CN215031662U - 晶片清洗装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及半导体元件加工技术领域，公开一种晶片清洗装置，对切片后的晶片进行清洗，清洗装置包括清洗槽和朝清洗槽内喷射清洗液的水流喷射管，清洗槽内设有放置晶片的支撑孔板，清洗槽底部开设清洗液排放口。通过支撑孔板放置晶片，采用多根喷射支管向晶片喷射清洗液，无需注意晶片的摆放方式，喷射支管喷出的清洗液的冲力可充分洗刷晶片表面的泥污；清洗槽槽底的漏斗结构可避免清洗结束后泥污沉积在清洗槽内，清洗槽上可拆卸侧板的设置可满足清洗槽自身的清洁操作，在一次清洗作业结束后，可通过拆卸该可拆卸侧板来将清洗槽内壁的泥污清理掉。

Description

晶片清洗装置

技术领域

本实用新型涉及半导体元件加工技术领域，具体地，涉及一种晶片清洗装置。

背景技术

随通讯、电子和能源等领域的飞速发展，半导体晶片在未来具有非常广阔的市场前景。目前半导体衬底的加工工序一般包括切片、倒角、研磨、抛光和清洗。切片工序是将晶棒固定在切割台上利用切割泥浆在多线切割的技术上进行加工。因此，切片之后晶片上会有残留的泥浆，残留泥浆的主要成分是粉末物质（钻石粉、碳化硅和碳化硼）和切割油（植物油和矿物油）。从切割机上取出后晶片表面会有残留的泥浆，如果不清洗干净则容易造成晶片之间难以分离、碎片、划伤等质量问题。

公开号为CN211071042U的专利记载了一种多线切割晶片表面油砂清洗装置，晶片是安装在晶片固定块上，由翻转轴带动料台旋转进行清洗，采用该装置清洗晶片时还需增加晶片安装至晶片固定块上的步骤，将严重影响晶片生产效率，且对于体积较小的晶片来说，无法保证稳定安装至晶片固定块上，再者晶片在安装过程中还可能导致晶片损坏的问题。

发明内容

本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷，提供一种简易的、有效清洗晶片表面泥浆的晶片清洗装置。

本实用新型的目的通过以下技术方案实现：

一种晶片清洗装置，对切片后的晶片进行清洗，清洗装置包括清洗槽和朝清洗槽内喷射清洗液的水流喷射管，清洗槽内设有放置晶片的支撑孔板，清洗槽底部开设清洗液排放口。

进一步地，清洗槽槽底呈漏斗结构，清洗液排放口位于漏斗结构最低点处。

更进一步地，水流喷射管设置在清洗槽侧板上，水流喷射管包括水流供应总管和多根喷射支管。

进一步地，清洗槽的侧板中至少有一块为可拆卸侧板。

更进一步地，与可拆卸侧板相邻的两块侧板在与可拆卸侧板连接位置处设有凹槽，凹槽长度沿清洗槽高度方向延伸，凹槽供可拆卸侧板嵌插定位。

进一步地，清洗槽槽顶设有活动盖板。

进一步地，清洗装置还包括接收排放的清洗液的沉淀槽。

更进一步地，沉淀槽和清洗液排放口之间通过弯管接通。

再进一步地，沉淀槽内设有至少一块过滤板，过滤板将沉淀槽分成多个沉淀隔槽，弯管与沉淀槽第一端的沉淀隔槽连通，沉淀槽第二端的沉淀隔槽上开设有清洗液出口。

还进一步地，清洗液出口与水流喷射管之间连通。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

通过支撑孔板放置晶片，采用多根喷射支管向晶片喷射清洗液，无需注意晶片的摆放方式，喷射支管喷出的清洗液的冲力可充分洗刷晶片表面的泥污；

清洗槽槽底的漏斗结构可避免清洗结束后泥污沉积在清洗槽内，清洗槽上可拆卸侧板的设置可满足清洗槽自身的清洁操作，在一次清洗作业结束后，可通过拆卸该可拆卸侧板来将清洗槽内壁的泥污清理掉；

沉淀槽可实现清洗液的回收，沉淀槽内设置过滤板，使清洗液能经过多级沉淀过滤，最终从最后一级沉淀隔槽流出的清洗液可直接循环至水流喷射管内再利用，降低了清洗成本。

附图说明

图1为实施例1所述的晶片清洗装置的立体结构图（后侧方位视图）；

图2为实施例1所述的晶片清洗装置的立体结构图（前侧方位视图）；

图3为图2中去除可拆卸侧板后的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步的说明，其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本实用新型的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

实施例1

一种对切片后的晶片进行清洗的清洗装置，见图1所示，清洗装置包括清洗槽1和朝清洗槽内喷射清洗液的水流喷射管2，清洗槽1内设有放置晶片的支撑孔板3（见图3），支撑孔板3上密集均匀地开设有诸多通孔，清洗槽1底部开设清洗液排放口。其中，清洗槽整体为长方体结构，清洗槽的侧板中至少有一块为可拆卸侧板11，图2中示出了可拆卸侧板，可拆卸侧板11外侧安装有提拉把手12，以便拆装该可拆卸侧板；具体地，与可拆卸侧板11相邻的两块侧板在与可拆卸侧板连接位置处设有凹槽，凹槽横截面呈具有开口的口式结构，凹槽长度沿清洗槽高度方向延伸，可拆卸侧板可竖直嵌插进凹槽内进行定位安装。清洗槽1槽顶则设有活动盖板13，活动盖板可与侧板通过合页连接，也可以是直接盖在清洗槽槽顶，活动盖板13可便于即时打开观察晶片清洗状况。清洗液喷射进清洗槽1进行清洗时，可能会溅射在清洗槽槽壁上，通过将可拆卸侧板11取下，即可清洁清洗槽1内部。

如图3所示，清洗槽槽底呈漏斗结构14，清洗液排放口位于漏斗结构14最低点处，该漏斗结构可确保清洗过晶片的清洗液迅速下流排出，避免清洗液冲刷出的泥污沉积在清洗槽底部。

参见图1，水流喷射管2优选设置在清洗槽侧板（非可拆卸侧板）上，水流喷射管2包括水流供应总管21和多根喷射支管22，通过多根喷射支管22喷射清洗液，可保证足够的流量和喷射压力，确保晶片表面的残留物质被冲刷干净。各喷射支管22在贯穿清洗槽1侧壁的贯穿处需安装密封圈以防止清洗过程中清洗液溢出。

为提升清洗液的二次利用，清洗装置还包括有接收所排放清洗液的沉淀槽4，沉淀槽4和清洗液排放口之间通过弯管5接通，沉淀槽4上开设有清洗液出口41，清洗液出口41与水流喷射管2之间连通，即沉淀槽4内经过沉淀后的清洗液可再次进入清洗槽1内进行晶片清洗。

沉淀槽4内设有至少一块过滤板42，本实施例中过滤板为两块，两块过滤板42在沉淀槽4内均匀分布并将沉淀槽分三个沉淀隔槽43，弯管5与沉淀槽第一端的沉淀隔槽43（即一级沉淀隔槽）连通，清洗液出口41开设在沉淀槽第二端的沉淀隔槽43（即三级沉淀隔槽）底部。本沉淀槽采用多级过滤的方式使清洗液固液分离，有利于液体的循环利用和固体废弃物的处置。

清洗装置的具体工作过程如下：

1）将晶片从切割机上取下后，放入到清洗槽内的支撑孔板上，将活动盖板盖好，防止后续清洗过程中液体飞溅；

2）启动清洗装置后，从喷射支管处喷出植物油或者矿物油清洗液，在一定的流量下，晶片表面的粉状物质（泥污等）被冲走；

3）冲刷后的植物油或者矿物油清洗液与粉状物质的混合物通过漏斗结构槽底集液流入弯管，并最终进入沉淀槽内；

4）清洗液依次流经沉淀槽的一级沉淀隔槽、二级沉淀隔槽、三级沉淀隔槽进行过滤沉淀；

6）从三级沉淀隔槽的清洗液出口处流出的植物油或者矿物油继续进入水流供应总管内作为清洗液循环利用；

7）定期将粉状物质从一级沉淀隔槽、二级沉淀隔槽中取出。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型的技术方案所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶片清洗装置，对切片后的晶片进行清洗，其特征在于，清洗装置包括清洗槽和朝清洗槽内喷射清洗液的水流喷射管，清洗槽内设有放置晶片的支撑孔板，清洗槽底部开设清洗液排放口。

2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗槽槽底呈漏斗结构，所述清洗液排放口位于漏斗结构最低点处。

3.根据权利要求1或2所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述水流喷射管设置在清洗槽侧板上，所述水流喷射管包括水流供应总管和多根喷射支管。

4.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗槽的侧板中至少有一块为可拆卸侧板。

5.根据权利要求4所述的晶片清洗装置，其特征在于，与所述可拆卸侧板相邻的两块侧板在与可拆卸侧板连接位置处设有凹槽，凹槽长度沿清洗槽高度方向延伸，凹槽供可拆卸侧板嵌插定位。

6.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗槽槽顶设有活动盖板。

7.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括接收排放的清洗液的沉淀槽。

8.根据权利要求7所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述沉淀槽和清洗液排放口之间通过弯管接通。

9.根据权利要求8所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述沉淀槽内设有至少一块过滤板，过滤板将沉淀槽分成多个沉淀隔槽，所述弯管与沉淀槽第一端的沉淀隔槽连通，沉淀槽第二端的沉淀隔槽上开设有清洗液出口。

10.根据权利要求9所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗液出口与水流喷射管之间连通。

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