CN211352978U - 一种高屏蔽效能的电磁屏蔽膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及挠性线路板用的电磁屏蔽膜技术领域，具体涉及一种高屏蔽效能的电磁屏蔽膜及其生产工艺，其技术方案要点是：包括依次设置的绝缘层、金属屏蔽层以及导电胶层，绝缘层一侧呈网络状，金属屏蔽层与绝缘层连接的一侧呈与绝缘层相适配的网络状。本实用新型的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜及其生产工艺，独特的屏蔽体结构使得本实用新型的电磁屏蔽膜的屏蔽效能高达75db。同时，填充于网格状绝缘层一侧的金属屏蔽层，由于其特殊的网格状工艺特性，不同于以往刚性的平板状金属屏蔽层结构特性，能够让金属屏蔽层的抗弯折性能更突出，体现出极好的挠性。除此之外，相对于同类产品，本实用新型工艺简单易于实施，成本相对更低，更具量产性。

Description

一种高屏蔽效能的电磁屏蔽膜

技术领域

本实用新型涉及挠性线路板用的电磁屏蔽膜技术领域，具体涉及一种高屏蔽效能的电磁屏蔽膜。

背景技术

随着现代电子产业化的快速发展，大量电子电器设备广泛应用于工业生产和人们的日常生活中，从而大大促进了工业技术的发展和改善了人们的生活质量。然而，电子电器设备在使用过程中会辐射大量的电磁波，这对电子设备的正常运行和人类的生存环境造成了不可忽视的危害。因此，防止电磁波的污染已经成为当今科学研究的一大热点之一。电磁辐射对电子设备的危害主要表现为电磁波对电子设备或电子元器件的干扰，或者对数字传输系统辐射出电磁波造成信息泄露。电磁波对人类健康的危害则表现为电磁波长期辐射所诱发的各类疾病。因此，如何有效抑制电磁波辐射对电子电器设备的干扰，保护人类不受电磁波辐射的危害，已经成为21世纪科学研究和工业产品开发的重要任务之一。

抑制电磁辐射最为简单和有效的方法，就是利用屏蔽材料来抑制电磁波的辐射。屏蔽材料通过与空气之间的阻抗差来实现对电磁波的反射，或通过自身的电磁感应来实现对电磁波的涡流衰减，以达到吸收的目的。目前，对于挠性线路板行业，主要靠贴合电磁屏蔽膜来实现抑制来自板间不同信号的电磁噪声辐射。

现有技术的电磁屏蔽膜的屏蔽效能一般在40-60dB左右。例如专利申请公布号为CN106003916A的中国发明专利公开了一种电磁屏蔽膜，其说明书记载的各个实施例屏蔽效能在50-60dB之间。为了增强电磁屏蔽膜的屏蔽效果，部分电磁屏蔽膜厂家通过增加其胶层和金属层厚度的方法来实现高屏蔽的目的，例如专利授权公告号为CN207070596U的中国实用新型专利，其说明书中即有公开一种将金属屏蔽层设置成多层的技术方案。然而，这样一来，一方面导致了工艺的复杂性，同时，也大大增加了材料和生产成本。另一方面，较厚的金属层，由于其刚性增强，导致在挠性线路板在多次弯折之后，容易发生电磁屏蔽膜金属层脆断问题，从而导致屏蔽效能的下降和接地电阻的增大。

基于此，做出本专利申请。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的设计目的之一在于提供一种厚度比较薄、电磁屏蔽性能高，且抗弯折性能好的电磁屏蔽膜。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种高屏蔽效能的电磁屏蔽膜，包括依次设置的绝缘层、金属屏蔽层以及导电胶层，所述绝缘层一侧呈网络状，所述金属屏蔽层与绝缘层连接的一侧呈与绝缘层相适配的网络状。

通过采用上述技术方案，与现有的技术相比，本实用新型所提供的高屏蔽效能的电磁屏蔽膜，将绝缘层一侧设计成网格状，金属屏蔽层一侧填充在绝缘层的网格空隙内，变成网格状的金属屏蔽层，在金属屏蔽层背离绝缘层的一侧设置导电胶层，由于其特殊的网格状特性，不同于以往刚性的平板状金属屏蔽层结构特性，能够让金属屏蔽层的抗弯折性能更突出，体现出极好的挠性。网格状金属屏蔽层与导电胶层将电路板线路导通接地。此外，网格状的金属屏蔽层与导电胶层一起形成连续、完整、立体的网格状电磁波屏蔽体结构，能够将电磁波两次反射或抑制在网格状屏蔽层内，导电胶层再将多余的电荷引离释放。独特的屏蔽体结构使得本实用新型的电磁屏蔽膜的屏蔽效能高达75db。网格状的金属层结构能够避免金属层在弯折时发生脆断的不利影响。让电磁屏蔽膜的抗弯折性能更突出，体现出极好的挠性。绝缘层的作用是防止电荷溢出，可以减少爬电、短路等情况发生。

优选的，所述电磁屏蔽膜还包括载体膜，所述载体膜设置在网格绝缘层远离金属屏蔽层的一侧。

通过采用上述技术方案，载体膜可以起到支撑作用，以及可以为绝缘层的运输过程或者加工过程提供保护。

优选的，所述载体膜材质为非硅离型膜，所述载体膜为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。

通过采用上述技术方案，选用聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜主要作用便是有利于载体膜与绝缘层更好地连接在一起，由聚酯薄膜或聚酰亚胺涂布非硅离型剂构成的非硅离型膜，较一般的涂布有机硅离型剂形成的有机硅体系的离型膜，具有更好离型、更好分离的效果。载体膜若使用有机硅体系的离型膜，有机硅离型剂需要贴附在绝缘层上，此时会存在硅转移的风险，即一定量的硅分子转移到绝缘层表面，这些硅分子会导致绝缘层表面的印刷性能下降，不利于对绝缘层进行印刷，而使用非硅离型膜，则不存在该种风险。

优选的，所述载体膜的厚度在30μm-80μm之间。

优选的，所述电磁屏蔽膜还包括保护膜，所述保护膜设置在导电胶层远离金属屏蔽层的一侧。

通过采用上述技术方案，保护膜对导电胶层有保护作用，可以作为产品的后续加工保护。另外，还可以防止异物或杂质污染导电胶层。

优选的，所述保护膜为有机硅体系的离型膜。

通过采用上述技术方案，有机硅体系的离型膜成本价约在1-2元/平方米，其成本相对较低，且能够满足保护膜在各方面的性能要求。

优选的，所述保护膜为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。

通过采用上述技术方案，聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜容易在市面上获得，是较好的保护膜材料。

优选的，所述保护膜厚度在50μm-80μm。

优选的，所述绝缘层由树脂材质制得。

通过采用上述技术方案，树脂制得的绝缘层，能够较好地加工出网格状的侧面，而另一侧面能够较好地载体膜粘结在一起。用树脂加工出来的网格状侧面，较其他材料得加工出网格状侧面有顺应性好和填充性好的优点，并且具有较好的耐回流焊性能。

优选的，制得所述绝缘层的树脂为丙烯酸树脂、聚氨酯、环氧树脂中的其中一种。

通过采用上述技术方案，丙烯酸树脂、聚氨酯、环氧树脂均为廉价易得，易于加工的树脂，选用上述几种树脂，保护膜的制作成本更加低廉。

优选的，所述绝缘层外表面背离网格状的一侧提供可印刷性能。

通过采用上述技术方案，具有可印刷性的一侧能够印刷各种油墨字符。

优选的，所述绝缘层的厚度在3μm-15μm之间。

优选的，所述金属屏蔽层为两种不同的导电金属材质构成的复合金属层。

通过采用上述技术方案，不同材质构成的双层金属层，其屏蔽性能、抗腐蚀和抗氧化性能更突出。

优选的，导电金属材质可以是镍、铬、铜、银、金中的中的一种。

通过采用上述技术方案，镍与铜的导电性能良好，能够满足金属层的导电要求，其成本较为低廉，并且电镀铜、电镀镍的工艺均较为简单；铬在满足导电性能的同时，具有更好的耐磨性；金与银的稳定性、耐磨性和导电性均在一个较高的水平上。

优选的，所述金属屏蔽层厚度在0.1μm-5μm。

优选的，所述导电胶层是全方位导电胶层。

通过采用上述技术方案，全方位导电胶可以进一步反射电磁波或衰减电磁波，提升电磁屏蔽性能，这是由于全方位导电胶层是X向、Y向和Z向三个方向均可以导电，一部分的电磁波遇到X向与Y向的导电粒子会产生一定量的反射，这些被导电胶反射的电磁波能够被金属层再次吸收，进而达到增强屏蔽膜的屏蔽效能的效果。

优选的，所述导电胶层填充有导电粒子，导电粒子可以为镍、铜、银、金或者是镍包铜、银包铜、银包石墨至少其中一种。

通过采用上述技术方案，镍与铜的导电性能优异，且较为廉价，作为导电粒子，能够较好地满足导电的要求，并最实现电磁屏蔽效果，银与金作为导电胶层内的导电粒子，其导电效果最最佳，导电稳定性最佳。

优选的，所述导电粒子的粒子直径选取在1μm-20μm之间，导电粒子占导电胶的填充比可以在10%-40%之间。

通过采用上述技术方案，导电粒子的粒径和填充比选择关乎到导电胶层整体的导电性能，如果导电粒子的粒径过小，则导电粒子相互较难交联在一起实现其导电的功能，如果导电粒子选择过大，则会使导电胶粘性不够，不能够较好地贴附在需要贴附的位置。导电粒子占导电胶的填充比不宜过大，过大的导电粒子填充比会使导电胶含量偏低，进而导致导电将粘性不够，导电粒子占导电胶的填充比同样不宜过小，过小的导电粒子填充比会导电胶层整体导电性能不足。导电粒子填充比和粒径均选择在本申请文件记载的范围中，能够保证导电胶层的导电性能，进而达到提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能的效果。

优选的，所述导电胶层的厚度在3μm-20μm之间。

本实用新型的目的之二在于提供一种电磁屏蔽膜的生产工艺，工艺简单易于实施，成本相对更低，更具量产性。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案实现的，一种电磁屏蔽膜的生产工艺，具体工艺步骤包括以下几点：

步骤a，在载体膜的一侧涂布绝缘树脂，形成网格状的绝缘层；

步骤b，在网格状绝缘层网格状的一侧电镀导电金属，形成网格状金属屏蔽层；

步骤c，在网格金属屏蔽层表面背离绝缘层的一侧涂布导电胶，形成导电胶层；

步骤d，在导电胶层表面背离金属屏蔽层的一侧以贴合的方式，形成保护膜。

通过上述技术方案，能够在较低的成本，制作出屏蔽效能较好的电磁屏蔽膜，并能够适用于工业上进行量产的需求。

综上所述，本实用新型具有以下有益效果：

其一，本实用新型拥有更好的电磁屏蔽效能，能达到70-75dB；

其二，本实用新型金属屏蔽层的抗弯折性能更突出，拥有极好的挠性；

其三，本实用新型工艺简单易于实施，成本相对更低，更具量产性。

附图说明

图1是本实施例的结构示意图；

图2是对电磁屏蔽膜进行接地电阻检测时的结构示意图。

图中：1、载体膜；2、网格绝缘层；3、金属屏蔽层；4、导电胶层；5、保护膜；6、测试孔；7、CVL覆盖膜；8、挠性覆铜板。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型进行详细描述。

如图1 所示，本实用新型提供的高屏蔽效能的电磁屏蔽膜，其产品结构分别包括如下：载体膜1、网格状绝缘层2、网格状金属屏蔽层3、导电胶层4、保护膜5。

本实施例的载体膜1选用非硅离型膜，其薄膜材质可以为聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜等的其中一种。载体膜选用聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜的非硅离型膜主要作用是便于形成绝缘层2，本实施例中的绝缘层是由树脂制成，树脂制成的绝缘层能够更好地连接在聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜的表面上。除此之外，载体膜还可起支撑作用，以及作为绝缘层2的运输过程或者加工过程提供保护。作为优选，载体膜的厚度可以在30μm~80μm之间，最优的，可以为47~53μm。

所述绝缘层2呈网格状，涂布于载体膜1的任一侧。作为优选，制作绝缘层的树脂可以为丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或者环氧树脂中的其中一种，这里的丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或者环氧树脂还可以根据实际使用的情况添加固化剂、防冻剂、流平剂等物质进行改性。绝缘层2的主要作用是防止电荷溢出，可以减少爬电、短路等情况发生。考虑其后续加工，绝缘层2外表面背离网格状的一侧提供可印刷性能，方便印刷各种油墨字符。作为优选，绝缘层的厚度可以在3μm~15μm之间，最优选的，可以为6~8μm。

金属屏蔽层3电镀于绝缘层2网格状的一侧，形成网格状的金属层结构。网格状的金属层结构能够避免金属屏蔽层3在弯折时发生脆断的不利影响。让电磁屏蔽膜的抗弯折性能更突出，体现出极好的挠性。其中，金属屏蔽层的导电金属材料可以是镍、铬、铜、银、金或者镍铬合金、镍银合金、铜镍合金、铜银合金中等材质中的至少一种。作为优选，金属屏蔽层采用两种不同的导电金属材料组合而成的双层结构，其屏蔽性能、抗腐蚀和抗氧化性能更突出。而电镀方式可以采用化学镀、真空磁控溅射镀、真空蒸发镀、电磁电镀或者其复合工艺形成。作为优选，金属屏蔽层的厚度在0.1μm~5μm之间，最优选的，可以为0.3μm。

导电胶层4为全方位导电胶，涂布于金属屏蔽层3背离绝缘层2的一侧，提供良好的填充性、导电性以及粘结强度。材质可以为环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂中的其中一种，这里说的环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂可以是添加有固化剂、流平剂、分散剂的改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂或者改性聚氨酯树脂。作为优选，导电胶层的厚度在3μm~20μm之间，最优选的，可以为3μm。本实用新型中的电磁屏蔽膜所提供的高屏蔽效能主要依靠网格状的金属屏蔽层3和全方位导电胶层4构成的连续、完整的屏蔽结构来实现。

保护膜5为有机硅体系的离型膜。保护膜5对导电胶层4有保护作用，可以为产品的后续加工提供保护。另外，保护膜5还可以防止异物、杂质等污染导电胶层4。

结合图1所示，对本实用新型提供的上述高屏蔽效能的电磁屏蔽膜的生产

工艺做进一步的详细说明。具体生产工艺包括以下步骤：

步骤a，在载体膜1的任一侧涂布绝缘树脂，烘干溶剂固化，涂布形成网格状的绝缘层2。

步骤b，在网格状绝缘层2表面背离载体膜的一侧电镀导电金属，形成金属屏蔽层3。其中，导电金属材质可以是镍、铬、铜、银、金或者镍铬合金、镍银合金、铜镍合金、铜银合金等材质中的至少一种。作为优选，金属屏蔽层采用两种不同材质的金属合金，不同材质构成的双层结构的金属屏蔽层，其屏蔽性能、抗腐蚀和抗氧化性能更突出，性能更稳定且结构更牢固。而电镀方式可以采用化学镀、真空磁控溅射镀、真空蒸发镀、电磁电镀或者其复合工艺形成。

步骤c，在金属屏蔽层3表面背离绝缘层的一侧涂布导电胶，烘干固化，并形成全方位导电胶层4。当然，导电胶层4也可以为异向导电胶层。作为优选，本实用新型中的导电胶层4采用全方位导电胶，全方位导电胶可以进一步反射电磁波或衰减电磁波。其中，导电胶里面填充导电粒子，导电粒子可以为镍、铜、银、金或者是镍包铜、银包铜、银包石墨等的至少其中一种。

作为优选，上述导电胶层4的导电粒子直径选取在1μm~20μm之间。

作为优选，上述导电胶层4的导电粒子占导电胶的填充比可以在10%~40%之间。

步骤d，在导电胶层4表面背离网格状金属层3的一侧以贴合的方式，形成保护膜5。其中，保护膜5为有机硅体系的离型膜。保护膜5的薄膜材质可以为聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜等的其中一种。保护膜5 对导电胶层4有保护作用，可以作为产品的后续加工保护。另外，还可以防止异物、杂质等污染导电胶层4。

与现有的技术相比，本实用新型所提供的高屏蔽效能的电磁屏蔽膜，将绝缘层2设计为网格状，金属层3电镀于绝缘层2的网格空隙内，形成网格状的金属屏蔽层3。依次，在金属屏蔽层3背离绝缘层2的一侧涂布全方位导电胶层4。网格状的金属屏蔽层3与全方位导电胶层4将电路板线路导通接地。此外，网格状的金属屏蔽层3与全方位导电胶层4一起形成连续、完整、立体的网格状电磁波屏蔽体结构，能够将电磁波两次反射或抑制在网格状屏蔽层内，导电胶层4再将多余的电荷引离释放。独特的屏蔽体结构使得本实用新型的电磁屏蔽膜的屏蔽效能高达75db。同时，填充于网格状绝缘层2一侧的金属屏蔽层3，由于其特殊的网格状工艺特性，不同于以往刚性的平板状金属屏蔽层结构特性，能够让金属屏蔽层的抗弯折性能更突出，体现出极好的挠性。除此之外，相对于同类产品，本实用新型工艺简单易于实施，成本相对更低，更具量产性。

将本实用新型所描述的一种电磁屏蔽膜送检，所得到的产品特性检测数据如下:

项目	检测结果	检测方法
			屏蔽性能（db）	70-75db	SJ20524-1995 (10MHz~3000MHz)
接地电阻（Ω）	≤1	GND φ=1mm，漂锡后
			耐弯折性	≥25000 次	弯曲半径 R=1.0mm

参看图2，其中，接地电阻测试方法为：将屏蔽膜压合覆盖FPC 测试孔6上，压合转移测试不同接地孔的接地电阻，然后选择在 160~170℃烘烤 1H固化，回流焊或者漂锡后，测试接地电阻。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (12)

1.一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：包括依次设置的绝缘层、金属屏蔽层以及导电胶层，所述绝缘层一侧呈网络状，所述金属屏蔽层与绝缘层连接的一侧呈与绝缘层相适配的网络状。

2.根据权利要求1所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述电磁屏蔽膜还包括载体膜，所述载体膜设置在网格绝缘层远离金属屏蔽层的一侧。

3.根据权利要求2所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述载体膜材质为非硅离型膜。

4.根据权利要求3所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述载体膜为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述电磁屏蔽膜还包括保护膜，所述保护膜设置在导电胶层远离金属屏蔽层的一侧，所述保护膜为有机硅体系的离型膜，所述保护膜为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述绝缘层由树脂材质制得，制得所述绝缘层的树脂为丙烯酸树脂、聚氨酯、环氧树脂中的其中一种。

7.根据权利要求6所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述绝缘层的厚度在3μm-15μm之间。

8.根据权利要求1所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述金属屏蔽层为两种不同的导电金属材质构成的复合金属层。

9.根据权利要求8所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：导电金属材质可以是镍、铬、铜、银、金中的一种。

10.根据权利要求8或9所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述金属屏蔽层厚度在0.1μm-5μm。

11.根据权利要求1所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述导电胶层是全方位导电胶层。

12.根据权利要求11所述的一种高屏蔽性能的电磁屏蔽膜，其特征在于：所述导电胶层的厚度在3μm-20μm之间。

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