CN214043112U - 导电性薄膜以及触控面板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种导电性薄膜以及触控面板，导电性薄膜包括：基体；纳米银丝层，纳米银丝层设于基体；金属氧化物层，金属氧化物层与基体连接，纳米银丝层夹设于基体和金属氧化物层之间。由此，通过基体、纳米银丝层和金属氧化物层配合，当使用蚀刻液蚀刻导电性薄膜时，与现有技术相比，蚀刻液能快速蚀刻纳米银丝层和金属氧化物层，可以解决现有技术中有机物氧化层难蚀刻问题，从而可以提高导电性薄膜的蚀刻效率，并且，还可以提高导电性薄膜的化学稳定性和抗静电能力。
Description
技术领域
本实用新型涉及电器领域，尤其是涉及一种导电性薄膜以及具有其的触控面板。
背景技术
相关技术中，导电性薄膜适用于制作手机、平板电脑、手表以及其它人机交互界面系统的触控面板，也可应用于其它电子设备中。导电性薄膜具有基体、金属层和有机物氧化层(绝缘层，即OC层)，金属层夹设在基体和有机物氧化层之间。在金属层表面添加一层绝缘层，在使用蚀刻液蚀刻金属层时，蚀刻液难蚀刻绝缘层(OC层阻挡蚀刻速度)，蚀刻速度较慢，并且，导电性薄膜的化学稳定性和抗静电能力差。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出了一种导电性薄膜，该导电性薄膜可以解决现有技术中有机物氧化层难蚀刻问题，从而可以提高导电性薄膜的蚀刻效率，并且，还可以提高导电性薄膜的化学稳定性和抗静电能力。
本实用新型进一步提出了一种触控面板。
根据本实用新型的导电性薄膜包括：基体；纳米银丝层，所述纳米银丝层设于所述基体；金属氧化物层，所述金属氧化物层与所述基体连接，所述纳米银丝层夹设于所述基体和所述金属氧化物层之间。
根据本实用新型的导电性薄膜，当使用蚀刻液蚀刻导电性薄膜时，与现有技术相比，蚀刻液能快速蚀刻纳米银丝层和金属氧化物层，可以解决现有技术中有机物氧化层难蚀刻问题，从而可以提高导电性薄膜的蚀刻效率，并且，还可以提高导电性薄膜的化学稳定性和抗静电能力
在本实用新型的一些示例中，所述导电性薄膜的光透过率大于等于88％。
在本实用新型的一些示例中，所述导电性薄膜的雾度小于等于0.5％。
在本实用新型的一些示例中，所述金属氧化物层构造为铟锡氧化物层和/或铟锌氧化物层。
在本实用新型的一些示例中，所述导电性薄膜还包括：导电金属层，所述导电金属层设于所述金属氧化物层的远离所述纳米银丝层的表面。
在本实用新型的一些示例中，所述导电金属层为铜、铝、镍中的一种。
在本实用新型的一些示例中，所述基体为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COP(光学材料)、PI(聚酰亚胺薄膜)、COC(环烯烃共聚物)、PVDF(聚偏氟乙烯)中的一种。
在本实用新型的一些示例中，所述金属氧化物层的厚度为D，满足关系式：5≤D≤150nm。
在本实用新型的一些示例中，20≤D≤40nm。
根据本实用新型的触控面板，包括上述的导电性薄膜。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本实用新型实施例的导电性薄膜的截面图。
附图标记：
导电性薄膜10；
导电金属层11；金属氧化物层12；纳米银丝层13；基体14。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
下面参考图1描述根据本实用新型实施例的导电性薄膜10。
如图1所示，根据本实用新型实施例的导电性薄膜10包括：基体14、纳米银丝层13和金属氧化物层12。基体14作为导电性薄膜10的主体。纳米银丝层13具有透光度高、导电性和机械性能好等特点，纳米银丝层13为制备柔性导电性薄膜10的理想材料。纳米银丝层13设置于基体14的表面，纳米银丝层13和基体14紧密连接，金属氧化物层12与基体14连接，纳米银丝层13夹设于基体14和金属氧化物层12之间。
现有技术中，导电性薄膜具有基体、金属层和有机物氧化层(绝缘层，即OC层)，金属层夹设在基体和有机物氧化层之间。在金属层表面添加一层绝缘层，在使用蚀刻液蚀刻金属层时，蚀刻液难蚀刻绝缘层(OC层阻挡蚀刻速度)，蚀刻速度较慢，并且，导电性薄膜的化学稳定性和抗静电能力差。
在本申请中，导电性薄膜10可以具有导电性和透光性，当使用蚀刻液对导电性薄膜10进行蚀刻时，由于纳米银丝层13的表面设置金属氧化物层12，蚀刻液容易蚀刻金属氧化物层12，与现有技术相比，能够缩短蚀刻液蚀刻金属氧化物层12的时间，便于蚀刻液从金属氧化物层12向下渗透，可以使蚀刻液快速与纳米银丝层13接触，从而可以提升导电性薄膜10的蚀刻速度，进而可以解决现有技术中有机物氧化层难蚀刻问题。并且，由于纳米银丝层13具有导电性和机械性能好等特点，将纳米银丝层13设置在导电性薄膜10上后，可以提高导电性薄膜10的化学稳定性和抗静电能力。同时，由于纳米银丝层13的弯折性能好，通过将纳米银丝层13设置在导电性薄膜10上，可以提升导电性薄膜10的弯折性能，从而可以防止导电性薄膜10弯折时破裂。
由此，通过基体14、纳米银丝层13和金属氧化物层12配合，当使用蚀刻液蚀刻导电性薄膜10时，与现有技术相比，蚀刻液能快速蚀刻纳米银丝层13和金属氧化物层12，可以解决现有技术中有机物氧化层难蚀刻问题，从而可以提高导电性薄膜10的蚀刻效率，并且，还可以提高导电性薄膜10的化学稳定性和抗静电能力。
在本实用新型的一些实施例中，导电性薄膜10的光透过率大于等于88％，优选地，导电性薄膜10的光透过率为90％，如此设置能够保证导电性薄膜10的光透过率，可以保证导电性薄膜10的使用性能，从而可以使其广泛应用到各个领域。
在本实用新型的一些实施例中，导电性薄膜10的雾度小于等于0.5％，优选地，导电性薄膜10的雾度设置为0.4％，其中，雾度作为光学透明性的重要参数，低雾度有利于导电性薄膜10的透光性，这样设置能够使导电性薄膜10的雾度更加适宜，在保证导电性薄膜10的光透过率的前提下，可以使导电性薄膜10的雾度性能达到最佳。
在本实用新型的一些实施例中，如图1所示，金属氧化物层12可以构造为铟锡氧化物层和/或铟锌氧化物层，也可以理解为，金属氧化物层12构造为铟锡氧化物层或者铟锌氧化物层，也可以构造为铟锡氧化物层和铟锌氧化物层的复合物，优选地，金属氧化物层12设置为铟锡氧化物层，通过将纳米银丝层13夹设在基体14和金属氧化物层12之间，能够将纳米银丝层13可靠固定，可以增加纳米银丝层13的附着力，从而可以防止纳米银丝层13发生移动，进而可以增强导电性薄膜10的抗静电能力，并且，通过蚀刻液蚀刻铟锡氧化物层，能够进一步提升导电性薄膜10的蚀刻速度，可以优化导电性薄膜10的蚀刻性能。但本实用新型不限于此，金属氧化物层12也可以设置为改性Ti、Zr或其他惰性金属。
在本实用新型的一些实施例中，如图1所示，导电性薄膜10还包括：导电金属层11，导电金属层11可以设置于金属氧化物层12的远离纳米银丝层13的表面。进一步地，导电金属层11可以设置为铜、铝、镍中的一种，但本实用新型不限于此，导电金属层11也可以设置为其它活泼金属，优选地，导电金属层11设置为铜。其中，导电金属层11可以构造为铜柱，导电金属层11具有导电作用，如此设置能够使导电性薄膜10具有导电作用，可以保证导电性薄膜10的工作性能。
需要说明的是，铜坚韧、柔软并具有延展性，铝重量轻且耐腐蚀性好，镍质地坚硬且具有延展性，铜、铝、镍都具有良好的导电效果，可以使导电性薄膜10具有良好的导电性。
在本实用新型的一些实施例中，基体14可以设置为PET(polyethyleneterephthalate-聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(Polycarbonate-聚碳酸酯)、COP(Coefficient Of Performance-光学材料)、PI(PolyimideFilm-聚酰亚胺薄膜)、COC(Cycloolefin copolymer-环烯烃共聚物)、PVDF(Polyvinylidene fluoride-聚偏氟乙烯)中的一种。PI是性能好的薄膜类绝缘材料。这样设置能够使基体14具有良好的耐化学腐蚀、耐高温、耐氧化的性能，也能够使基体14具有压电性、介电性、热电性等性能，从而可以保证基体14的工作性能，进而可以使基体14的设置材料更加合理。
在本实用新型的一些实施例中，金属氧化物层12的厚度可以设置为D，金属氧化物层12的厚度方向是指图1中的上下方向，满足关系式：5≤D≤150nm，优选地，20≤D≤40nm。蚀刻液蚀刻金属氧化物层12时，如此设置便于蚀刻液蚀刻金属氧化物层12，可以节省蚀刻液蚀刻金属氧化物层12的时间，从而可以提升导电性薄膜10的蚀刻效率，进而可以使金属氧化物层12的厚度更加适宜。
根据本实用新型实施例的触控面板，包括上述实施例的导电性薄膜10，导电性薄膜10设置在触控面板上。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种导电性薄膜，其特征在于，包括：
基体；
纳米银丝层，所述纳米银丝层设于所述基体；
金属氧化物层，所述金属氧化物层与所述基体连接，所述纳米银丝层夹设于所述基体和所述金属氧化物层之间。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于，所述导电性薄膜的光透过率大于等于88％。
3.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜，其特征在于，所述导电性薄膜的雾度小于等于0.5％。
4.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜，其特征在于，所述金属氧化物层构造为铟锡氧化物层和/或铟锌氧化物层。
5.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜，其特征在于，还包括：导电金属层，所述导电金属层设于所述金属氧化物层的远离所述纳米银丝层的表面。
6.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其特征在于，所述导电金属层为铜、铝、镍中的一种。
7.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜，其特征在于，所述基体为PET聚对苯二甲酸乙二醇酯、PC聚碳酸酯、PI聚酰亚胺薄膜、COC环烯烃共聚物、PVDF聚偏氟乙烯中的一种。
8.一种触控面板，其特征在于，包括根据权利要求1-7中任一项所述的导电性薄膜。
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