CN214067419U - 一种镀银膜层结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种镀银膜层结构，包括依次层叠设置的镀制Ag膜层、打底薄膜层和基底层；所述打底薄膜层包括层叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和第二薄膜层的构造材料不同；本实用新型通过选择根据对膜系的优化设计来解决当前的膜层牢固度及吸收问题，可匹配万瓦级连续波强激光的镀膜工艺。
Description
技术领域
本实用新型涉及光学工程光学薄膜镀膜技术领域，尤其涉及一种镀银膜层结构。
背景技术
光学薄膜在大功率激光光学系统中的应用日新月异，在光学镀膜工艺技术中，传统镀Ag工艺采用单层金属膜或者介质膜打底蒸镀Ag膜的工艺，膜层的牢固度一直是光学薄膜应用中弊端，并且银膜的吸收效应明显，难以匹配大功率激光的光学系统，因此提高真空镀银工艺技术的发展迫在眉睫，解决银膜牢固度和银膜的吸收效应是光学薄膜的一项基本要求。
实用新型内容
为了解决现有技术的问题，本发明通过选择根据对膜系的优化设计来解决当前的膜层牢固度及吸收问题，以匹配万瓦级连续波强激光的镀膜工艺。
本实用新型公开了一种镀银膜层结构，包括依次层叠设置的镀制Ag膜层、打底薄膜层和基底层；所述打底薄膜层包括层叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和第二薄膜层的构造材料不同。
作为本实用新型实施方式的进一步改进，所述镀制Ag膜层之上加镀有一中间过渡层，所述中间过渡层之上设置有蒸镀膜堆或保护膜。
作为本实用新型实施方式的进一步改进，所述第一薄膜层靠近所述基底层，且所述第一薄膜层构造为二氧化硅层，所述第二薄膜层构造为氧化铝层。
作为本实用新型实施方式的进一步改进，所述第一薄膜层的厚度为50nm，所述第二薄膜层的厚度为30nm。
作为本实用新型实施方式的进一步改进，所述中间过渡层构造为氧化铝过渡层。
作为本实用新型实施方式的进一步改进，所述中间过渡层的厚度为30nm。
作为本实用新型实施方式的进一步改进，所述镀制Ag膜层的厚度为150nm。
相对于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型通过在镀制Ag膜与基底之间采用双层不同材料的薄膜打底，并在银膜之上加镀中间过渡层，解决了银膜与基底与保护膜之间的结合牢固度的问题。
在本实用新型种，所述打底膜层为介质材料，本发明的优点在于解决了以前采用单层介质膜打底膜层的机械强度不高和采用金属膜打底银膜的吸收问题。
本发明方法可以解决万瓦级连续波强激光的镀膜工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的镀银膜层结构示意图；
图中示例表示为：
镀制Ag膜层1、打底薄膜层2、第一薄膜层21、第二薄膜层22、基底层3、中间过渡层4、蒸镀膜堆5。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
为了解决现有技术的问题，本实用新型公开了一种镀银膜层结构，如图1所示，包括依次层叠设置的镀制Ag膜层1、打底薄膜层2和基底层3；打底薄膜层2包括层叠设置的第一薄膜层21和第二薄膜层22，第一薄膜层21和第二薄膜层22的构造材料不同。
用双层不同材料的打底膜层，解决了以前用单层膜(一种材料)打底膜层不牢固的问题；
本实施例中，打底薄膜层2为介质膜，用介质膜打底解决了银膜吸收的问题；
在镀制Ag膜层1之上加镀有一中间过渡层4，中间过渡层4之上设置有蒸镀膜堆5，也可以是保护膜。
在银膜上加镀中间过渡层的方法，解决了增强型膜堆在银膜表面上的机械强度问题。
第一薄膜层21靠近基底层3，且第一薄膜层21构造为二氧化硅层，第二薄膜层22构造为氧化铝层。
在本实施例中，第一薄膜层的厚度为50nm，所述第二薄膜层的厚度为30nm。
其中中间过渡层4构造为氧化铝过渡层。
优选地，中间过渡层4的厚度为30nm。
镀制Ag膜层1的厚度为150nm。
本实施例中涉及的镀银膜层结构的制备方法具体包括：
背景真空度要求在真空度≤5*10-4Pa的情况下
S1、在基底层上镀制(SiO2+Al2O3)的双层介质膜层打底；
S2、在介质膜层上形成镀制Ag膜层；
S3、在镀制Ag膜层上镀Al2O3中间过渡层；
S4、在中间过渡层上开始蒸镀膜堆或保护膜。
相对于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型通过在镀制Ag膜与基底之间采用双层不同材料的薄膜打底，并在镀制Ag膜层之上加镀中间过渡层，解决了银膜与基底与保护膜之间的结合牢固度的问题。
在本实用新型中，所述打底膜层为介质材料，本发明的优点在于解决了以前采用单层介质膜打底膜层的机械强度不高和采用金属膜打底银膜的吸收问题。
本实用新型可以适配万瓦级连续波强激光的镀膜工艺。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种镀银膜层结构，其特征在于，包括依次层叠设置的镀制Ag膜层、打底薄膜层和基底层；所述打底薄膜层包括层叠设置的第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和第二薄膜层的构造材料不同。
2.根据权利要求1所述的镀银膜层结构，其特征在于，所述镀制Ag膜层之上加镀有一中间过渡层，所述中间过渡层之上设置有蒸镀膜堆或保护膜。
3.根据权利要求1所述的镀银膜层结构，其特征在于，所述第一薄膜层靠近所述基底层，且所述第一薄膜层构造为二氧化硅层，所述第二薄膜层构造为氧化铝层。
4.根据权利要求3所述的镀银膜层结构，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度为50nm，所述第二薄膜层的厚度为30nm。
5.根据权利要求2所述的镀银膜层结构，其特征在于，所述中间过渡层构造为氧化铝过渡层。
6.根据权利要求2所述的镀银膜层结构，其特征在于，所述中间过渡层的厚度为30nm。
7.根据权利要求1所述的镀银膜层结构，其特征在于，所述镀制Ag膜层的厚度为150nm。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202023248697.4U CN214067419U (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种镀银膜层结构 |
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Publications (1)
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| CN214067419U true CN214067419U (zh) | 2021-08-27 |
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Family Applications (1)
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| CN202023248697.4U Active CN214067419U (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种镀银膜层结构 |
Country Status (1)
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2020
- 2020-12-29 CN CN202023248697.4U patent/CN214067419U/zh active Active
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