CN214327965U - 一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，包括线圈主体和线圈冷却水管，线圈冷却水管嵌入线圈主体内，线圈主体为平板单匝结构，线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ，在台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面；在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ；在台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置下斜面；在线圈主体内圆下边缘处，设置一圈圆弧凸起；在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝，在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰，在法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝，主缝宽度逐渐减小延伸至法兰处。本实用新型可以使熔区热场均匀、熔区温度梯度小、成晶率高。
Description
技术领域
本实用新型属于区熔技术领域，尤其是涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈。
背景技术
在区熔法制备单晶硅的过程中，多晶硅料边缘出现毛刺、熔区出现腰带等情况都将中断整个制备过程，造成较大的经济损失，因此，一个稳定、均匀的用于制备区熔硅单晶的热场是十分重要的。而构筑热场的核心部分就是加热线圈，常规的十字狭缝线圈随着多晶料直径的变大，热场不均匀现象加剧，容易出现熔硅下行不畅、出毛刺、腰带现象，降低成品率。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题，本实用新型提供一种用于区熔法制备单晶硅的加热线线圈，可以使热场均匀、熔区温度梯度小、成晶率高。
本实用新型采取的技术方案是：一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，其特征在于：包括线圈主体和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管嵌入所述线圈主体内，线圈主体为平板单匝结构，线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ，在所述台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面；在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ；在所述台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置下斜面；在所述线圈主体内圆下边缘处，设置一圈圆弧凸起；在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝，分别为狭缝Ⅰ、狭缝Ⅱ、狭缝Ⅲ和狭缝Ⅳ，在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰，在所述法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝，所述主缝宽度逐渐减小延伸至法兰处。
本实用新型的有益效果：由于在线圈内圆下表面处设置一圈圆弧凸起，有效的降低熔区温度梯度；主缝宽度逐渐减小的设计，有效减小热场不对称性，可改善单晶生长热场，解决毛刺、腰带等问题，有效提高区熔法制备单晶硅的成品率。
附图说明
图1是本实用新型主视图剖面图；
图2是本实用新型侧视图；
图3是本实用新型使用状态示意图。
具体实施方式
如图1、图2所示，一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，包括线圈主体1和线圈冷却水管9，线圈冷却水管9嵌入线圈主体1内，线圈主体1为平板单匝结构，线圈主体1的上表面1-4设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ5-1，在台阶Ⅰ5-1底部与线圈主体内圆1-1上边缘1-2之间设置上斜面6；在线圈主体1下表面1-5设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ5-2；在台阶Ⅱ5-2底部与线圈主体内圆1-1下边缘1-3之间设置上下斜面8；在线圈主体内圆1-1下边缘1-3处，设置一圈圆弧凸起7；在线圈主体内圆1-1处开有四个贯通上下表面1-5的十字狭缝，分别为狭缝Ⅰ2-1、狭缝Ⅱ2-2、狭缝Ⅲ2-3和狭缝Ⅳ2-4，在线圈主体1外圆沿狭缝Ⅰ2-1方向的一侧设置连接电极的法兰3，在法兰3与狭缝Ⅰ2-1间设置一条主缝4，主缝4宽度逐渐减小延伸至法兰3处。
使用时，如图3所示，将本实用新型的加热线圈11法兰3与区熔炉正负电极连接，调整加热线圈功率为15～50KW。该结构使用于区熔法制备单晶硅的加热线圈11中心处产生的电磁场分布更加均匀，即熔区12处温度梯度更小，同时降低固液界面（熔区12与多晶硅棒区3之间、熔区12与多晶硅原料区14之间）温度梯度，更利于稳定成晶；台阶5使得台阶正上方电磁场增强，避免较大直径多晶硅料边缘出现毛刺现象；上斜面6可以使斜面上方电磁场向内聚拢，使多晶硅料熔化界面平坦且向中心倾斜，有利于熔硅流向中心；下斜面8可以使斜面下方电磁场向内聚拢，降低结晶界面温度梯度，降低单晶硅内部的应力，降低断裂的风险。
Claims (1)
1.一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，其特征在于：包括线圈主体（1）和线圈冷却水管（9），所述线圈冷却水管（9）嵌入所述线圈主体（1）内，线圈主体（1）为平板单匝结构，线圈主体（1）的上表面（1-4）设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ（5-1），在所述台阶Ⅰ（5-1）底部与线圈主体内圆（1-1）上边缘（1-2）之间设置上斜面（6）；在线圈主体（1）下表面（1-5）设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ（5-2）；在所述台阶Ⅱ（5-2）底部与线圈主体内圆（1-1）下边缘（1-3）之间设置下斜面（8）；在所述线圈主体内圆（1-1）下边缘1-3）处，设置一圈圆弧凸起（7）；在线圈主体内圆（1-1）处开有四个贯通上下表面（1-5）的十字狭缝，分别为狭缝Ⅰ（2-1）、狭缝Ⅱ（2-2）、狭缝Ⅲ（2-3）和狭缝Ⅳ（2-4），在线圈主体（1）外圆沿狭缝Ⅰ（2-1）方向的一侧设置连接电极的法兰（3），在所述法兰（3）与狭缝Ⅰ（2-1）间设置一条主缝（4），所述主缝（4）宽度逐渐减小延伸至法兰（3）处。
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2020
- 2020-12-09 CN CN202022923198.4U patent/CN214327965U/zh active Active
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