深紫外探测LED芯片吸收深紫外发光二极管光线辐射通量转化成电信号方式，来达到监测杀菌消毒对深紫外发光二极管的辐射通量的需求，以此保证长久杀菌消毒的效果，从而让更多消费者直观看到深紫外发光二极管杀菌消毒效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型提供的一种带监测功能的深紫外封装器件结构的正面结构示意图；
图2是本实用新型提供的一种带监测功能的深紫外封装器件结构的剖面结构示意图；
图3是本实用新型提供的一种带监测功能的深紫外封装器件结构的背面结构示意图；
图中：1-基板、2-围坝、3-透镜、4-深紫外LED发光二极管芯片、41-深紫外LED发光二极管芯片一、42-深紫外LED发光二极管芯片二、5-深紫外探测LED芯片、6-限位台、7-正面线路层、71-线路层一、 72-线路层二、73-线路层三、74-线路层四、75-线路层五、8-背面线路层焊盘、81-焊盘一、82-焊盘二、83-焊盘三、84-焊盘四、85-焊盘五、9-电镀通孔柱。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型的目的是提供一种带监测功能的深紫外封装器件结构，以解决现有技术存在的问题。
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
本实施例中的带监测功能的深紫外封装器件结构，如图1-图3所示，包括基板1、围坝2、透镜3、深紫外LED发光二极管芯片4和深紫外探测LED芯片5，围坝2设置于基板1的顶部，深紫外LED发光二极管芯片4和深紫外探测LED芯片5位于围坝内的正面线路层7上，基板1的底部设置有背面线路层焊盘8，背面线路层焊盘8与正面线路层7通过基板1上设置的通孔实现互联，围坝2的内侧设置有限位台6，透镜3设置于限位台6上并将深紫外LED发光二极管芯片4和深紫外探测LED芯片5罩设在围坝2内。
于本具体实施例中，基板1为方形的陶瓷基板；围坝2为方形的电镀围坝，围坝2为多层电镀铜层形成的围墙结构。
于本具体实施例中，基板1上的通孔内设置有连接背面线路层焊盘8与正面线路层7的电镀通孔柱9，电镀通孔柱9由电镀金属铜填充通孔而成。
于本具体实施例中，正面线路层7通过外层设置的电镀铜层形成导电的线路层，包括5个独立的焊接功能区，包括线路层一71、 线路层二72、线路层三73、线路层四74和线路层五75，线路层一71与线路层二72互联，线路三层73分别与线路层四74和线路层五75互联。
于本具体实施例中，背面线路层焊盘8通过外层设置的电镀铜层形成导电的线路层，背面线路层焊盘8包括5个独立的焊接功能区，包括焊盘一81、焊盘二82、焊盘三83、焊盘四84和焊盘五85，焊盘一81与焊盘二82互联，焊盘三83分别与焊盘四84和焊盘五85互联。
于本具体实施例中，焊盘一81与线路层一71通过电镀通孔柱9互联，焊盘二82与线路层二72通过电镀通孔柱9互联，焊盘三83与线路层三73通过电镀通孔柱9互联，焊盘四84与线路层四74通过电镀通孔柱9互联，焊盘五85与线路层五75通过电镀通孔柱9互联。深紫外探测LED芯片5的两端分别焊接在线路层一71、 线路层二72的顶部，深紫外LED发光二极管芯片二4包括深紫外LED发光二极管芯片一41和深紫外LED发光二极管芯片二42，深紫外LED发光二极管芯片一41的两端分别焊接在线路层三73和线路层四74的顶部，深紫外LED发光二极管芯片二42的两端分别焊接在线路层三73和线路层五75的顶部，从而实现深紫外探测LED芯片5对深紫外LED发光二极管芯片4所辐射出来的深紫外能量监测，把深紫外光信号转换成电信号，从而实现对杀菌消毒对深紫外剂量的需求，以及对杀菌消毒效果的保障。
于本具体实施例中，透镜3通过粘合剂粘合在限位台6上，通过在围坝2的限位台6上面均匀涂抹一层粘合剂，把透镜3放置到限位台6上面，并轻轻用力按压，通过高温固化粘合剂，实现把透镜3与限位台6固定一起，形成一个对深紫外LED发光二极管芯片4与深紫外探测LED芯片5保护的密闭腔体。
本实用新型应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (9)
1.一种带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：包括基板、围坝、透镜、深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片，所述围坝设置于所述基板的顶部，所述深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片位于所述围坝内的正面线路层上，所述基板的底部设置有背面线路层焊盘，所述背面线路层焊盘与所述正面线路层通过所述基板上设置的通孔实现互联，所述围坝的内侧设置有限位台，所述透镜设置于所述限位台上并将所述深紫外LED发光二极管芯片和深紫外探测LED芯片罩设在所述围坝内。
2.根据权利要求1所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：所述基板为方形的陶瓷基板。
3.根据权利要求1所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：所述围坝为方形的电镀围坝，所述围坝为多层电镀铜层形成的围墙结构。
4.根据权利要求1所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：所述基板上的通孔内设置有连接所述背面线路层焊盘与所述正面线路层的电镀通孔柱，所述电镀通孔柱由电镀金属铜填充所述通孔而成。
5.根据权利要求4所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于： 所述正面线路层通过外层设置的电镀铜层形成导电的线路层，包括5个独立的焊接功能区，包括线路层一、 线路层二、线路层三、线路层四和线路层五，所述线路层一与所述线路层二互联，所述线路层三分别与所述线路层四和所述线路层五互联。
6.根据权利要求5所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：所述背面线路层焊盘通过外层设置的电镀铜层形成导电的线路层，所述背面线路层焊盘包括5个独立的焊接功能区，包括焊盘一、焊盘二、焊盘三、焊盘四和焊盘五，所述焊盘一与所述焊盘二互联，所述焊盘三分别与所述焊盘四和所述焊盘五互联。
7.根据权利要求6所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：所述焊盘一与所述线路层一通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘二与所述线路层二通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘三与所述线路层三通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘四与所述线路层四通过所述电镀通孔柱互联，所述焊盘五与所述线路层五通过所述电镀通孔柱互联。
8.根据权利要求6所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：所述深紫外探测LED芯片的两端分别焊接在所述线路层一、 线路层二的顶部，所述深紫外LED发光二极管芯片包括深紫外LED发光二极管芯片一和深紫外LED发光二极管芯片二，所述深紫外LED发光二极管芯片一的两端分别焊接在所述线路层三和线路层四的顶部，所述深紫外LED发光二极管芯片二的两端分别焊接在所述线路层三和线路层五的顶部。
9.根据权利要求1所述的带监测功能的深紫外封装器件结构，其特征在于：所述透镜通过粘合剂粘合在所述限位台上。
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