CN214384755U - Micro LED显示装置 - Google Patents

Abstract

一种Micro LED显示装置，包括：发光模组及滤光板。发光模组包括衬底、N型GaN层、发光层、P型GaN层及绝缘层，绝缘层远离P型GaN层的一面设置有电路层，电路层分别与N型GaN层及P型GaN层连接。滤光板包括玻璃基板及光阻层，光阻层开设有多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，第一发光槽中设置有红光像素单元，第二发光槽设置有绿光像素单元，第三发光槽设置有蓝光像素单元。设置电路层，根据具体需要设计电路层的电路，将大量发光网格LED单元进行电连通，避免大量芯片的转移，有利于降低生产难度，再通过滤光板，避免使用红、蓝、绿三色芯片，避免存在电压差异，降低了电源设计难度。

Description

Micro LED显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种Micro LED显示装置。

背景技术

Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)是微发光二极管，是新的显示技术，与传统的LED相比，具有更多优势，例如，亮度更高、发光效率更好，且更加节能，而Micro LED显示装置是一般通过将LED结构进行微小化、阵列化、薄膜化，并通过封装制备得到的，从而可以得到简单的Micro LED显示装置。

然而，现有的Micro LED显示装置通常是通过使用红、蓝、绿三基色芯片，然后通过巨量转移红、蓝、绿三基色的芯片到基板后进行封装，从而得到Micro LED显示装置，但是，由于需要对大量芯片从蓝膜转移到PCB上，芯片转移数量数量巨大，导致工艺实现难度高，且芯片与芯片间在放置的过程中必须存在一定间距，造成pitch值较大，同时，红、蓝、绿三基色芯片的电压存在差异，对电源设计增加了难度。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种Micro LED显示装置。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种Micro LED显示装置，包括：

发光模组，所述发光模组包括衬底、N型GaN层、发光层、P型GaN层及绝缘层，所述衬底、所述N型GaN层、所述发光层、所述P型GaN层及所述绝缘层依次叠设，所述绝缘层远离所述P型GaN层的一面设置有电路层，所述电路层分别与所述N型GaN层及所述P型GaN层连接；及

滤光板，所述滤光板包括玻璃基板及光阻层，所述玻璃基板设置于所述衬底远离所述N型GaN层的一面上，所述光阻层设置于所述玻璃基板远离所述衬底的一面上，所述光阻层开设有多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，各所述第一发光槽、各所述第二发光槽及各所述第三发光槽呈矩阵分布，每一所述第一发光槽中设置有红光像素单元，每一所述第二发光槽中设置有绿光像素单元，每一所述第三发光槽中设置有蓝光像素单元。

在一个实施例中，所述发光层的发光波长为380nm～480nm。

在一个实施例中，所述发光模组还包括反光层，所述反光层设置于所述P型GaN层及所述绝缘层之间。

在一个实施例中，所述绝缘层开设有第一导电槽，所述电路层通过所述第一导电槽与所述反光层连接。

在一个实施例中，所述发光层开设有第一导通槽，所述P型GaN层开设有第二导通槽，所述反光层开设有第三导通槽，所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽相互连通，所述绝缘层延伸至所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽中，所述绝缘层开设有第二导电槽，所述电路层通过所述第二导电槽与所述N型GaN层连接。

在一个实施例中，所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。

在一个实施例中，所述滤光板还包括保护膜，所述保护膜设置于所述光阻层远离所述玻璃基板的一面上。

在一个实施例中，所述红光像素单元包括红色荧光粉层及红色滤光片，所述红色荧光粉层设置于所述第一发光槽的底部，所述红色滤光片设置于所述红色荧光粉层远离所述第一发光槽底部的一面上。

在一个实施例中，所述绿光像素单元包括绿色荧光粉层及绿色滤光片，所述绿色荧光粉层设置于所述第二发光槽的底部，所述绿色滤光片设置于所述绿色荧光粉层远离所述第二发光槽底部的一面上。

在一个实施例中，所述蓝光像素单元包括透明胶层及蓝色滤光片，所述透明胶层设置于所述第三发光槽的底部，所述蓝色滤光片设置于所述透明胶层远离所述第三发光槽底部的一面上。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下优点：

本实用新型通过设置发光模组，用于发光，发光模组通过蒸镀在绝缘层上设置电路层，且电路层分别与N型GaN层及P型GaN层连接，从而可以实现与N型GaN层及P型GaN层与电路层的电连接，可以根据具体需要设计电路层的电路，将大量发光网格LED单元进行电连通，从而避免大量芯片的转移，有利于降低Micro LED显示装置的生产难度，再通过在衬底上放置滤光板，滤光板通过设置有光阻层，光阻层开设有呈矩阵分布的多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，分别用于容置红光像素单元、绿光像素单元及蓝光像素单元，从而得到大量红光像素单元、绿光像素单元及蓝光像素单元，阵列成网格，使得发光模组出光后经过滤光板后发出RGB三基色，组成Micro LED显示装置，避免同时使用红、蓝、绿三基色芯片，从而避免存在电压差异，有利于提高Micro LED显示装置使用稳定性，降低了电源设计难度，降低了生产难度。

附图说明

图1为一个实施例的一种Micro LED显示装置的结构示意图；

图2为一个实施例的一种Micro LED显示装置的发光模组的结构示意图；

图3为一个实施例的一种Micro LED显示装置的光阻层、红色荧光粉层、绿色荧光粉层及透明胶层的结构示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。以下将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型的技术方案做进一步描述，本实用新型不仅限于以下具体实施方式。

需要理解的是，实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件。在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

请参阅图1、图2及图3，一种Micro LED显示装置10，包括发光模组100及滤光板200。所述发光模组100包括衬底110、N型GaN(gallium nitride，氮化镓)层120、发光层130、P型GaN层140及绝缘层150，所述衬底110、所述N型GaN层120、所述发光层130、所述P型GaN层140及所述绝缘层150依次叠设，所述绝缘层150远离所述P型GaN层140的一面设置有电路层151，所述电路层151分别与所述N型GaN层120及所述P型GaN层140连接。所述滤光板200包括玻璃基板210及光阻层220，所述玻璃基板210设置于所述衬底110远离所述N型GaN层120的一面上，所述光阻层220设置于所述玻璃基板210远离所述衬底110的一面上，所述光阻层220开设有多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，各所述第一发光槽、各所述第二发光槽及各所述第三发光槽呈矩阵分布，每一所述第一发光槽中设置有红光像素单元221，每一所述第二发光槽中设置有绿光像素单元222，每一所述第三发光槽中设置有蓝光像素单元223。

需要说明的是，发光模组100用于发光，配合滤光板200进行滤光，组成Micro LED显示装置，发光模组100包括依次叠设的衬底110、N型GaN层120、发光层130、P型GaN层140及绝缘层150，具体地，在衬底110上形成N型GaN层120、发光层130及P型GaN层140，其中，发光层130设置有多个，多个发光层130之间间隔设置，对应的，P型GaN层140也设置有多个，多个P型GaN层140之间间隔设置，一P型GaN层140及一发光层130与N型GaN层120组成一个发光LED单元，从而在衬底110上形成多个发光LED单元，发光LED单元呈矩阵分布，然后通过涂覆形成绝缘层150，绝缘层150延伸至多个发光层130及多个P型GaN层140之间的间隙，可以很好地起到绝缘作用，例如，所述绝缘层150为二氧化硅绝缘层150。然后通过蒸镀在绝缘层150上设置电路层151，用于实现电路连接，具体地，电路层151分别与N型GaN层120及P型GaN层140连接，从而可以实现与N型GaN层120及P型GaN层140与电路层151的电连接，电路层151根据具体需要设计成具体电路，例如，可以采用各发光LED单元共阳极或共阴极的方式，有利于减少线路，通过电路层151的电路，可以将大量发光LED单元进行电连通，从而避免大量芯片的转移，有利于降低Micro LED显示装置的生产难度。

进一步地，请参阅图1及图3，通过在衬底110上放置滤光板200，滤光板200与衬底110远离所述N型GaN层120的一面连接，用于对光源进行过滤后发出红绿蓝三基色，具体地，滤光板200包括玻璃基板210及光阻层220，玻璃基板210设置于衬底110远离所述N型GaN层120的一面上，实现滤光板200与发光模组100的活动贴合，光阻层220开设有呈矩阵分布的多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽分别用于容置红光像素单元221、绿光像素单元222及蓝光像素单元223，一第一发光槽、一第二发光槽及一第三发光槽在横向方向上依次顺序排布，形成一个红绿蓝三基色容置槽，从而使得一红光像素单元221、一绿光像素单元222及一蓝光像素单元223在横向方向上依次顺序排布，从而形成一个红绿蓝三基色单元组，多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽在横向方向上依次形成多个红绿蓝三基色容置槽，从而使得多个红光像素单元221、多个绿光像素单元222及多个蓝光像素单元223在横向方向上依次形成多个红绿蓝三基色单元组，从而得到大量横向方向上依次循环排列的红光像素单元221、绿光像素单元222及蓝光像素单元223，并阵列成网格，从而使得发光模组100出光后经过滤光板200后发出RGB三基色，组成Micro LED显示装置，避免使用红、蓝、绿三基色芯片，从而避免存在电压差异，有利于提高Micro LED显示装置使用稳定性，降低了电源设计难度，降低了生产难度。值得一提的是，一个红光像素单元221与一个发光LED单元上下对应设置，同样地，一个绿光像素单元222与一个发光LED单元上下对应设置，一个蓝光像素单元223与一个发光LED单元上下对应设置，从而可以避免串色，发光效果更好。

在一个实施例中，所述发光层130的发光波长为380nm～480nm。可以理解的，发光层130为蓝光多量子阱材料结构，发光波长为380nm～480nm，也就是说，发光层130为蓝光发光层，配合滤光板200上的多个红光像素单元221、多个绿光像素单元222及多个蓝光像素单元223，可以发出RGB三基色，避免同时使用红绿蓝光芯片，从而避免存在电压差异，有利于提高Micro LED显示装置使用稳定性，降低了电源设计难度，降低了生产难度。

在一个实施例中，请参阅图2，所述发光模组100还包括反光层160，所述反光层160设置于所述P型GaN层140及所述绝缘层150之间。可以理解的，通过设置反光层160，反光层160设置于P型GaN层140远离衬底110的一面上，可以起到反光作用，从而可以起到防止发光层130发出的光从朝向绝缘层150方向发出，从而可以使得发光层130发出的光集中从朝向衬底110的方向发出，避免漏光，达到提高光效的效果，有利于提高发光层130的发光亮度，例如，所述反光层160为银反光层，又如，所述反光层160为铜反光层。

在一个实施例中，所述绝缘层150开设有第一导电槽，所述电路层151通过所述第一导电槽与所述反光层160连接。可以理解的，通过在绝缘层150开设第一导电槽，可以使得反光层160露出，从而可以通过蒸镀在第一导电槽的侧壁及露出的反光层160部分形成镀层，从而实现电路层151与反光层160的电路连接，从而实现电路层151与P型GaN层140的电路连接。

在一个实施例中，所述发光层130开设有第一导通槽，所述P型GaN层140开设有第二导通槽，所述反光层160开设有第三导通槽，所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽相互连通，所述绝缘层150延伸至所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽中，所述绝缘层150开设有第二导电槽，所述电路层151通过所述第二导电槽与所述N型GaN层120连接。可以理解的，通过开设有相互连通的第一导通槽、第二导通槽及第三导通槽，有利于使得N型GaN层120露出，绝缘层150延伸至第一导通槽、第二导通槽及第三导通槽中，可以起到绝缘效果，避免N型GaN层120、反光层160、P型GaN层140之间的电连接，避免出现短路，通过在绝缘层150开设第二导电槽，可以使得N型GaN层120露出，从而可以通过蒸镀在第二导电槽的侧壁及露出的N型GaN层120部分形成镀层，从而实现电路层151与N型GaN层120的电路连接，从而实现电路层151与N型GaN层120的电路连接。

在一个实施例中，请参阅图1，所述滤光板200还包括保护膜230，所述保护膜230设置于所述光阻层220远离所述玻璃基板210的一面上。可以理解的，通过设置保护膜230，可以对光阻层220、红光像素单元221、绿光像素单元222及蓝光像素单元223起到保护作用，有利于提高Micro LED显示装置的结构稳定性。

在一个实施例中，请参阅图3，所述红光像素单元221包括红色荧光粉层221a及红色滤光片221b，所述红色荧光粉层221a设置于所述第一发光槽的底部，所述红色滤光片221b设置于所述红色荧光粉层221a远离所述第一发光槽底部的一面上。可以理解的，红光像素单元221包括红色荧光粉层221a及红色滤光片221b，可以通过红色滤光片221b过滤发出纯的红光。

在一个实施例中，请参阅图3，所述绿光像素单元222包括绿色荧光粉层222a及绿色滤光片222b，所述绿色荧光粉层222a设置于所述第二发光槽的底部，所述绿色滤光片222b设置于所述绿色荧光粉层222a远离所述第二发光槽底部的一面上。可以理解的，绿光像素单元222包括绿色荧光粉层222a及绿色滤光片222b，可以通过绿色滤光片222b过滤发出纯的绿光。

在一个实施例中，请参阅图3，所述蓝光像素单元223包括透明胶层223a及蓝色滤光片223b，所述透明胶层223a设置于所述第三发光槽的底部，所述蓝色滤光片223b设置于所述透明胶层223a远离所述第三发光槽底部的一面上。可以理解的，蓝光像素单元223包括透明胶层223a及蓝色滤光片223b，可以通过蓝色滤光片223b过滤发出纯的蓝光。

在一个实施例中，请参阅图1，所述滤光板200还包括ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)导电膜240，所述ITO导电膜240设置于所述保护膜230远离所述光阻层220的一面上。可以理解的，通过设置ITO导电膜240，可以起到导电效果，用于与外部部件电连接，便于进一步进行电路设置，实用性好。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下优点：

本实用新型通过设置发光模组，用于发光，发光模组通过蒸镀在绝缘层上设置电路层，且电路层分别与N型GaN层及P型GaN层连接，从而可以实现与N型GaN层及P型GaN层的电连接，可以根据具体需要设计电路层的电路，将大量发光网格LED单元进行电连通，从而避免大量芯片的转移，有利于降低Micro LED显示装置的生产难度，再通过在衬底上放置滤光板，滤光板通过设置有光阻层，光阻层开设有呈矩阵分布的多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，分别用于容置红光像素单元、绿光像素单元及蓝光像素单元，从而得到由大量红光像素单元、绿光像素单元及蓝光像素单元，阵列成网格，使得发光模组出光后经过滤光板后发出RGB三基色，组成Micro LED显示装置，避免使用红、蓝、绿三基色芯片，从而避免存在电压差异，有利于提高Micro LED显示装置使用稳定性，降低了电源设计难度，降低了生产难度。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种Micro LED显示装置，其特征在于，包括：

发光模组，所述发光模组包括衬底、N型GaN层、发光层、P型GaN层及绝缘层，所述衬底、所述N型GaN层、所述发光层、所述P型GaN层及所述绝缘层依次叠设，所述绝缘层远离所述P型GaN层的一面设置有电路层，所述电路层分别与所述N型GaN层及所述P型GaN层连接；及

滤光板，所述滤光板包括玻璃基板及光阻层，所述玻璃基板设置于所述衬底远离所述N型GaN层的一面上，所述光阻层设置于所述玻璃基板远离所述衬底的一面上，所述光阻层开设有多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，各所述第一发光槽、各所述第二发光槽及各所述第三发光槽呈矩阵分布，每一所述第一发光槽中设置有红光像素单元，每一所述第二发光槽中设置有绿光像素单元，每一所述第三发光槽中设置有蓝光像素单元。

2.如权利要求1所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述发光层的发光波长为380nm～480nm。

3.如权利要求1所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述发光模组还包括反光层，所述反光层设置于所述P型GaN层及所述绝缘层之间。

4.如权利要求3所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述绝缘层开设有第一导电槽，所述电路层通过所述第一导电槽与所述反光层连接。

5.如权利要求4所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述发光层开设有第一导通槽，所述P型GaN层开设有第二导通槽，所述反光层开设有第三导通槽，所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽相互连通，所述绝缘层延伸至所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽中，所述绝缘层开设有第二导电槽，所述电路层通过所述第二导电槽与所述N型GaN层连接。

6.如权利要求1所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。

7.如权利要求1所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述滤光板还包括保护膜，所述保护膜设置于所述光阻层远离所述玻璃基板的一面上。

8.如权利要求1-7任一项中所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述红光像素单元包括红色荧光粉层及红色滤光片，所述红色荧光粉层设置于所述第一发光槽的底部，所述红色滤光片设置于所述红色荧光粉层远离所述第一发光槽底部的一面上。

9.如权利要求1-7任一项中所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述绿光像素单元包括绿色荧光粉层及绿色滤光片，所述绿色荧光粉层设置于所述第二发光槽的底部，所述绿色滤光片设置于所述绿色荧光粉层远离所述第二发光槽底部的一面上。

10.如权利要求1-7任一项中所述的Micro LED显示装置，其特征在于，所述蓝光像素单元包括透明胶层及蓝色滤光片，所述透明胶层设置于所述第三发光槽的底部，所述蓝色滤光片设置于所述透明胶层远离所述第三发光槽底部的一面上。

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