CN214611513U - 一种mems半导体器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种MEMS半导体器件。该半导体器件包括衬底层、依次镀制在所述衬底层上的铝垫层、TiN过渡层、Ti层和TiN层，形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构。本实用新型通过在铝垫层上增加TiN过渡层，消除了Ti对Al退火的影响，解决了退火后铝垫层无麻点的问题，提高了铝垫的打线成功率。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种MEMS半导体器件。
背景技术
半导体封装程序是用来提供一种封装构造保护半导体芯片，使半导体芯片在通电运作时能避免发生外力撞击、灰尘污染、受潮或氧化等问题，以便利用封装构造提升半导体芯片的使用可靠度及延长其使用寿命。在现有的半导体封装制造过程中，通常先取得半导体晶圆并对其进行晶圆测试，通过测试后的半导体晶圆会被切割成数个半导体芯片，而各半导体芯片随后被黏固在导线架或基板上，以进行打线结合程序。最后，再利用封胶材料包覆半导体芯片、导线以及导线架或基板的部分表面，如此即可大致完成半导体封装构造的半成品。
在镀制Al/Ti/TiN膜层结构的MEMS半导体器件时，在退火后，铝垫层常常会出现无麻点异常，从而导致打线异常，影响封装效果，浪费时间和人力成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种MEMS半导体器件，通过在Al/Ti/TiN膜层结构的铝垫层上增加TiN过渡层，消除了Ti对Al退火的影响，解决了铝垫在退火后无麻点的问题。
为达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
本实用新型提出了一种MEMS半导体器件，包括衬底层、依次镀制在所述衬底层上的铝垫层、TiN过渡层、Ti层和TiN层，形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构。
进一步的，所述铝垫层的厚度为1200埃，所述TiN过渡层的厚度为50埃，所述Ti层的厚度为200埃，所述TiN层的厚度为200埃。
进一步的，所述衬底层为硅基衬底。
本实用新型的有益效果在于：金属Al在退火时，会释放应力，晶粒间界扩散使得晶粒长大，晶粒间挤压而形成麻点。
在Al/Ti/TiN膜层结构中，退火后Ti与Al会形成合金，阻碍了Al的再结晶及应力释放，导致Al表面无麻点。并且形成的TiAl合金表面较光滑，当金属层比较薄时，不易打线。
本实用新型提出的MEMS半导体器件结构，通过在铝垫层上增加TiN过渡层，消除了Ti对Al退火的影响，解决了退火后铝垫层无麻点的问题，提高了铝垫的打线成功率。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为实施例1中的MEMS半导体器件结构示意图。
图2为对比例1中的MEMS半导体器件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
参见图1，本实施例提出的一种MEMS半导体器件，包括衬底层(未图示)、依次镀制在衬底层上的铝垫层100、TiN过渡层110、Ti层120和TiN层130，形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构。
其中，铝垫层100的厚度为1200埃，TiN过渡层110的厚度为50埃，Ti 层120的厚度为200埃，TiN层130的厚度为200埃。
在此膜层结构下，退火后铝垫表面有麻点，有利于打线成功。
对比例1
参见图2，本对比例示出的一种传统的MEMS半导体器件，包括衬底层(未图示)、依次镀制在衬底层上的铝垫层100、Ti层120和TiN层130，形成Al/Ti/TiN 的膜层结构。
其中，铝垫层100的厚度为1200埃，Ti层120的厚度为200埃，TiN层130 的厚度为200埃。
对比例1在实施例1的基础上减少了TiN过渡层110，在此膜层结构下，退火后铝垫表面光滑无麻点，不易打线。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (2)
1.一种MEMS半导体器件，其特征在于，包括衬底层、依次镀制在所述衬底层上的铝垫层、TiN过渡层、Ti层和TiN层，形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构；所述铝垫层的厚度为1200埃，所述TiN过渡层的厚度为50埃，所述Ti层的厚度为200埃，所述TiN层的厚度为200埃。
2.如权利要求1所述的MEMS半导体器件，其特征在于，所述衬底层为硅基衬底。
Priority Applications (1)
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| CN202120013118.3U CN214611513U (zh) | 2021-01-05 | 2021-01-05 | 一种mems半导体器件 |
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Publications (1)
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| CN214611513U true CN214611513U (zh) | 2021-11-05 |
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| CN202120013118.3U Active CN214611513U (zh) | 2021-01-05 | 2021-01-05 | 一种mems半导体器件 |
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| CN (1) | CN214611513U (zh) |
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2021
- 2021-01-05 CN CN202120013118.3U patent/CN214611513U/zh active Active
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