CN214066330U - 一种降低余振影响的超声波传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种降低余振影响的超声波传感器，传感器包括壳体、吸音支撑座、吸音层和压电晶片，所述吸音支撑座设置于壳体内部，吸音支撑座采用吸音软木制成；所述吸音层与吸音支撑座相贴合，吸音层采用吸音材料进行填充并进行压实处理，且采用网格框进行固定；所述压电晶片设置于腔体内部且压电晶片包括上压电晶片和下压电晶片。本实用新型通过在腔体内部增设吸音层及采用吸音软木制成的吸音支撑座来加快对余振的吸收，从而降低余振对传感器使用的影响进而提高传感器的精度。

Description

一种降低余振影响的超声波传感器

技术领域

本实用新型涉及传感器领域，具体涉及一种降低余振影响的超声波传感器。

背景技术

超声波传感器通常有金属外壳和粘接在金属壳内的压电陶瓷片组成，交流信号的激励可以是压电陶瓷片产生同频率的机械振动，从而发射出超声波；或者压电陶瓷片在一定频率的外部机械振动下产生相应频率的电信号，从而作为超声波的接收器。超声波对液体、固体的穿透本领极强，尤其是在不透明的固体中，它可穿透几十米的深度。超声波碰到杂质或分界面会产生显著反射形成反射回波，碰到活动物体能产生多普勒效应。超声波传感器可以广泛应用在物位(液位)监测，机器人防撞，各种超声波接近开关，以及防盗报警灯相关领域。其工作可靠，安装方便，发射架较小，灵敏度高，方便与工业显示仪表连接。但目前，在超声波传感器的使用过程中，压电晶片所产生的余振会对传感器的正常使用产生影响，进而影响传感器的精度。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是降低余振对超声波传感器精度的影响，目的在于提供一种能够有效解决上述问题的降低余振影响的超声波传感器。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种降低余振影响的超声波传感器，包括腔体、吸音支撑座、吸音层和压电晶片，所述腔体顶部开设有供声波传输的开口，所述腔体底部开设有安装接线端子的孔；

所述吸音支撑座设置于腔体内部；

所述吸音层与吸音支撑座相贴合；

所述压电晶片设置于腔体内部且压电晶片包括上压电晶片和下压电晶片。本实用新型通过在腔体内部增加吸音层和采用吸引软木制成支撑座的方式，来快速吸收传感器完成发射任务后腔体内残余的音波，降低余振从而提高传感器的精度。

进一步的技术方案：

所述吸音支撑座与除腔体内顶面外的其余五个面相贴合，且所述吸音支撑座与腔体间呈过盈配合的装配关系；所述吸音支撑座由吸音软木制成。过盈配合的关系可以减弱吸音支撑座的振动强度，降低吸音支撑座振动对传感器精度造成的影响。

进一步的：所述下压电晶片通过支撑杆与吸音支撑座相连接，所述上压电晶片叠放在下压电晶片上方。

进一步的：所述超声波传感器还包括共振盘，所述共振盘安装在上压电晶片上。

进一步的：所述超声波传感器还包括网格框，所述网格框将共振盘、上压电晶片和下压电晶片容纳在其中，且网格框与吸音支撑座之间存在吸音层。

进一步的：所述吸音层用吸音材料进行填充并压实。对吸音层中的吸音材料进行压实，能够增强吸音效效果，网格框的作用在于固定压实后的吸音层，且为传感器提供一个空间相对稳定的共振腔。

进一步的：两个所述接线端子安装好后，其中一个接线端子通过导线与上压电晶片连接，另一个接线端子通过导线与下压电晶片相连接；

进一步的：所述接线端子与腔体的连接处需进行封胶处理。封胶处理能够降低接线端子的安装对传感器正常使用的影响。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本实用新型一种降低余振影响的超声波传感器，通过在超声波传感器内部增设吸音层，以及采用吸引软木制成的支撑座，均能够快速的吸收余振，从而降低余振对传感器精度的影响，提高传感器的精度。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图。

附图中标记及对应的零部件名称：

1-腔体，2-吸音支撑座，3-接线端子，4-吸音层，5-导线，6-网格框，7-共振盘，8-开口， 9-上压电晶片，10-下压电晶片。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

实施例

如图1所示，本实用新型一种降低余振影响的超声波传感器，包括腔体1、吸音支撑座2、吸音层4和压电晶片，所述腔体1顶部开设有供声波传输的开口8，所述腔体底部开设有安装接线端子3的孔；所述吸音支撑座2设置于腔体1内部；所述吸音层4与吸音支撑座2相贴合；所述压电晶片设置于腔体内部且压电晶片包括上压电晶片9和下压电晶片10。所述吸音支撑座2与除腔体1内顶面外的其余五个面相贴合，且所述吸音支撑座2与腔体1间呈过盈配合的装配关系。所述下压电晶片10通过支撑杆与吸音支撑座2相连接，所述上压电晶片 9叠放在下压电晶片10上方。所述超声波传感器还包括共振盘7，所述共振盘7安装在上压电晶片9上。所述超声波传感器还包括网格框6，所述网格框6将共振盘7、上压电晶片9和下压电晶片10容纳在其中，且网格框6与吸音支撑座2之间存在吸音层4。所述吸音层4用吸音材料进行填充并压实。两个所述接线端子3安装好后，其中一个接线端子3通过导线5 与上压电晶片9连接，另一个接线端子3通过导线与下压电晶片10相连接；所述接线端子3 与腔体1的连接处需进行封胶处理。

以上所述的具体实施方式，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种降低余振影响的超声波传感器，其特征在于，包括腔体(1)、吸音支撑座(2)、吸音层(4)和压电晶片，所述腔体(1)顶部开设有供声波传输的开口(8)，所述腔体底部开设有安装接线端子(3)的孔；

所述吸音支撑座(2)设置于腔体(1)内部；

所述吸音层(4)与吸音支撑座(2)相贴合；

所述压电晶片设置于腔体内部且压电晶片包括上压电晶片(9)和下压电晶片(10)。

2.根据权利要求1所述的一种降低余振影响的超声波传感器，其特征在于，所述吸音支撑座(2)与除腔体(1)内顶面外的其余五个面相贴合，且所述吸音支撑座(2)与腔体(1)间呈过盈配合的装配关系。

3.根据权利要求2所述的一种降低余振影响的超声波传感器，其特征在于，所述下压电晶片(10)通过支撑杆与吸音支撑座(2)相连接，所述上压电晶片(9)叠放在下压电晶片(10)上方。

4.根据权利要求1所述的一种降低余振影响的超声波传感器，其特征在于，所述超声波传感器还包括共振盘(7)，所述共振盘(7)安装在上压电晶片(9)上。

5.根据权利要求4所述的一种降低余振影响的超声波传感器，其特征在于，所述超声波传感器还包括网格框(6)，所述网格框(6)将共振盘(7)、上压电晶片(9)和下压电晶片(10)容纳在其中，且网格框(6)与吸音支撑座(2)之间存在吸音层(4)。

6.根据权利要求5所述的一种降低余振影响的超声波传感器，其特征在于，所述吸音层(4)用吸音材料进行填充并压实。

7.根据权利要求1所述的一种降低余振影响的超声波传感器，其特征在于，两个所述接线端子(3)安装好后，其中一个接线端子(3)通过导线(5)与上压电晶片(9)连接，另一个接线端子(3)通过导线与下压电晶片(10)相连接；

所述接线端子(3)与腔体(1)的连接处需进行封胶处理。

Images