CN214592683U - 一种电磁屏蔽层及电磁屏蔽腔室 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于电磁屏蔽技术领域，具体涉及一种电磁屏蔽层及电磁屏蔽腔室。一种电磁屏蔽层，从上到下依次包括第一聚酰亚胺保护层、第一银纳米线层、聚酰亚胺衬底、第二银纳米线层、第二聚酰亚胺保护层，第一聚酰亚胺保护层的厚度为9‑11μm、第一银纳米线层的厚度为28‑32nm，聚酰亚胺衬底的厚度为120‑130μm，第二银纳米线层的厚度为28‑32nm，第二聚酰亚胺保护层的厚度为9‑11μm。本实用新型中的电磁屏蔽层采用聚酰亚胺与银纳米线复合的电磁屏蔽膜，利用聚亚酰胺层机械性能高、抗高温以及银纳米线质量轻、透过率高的特点，得到了一种轻质、寿命长且可卷曲的电磁屏蔽层。

Description

一种电磁屏蔽层及电磁屏蔽腔室

技术领域

本实用新型属于电磁屏蔽技术领域，具体涉及一种电磁屏蔽层及电磁屏蔽腔室。

背景技术

随着电子技术的飞速发展，人们可以利用电磁技术沟通、交流、网上冲浪，电磁技术给人类生活提供了极大的便利。但是随着电磁屏蔽技术的发展，电磁屏蔽技术也给我们带来了不利因素，电磁干扰不仅会影响电子社会的正常工作，还可能会威胁我们的身体健康。因此电磁屏蔽材料的作用日趋重要，现有技术中的电磁屏蔽材料是由金属材料构成的，金属材料构成的电磁屏蔽材料存在重量重、易受腐蚀、加工难度大等问题。可见现有技术中亟需一种新型的电磁屏蔽材料来解决上述问题。此外现有技术中的电磁屏蔽材料还存在应用场景单一，使用范围小等问题。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种聚酰亚胺与银纳米线复合的电磁屏蔽层。本实用新型提供的电磁屏蔽层质量轻、耐腐蚀且易加工。本实用新型采用如下技术方案。

一种电磁屏蔽层，从上到下依次包括第一聚酰亚胺保护层、第一银纳米线层、聚酰亚胺衬底、第二银纳米线层、第二聚酰亚胺保护层，第一聚酰亚胺保护层的厚度为9-11μm、第一银纳米线层的厚度为28-32nm，聚酰亚胺衬底的厚度为120-130μm，第二银纳米线层的厚度为28-32nm，第二聚酰亚胺保护层的厚度为9-11μm。

进一步的，电磁屏蔽层为长方体。

进一步的，电磁屏蔽层外围设有边框。

进一步的，边框上设置有若干通孔。

进一步的，边框上设置有若干卡扣。

电磁屏蔽层可以通过通孔和卡扣组装成不同的形状，来应用于不同的场景。

进一步的，卡扣为金属卡扣。

进一步的，边框为金属边框。

进一步的，边框为铜薄膜边框。

进一步的，金属薄膜边框的制备方法为将第一聚酰亚胺保护层上表面以及第二聚酰亚胺保护层下表面的边缘进行等离子预处理，并用氯化铅敏化，然后用金属盐电镀液化学镀形成金属薄膜边框。

一种电磁屏蔽腔室，由上述的电磁屏蔽层拼接形成。

与现有技术相比，本实用新型达到如下有益效果。

(1)本实用新型中的电磁屏蔽层采用聚酰亚胺层与银纳米线层复合的电磁屏蔽层并对银纳米线层以及聚酰亚胺层的厚度进行限定在保证电磁屏蔽层具有电磁屏蔽效果的同时整体较轻薄；

(2)本实用新型利用聚亚酰胺层机械性能高、抗高温以及银纳米线质量轻、透过率高的特点，得到了一种轻质、寿命长且可卷曲的电磁屏蔽层；

(3)本实用新型制备的电磁屏蔽层具有模块化的特点，通过边框上的通孔和卡扣可以进行组装，可适应更多场景下的应用。

附图说明

为了更清楚的说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1为本实用新型一种实施方式中电磁屏蔽层的截面图；

图2为本实用新型一种实施方式中卡扣的结构示意图；

图3为本实用新型一种实施方式中具有边框、通孔和卡扣的结构示意图；

图4为本实用新型另一种实施方式中卡扣的结构示意图；

图5为本实用新型另一种实施方式中具有边框、通孔和卡扣的结构示意图；

图6为本实用新型一种实施方式中一种电磁屏蔽腔室的结构示意图；

其中，1-第一聚酰亚胺保护层、2-第一银纳米线层、3-聚酰亚胺衬底、4-第二银纳米线层、5-第二聚酰亚胺保护层、6-边框、61-通孔、62-卡扣、621-接引脚、622-扣勾。

具体实施方式

下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通的技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型的保护范围。

作为本实用新型的一种实施方式，如图1所示，一种电磁屏蔽层，从上到下依次包括第一聚酰亚胺保护层1、第一银纳米线层2、聚酰亚胺衬底3、第二银纳米线层4、第二聚酰亚胺保护层5，第一聚酰亚胺保护层1的厚度为9-11μm、第一银纳米线层2的厚度为28-32nm，聚酰亚胺衬底3的厚度为120-130μm，第二银纳米线层4的厚度为28-32nm，第二聚酰亚胺保护层5的厚度为9-11μm。

具体的，第一聚酰亚胺保护层1的厚度为10μm、第一银纳米线层2的厚度为30nm，聚酰亚胺衬底3的厚度为125μm，第二银纳米线层4的厚度为30nm，第二聚酰亚胺保护层5的厚度为10μm。本实用新型通过对电磁屏蔽层中银纳米线层以及聚酰亚胺层的厚度进行限定，使电磁屏蔽层在保持电磁屏蔽性能优异的同时透过率好，雾度低。

进一步的，电磁屏蔽层为长方体。具体的，将电磁屏蔽层裁剪为长和宽分别为100mm的长方体形电磁屏蔽层。生活中常用的空间为长方体形的，将电磁屏蔽层裁剪成长方体形的便于组装成长方体腔室。

进一步的，电磁屏蔽层外围设有边框6。在电磁屏蔽层的外围设置边框6，可以便于电磁屏蔽层的组装。

进一步的，边框6设置于电磁屏蔽层一个面的外围。具体的，表框6固定于电磁屏蔽层中第一聚酰亚胺保护层1上表面边缘或者固定于电磁屏蔽层中第二聚酰亚胺保护层5下表面的边缘。

作为本实用新型的另一种实施方式，电磁屏蔽层的两面均可设置边框6，即电磁屏蔽层中第一聚酰亚胺保护层1上表面边缘和电磁屏蔽层中第二聚酰亚胺保护层5下表面的边缘均设有边框6。

作为本实用新型的再一种实施方式，电磁屏蔽层的两面外围以及厚度方向上镶嵌有边框6，边框6的截面为“U”型，边框6通过狭缝卡接在电磁屏蔽层的四周边缘。

进一步的，边框6为金属边框。金属导电性良好，可以使电磁屏蔽层在组装的过程中每两个电磁屏蔽层之间能够导电。

进一步的，边框6上设置有若干通孔61。当电磁屏蔽层需要组装使用时，可以通过通孔61对相邻的两个电磁屏蔽层进行固定。具体的，可以通过绑扎带穿过通孔61来对两个电磁屏蔽层进行固定。具体的，绑扎带为金属绑扎带。

进一步的，边框6上设置有若干卡扣62。卡扣62与边框6固定连接。

如图2-3所示，作为本实用新型的一种实施方式，电磁屏蔽层的上下表面的外围设置有边框6，边框6为金属薄膜边框，具体为铜薄膜边框，铜薄膜边框的制备方法为将第一聚酰亚胺保护层1上表面外围以及第二聚酰亚胺保护层5下表面的外围进行等离子预处理，并用氯化铅敏化，然后用硫酸铜电镀液化学镀形成铜薄膜边框。在铜金属薄膜的制作过程中，会破坏第一聚酰亚胺保护层1以及第二聚酰亚胺保护层5，使铜薄膜边框与第一银纳米线层2以及第二银纳米线层4接触，实现导电。卡扣62一端为接引脚621，另一端为两个扣勾622，两个扣勾622向外凸起。本实用新型的长方体形电磁屏蔽层相对的两边边框6通过接引脚621与卡扣62焊接，另两边的边框6上设置有与卡扣62配合的通孔61。在应用过程中卡扣62上的两个扣勾622向外凸起的部分与另一电磁屏蔽层上通孔61扣合来实现电磁屏蔽层的组装。

如图4-5所示，作为本实用新型的另一种实施方式，卡扣62一端为接引脚621，另一端为两个扣勾622，两个扣勾622向内凹陷。本实用新型的长方体形电磁屏蔽层相对的两边边框6通过接引脚621与卡扣62焊接，另两边的边框上设置有与卡扣62配合的通孔61。在应用过程中卡扣62上的两个扣勾622向外凹陷的部分与另一电磁屏蔽层上通孔61扣合来实现电磁屏蔽层的组装。

进一步的，卡扣62为金属卡扣。

金属的卡扣可以使组装成的电磁屏蔽腔室导电性能良好，保证电磁屏蔽腔室可以形成导电环路。

如图6所示，一种电磁屏蔽腔室，采用上述电磁屏蔽层拼接而成。电磁屏蔽腔室可对整个空间进行电磁屏蔽。

根据国标《GJB 6190-2008电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法》对电磁屏蔽腔室的电磁屏蔽性进行测试。测试结果如表1所示。

表1电磁屏腔室的电磁屏蔽性能测试结果

频段/MHz	300	600	900	1200
					屏蔽效能/dB	70	74	75	68

综上所述，本实用新型提供了一种电磁屏蔽腔室对不同频段的电磁波均具有屏蔽效果且本实用新型提供的电磁屏蔽层可弯折卷曲。此外本实用新型提供的电磁屏蔽层通过在电磁屏蔽层的四周的上下表面增加表框，且通过在边框上设置通孔和卡扣使电磁屏蔽层可以组装成不同的形状，应用场景更加丰富。

以上借助具体实施例对本实用新型做了进一步描述，但是应该理解的是，这里具体的描述，不应理解为对本实用新型的实质和范围的限定，本领域内的普通技术人员在阅读本说明书后对上述实施例做出的各种修改，都属于本实用新型所保护的范围。

Claims (9)

1.一种电磁屏蔽层，其特征在于，从上到下依次包括第一聚酰亚胺保护层、第一银纳米线层、聚酰亚胺衬底、第二银纳米线层、第二聚酰亚胺保护层，所述第一聚酰亚胺保护层的厚度为9-11μm、所述第一银纳米线层的厚度为28-32nm，所述聚酰亚胺衬底的厚度为120-130μm，所述第二银纳米线层的厚度为28-32nm，所述第二聚酰亚胺保护层的厚度为9-11μm。

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽层，其特征在于，所述银纳米线层中所涂布的银纳米线的长度为30μm-100μm，直径为8nm-30nm。

3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽层，其特征在于，为长方体。

4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽层，其特征在于，所述电磁屏蔽层外围设有边框。

5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽层，其特征在于，所述边框上设置有若干通孔。

6.根据权利要求5所述的电磁屏蔽层，其特征在于，所述边框上设置有若干卡扣。

7.根据权利要求6所述的电磁屏蔽层，其特征在于，所述边框为金属边框。

8.根据权利要求7所述的电磁屏蔽层，其特征在于，所述卡扣为金属卡扣。

9.一种电磁屏蔽腔室，其特征在于，包括若干个权利要求1-8任一项所述的电磁屏蔽层，并由若干所述电磁屏蔽层拼接形成电磁屏蔽腔室。

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