CN214845849U - 一种抗静电的ar膜 - Google Patents
一种抗静电的ar膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN214845849U CN214845849U CN202120876544.XU CN202120876544U CN214845849U CN 214845849 U CN214845849 U CN 214845849U CN 202120876544 U CN202120876544 U CN 202120876544U CN 214845849 U CN214845849 U CN 214845849U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- coating
- antistatic
- substrate
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种抗静电的AR膜，包括基材层，所述基材层的双面通过涂布工艺分别设有上底涂层和下底涂层，所述上底涂层和下底涂层上通过涂布工艺分别设有上IM层和下IM层，所述上IM层上通过涂布工艺设有AR树脂层，所述AR树脂层上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层，所述上镀层上贴设有上CPP保护膜，所述下IM层上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层，所述下镀层上贴设有下CPP保护膜，可将基材透过率从89%提高到99%以上，并且可以广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上，表面阻抗达到10+6ohm，抗静电果佳效。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种抗静电的AR膜。
背景技术
目前人们发现、常用的材料有氟化镁、二氧化钛、二氧化硅、三氧化二铝、二氧化锆、ZnSe、ZnS陶瓷红外光红外增透膜、乙烯基倍半硅氧烷杂化膜等。
由于一般光学介质都是玻璃，并在空气中使用，那增透膜的折射率应接近1.23。现实中折射率小于氟化镁（折射率为1.38）的镀膜材料很少见，而且像氟化镁那样很好的满足各种条件的材料更是稀少。因此，现在一般都用氟化镁镀制增透膜。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种抗静电的AR膜。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案是：一种抗静电的AR膜，一种抗静电的AR膜，包括基材层，所述基材层的双面通过涂布工艺分别设有上底涂层和下底涂层，所述上底涂层和下底涂层上通过涂布工艺分别设有上IM层和下IM层，所述上IM层上通过涂布工艺设有AR树脂层，所述AR树脂层上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层，所述上镀层上贴设有上CPP保护膜，所述下IM层上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层，所述下镀层上贴设有下CPP保护膜。
在某些实施方式中，所述基材层为PET层，PC层或者TAC层，所述基材层的厚度为50um、100um、125um或者188um，透光率在90%以上。
在某些实施方式中，所述AR树脂层的厚度80-90nm，折射率为1.34。
在某些实施方式中，所述上镀层为ITO层,AZO层或者ZnO层,阻抗10+6ohm到10+8ohm，厚度为0.5-4nm。
本实用新型的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的（但不限于）具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
（1）本实用新型提供的一种抗静电的AR膜可将基材透过率从89%提高到99%以上，并且可以广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上。
（2）本实用新型提供的一种抗静电的AR膜表面阻抗达到10+6ohm，抗静电效果佳。
附图说明
图1为本实用新型实施例的构造示意图；
其中:10、基材层； 11、上底涂层；12、上IM层；13、AR树脂层；14、上镀层；15、上CPP保护膜；16、下底涂层；17、下IM层；18、下镀层；19、下CPP保护膜。
具体实施方式
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的产品状态为基准的，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
如图1所示，一种抗静电的AR膜，包括基材层10，所述基材层10的双面通过涂布工艺分别设有上底涂层11和下底涂层16，所述上底涂层11和下底涂层16上通过涂布工艺分别设有上IM层12和下IM层17，所述上IM层12上通过涂布工艺设有AR树脂层13，所述AR树脂层13上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层14，所述上镀层14上贴设有上CPP保护膜15，所述下IM层17上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层18，所述下镀层18上贴设有下CPP保护膜19。
所述基材层10为PET层，所述基材层10的厚度为100um，透光率在90%以上。
所述AR树脂层13的厚度85nm，折射率为1.34。
所述上镀层14、下镀层18分别为ITO层,阻抗10+6ohm到10+8ohm，厚度为2nm。
所述上底涂层11和所述下底涂层16分别为丙烯酸树脂层，还可以是聚氨酯树脂层或者有机硅树脂层。
一种制备用于电致变色的装饰膜的方法，包括以下步骤：
步骤一：在所述基材层10的上表面上通过涂布工艺涂设所述上底涂层11；
步骤二：在所述基材层10的下表面上通过涂布工艺涂设所述下底涂层16；
步骤三：在所述上底涂层11上通过涂布工艺涂设所述上IM层12；
步骤四：在所述下底涂层16上通过涂布工艺涂设所述下IM层17；
步骤五：在所述上IM层12上通过通过涂布工艺涂设所述AR树脂层13；
步骤六：在所述AR树脂层13上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层14；
步骤七：在所述上镀层14上贴覆所述上CPP保护膜15；
步骤八：在下IM层17上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层18；
步骤九：在所述下镀层18上贴覆所述下CPP保护膜19，制作完成。
该抗静电的AR膜在高透基材上打样，可将基材透过率从89%提高到99%以上，并且可以广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上。可以在可见光范围内将透过率提高到98%以上，在涂布HC层的PET基材上打样，可以有效提高透过率至98%。表面阻抗达到10+6ohm，抗静电效果佳。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种抗静电的AR膜，包括基材层（10），其特征在于：所述基材层（10）的双面通过涂布工艺分别设有上底涂层（11）和下底涂层（16），所述上底涂层（11）和下底涂层（16）上通过涂布工艺分别设有上IM层（12）和下IM层（17），所述上IM层（12）上通过涂布工艺设有AR树脂层（13），所述AR树脂层（13）上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层（14），所述上镀层（14）上贴设有上CPP保护膜（15），所述下IM层（17）上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层（18），所述下镀层（18）上贴设有下CPP保护膜（19）。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电的AR膜，其特征在于：所述基材层（10）为PET层，PC层或者TAC层，所述基材层（10）的厚度为50um、100um、125um或者188um，透光率在90%以上。
3.根据权利要求1所述的一种抗静电的AR膜，其特征在于：所述AR树脂层（13）的厚度80-90nm，折射率为1.34。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电的AR膜，其特征在于：所述上镀层（14）为ITO层,AZO层或者ZnO层,阻抗10+6ohm到10+8ohm，厚度为0.5-4nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120876544.XU CN214845849U (zh) | 2021-04-26 | 2021-04-26 | 一种抗静电的ar膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120876544.XU CN214845849U (zh) | 2021-04-26 | 2021-04-26 | 一种抗静电的ar膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN214845849U true CN214845849U (zh) | 2021-11-23 |
Family
ID=78769307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202120876544.XU Active CN214845849U (zh) | 2021-04-26 | 2021-04-26 | 一种抗静电的ar膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN214845849U (zh) |
-
2021
- 2021-04-26 CN CN202120876544.XU patent/CN214845849U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5585143B2 (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル | |
| US11137521B2 (en) | Antireflective film-attached transparent substrate, and display apparatus using same | |
| JP5549216B2 (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル | |
| WO2019225450A1 (ja) | 防眩性透明基体およびそれを備える表示装置 | |
| WO2021227634A1 (zh) | 仿陶瓷电子设备壳体及其制备方法和电子设备 | |
| JP5235315B2 (ja) | 透明電極付き基板の製造方法 | |
| JP2011175900A (ja) | 透明導電性積層体及びその製造方法 | |
| JP2023027141A (ja) | 反射防止膜付透明基体および画像表示装置 | |
| JP2017074792A (ja) | 透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| JP4826007B2 (ja) | タッチパネル | |
| CN214845849U (zh) | 一种抗静电的ar膜 | |
| JP2014106779A (ja) | 透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| CN209674148U (zh) | 一种显示模组结构 | |
| CN112987135A (zh) | 一种抗静电的ar膜及其制备方法 | |
| JP2023105806A (ja) | 反射防止膜付透明基体および画像表示装置 | |
| JPH1185396A (ja) | タッチパネルの基板用低反射ガラス | |
| CN104044320B (zh) | 一种有机透明基板及其制造方法 | |
| CN113422854A (zh) | 一种双纹理效果复合板手机后盖及其制造方法 | |
| CN208035577U (zh) | 一种光学玻璃制品及电子产品外壳 | |
| JPH04191801A (ja) | 光学部品 | |
| CN110109207A (zh) | 一种多色感光雷达镀膜结构及镀膜方法 | |
| CN217385868U (zh) | 一种增透减反射ar膜 | |
| CN211454138U (zh) | 一种新型镜片结构 | |
| CN212392009U (zh) | 一种耐划伤高透过的ito透明导电膜 | |
| US20230229037A1 (en) | Anti-reflective film-attached transparent substrate and image display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |