CN213958935U - 一种硅片载板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及硅片镀膜技术领域，提供一种硅片载板，包括：本体；第一凹槽，由所述本体的一面向内凹陷形成；第二凹槽，由所述第一凹槽的槽底向内凹陷形成，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的区域形成台阶面，适于支撑硅片的边缘区域；凸起，设置在所述第二凹槽的槽底，适于支撑硅片的中间区域。本实用新型提供的硅片载板，在本体的一面设置有第一凹槽与第二凹槽，两者形成台阶面，适于支撑硅片的边缘区域，减少了硅片与硅片载板的直接接触面积，减少硅片与载板摩擦和污染，减少了镀膜过程中和收取片时硅片PL损伤几率和碎片几率。并且，在第二凹槽的槽底设置有凸起，对硅片可以起到支撑作用。

Description

一种硅片载板

技术领域

本实用新型涉及硅片镀膜技术领域，具体涉及一种硅片载板。

背景技术

硅片镀膜工艺中，通常需要借助载板对硅片进行支撑限位。现有的载板为玻璃载板上刻蚀长方体形空槽，空槽长宽高都些微大于硅片本身长宽高，适合硅片放入即可。

现有的硅基异质结电池PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)载板一般适用于厚度范围为140～180μm的硅片，该厚度范围的硅片几乎不可弯曲，且稍有弯曲也易破碎。对于厚度范围为10～90μm的超薄柔性硅基异质结电池可以弯曲360°以上，由于其较薄，硅片容易发生弯曲变形，硅片置于现有的载板内时，硅片与载板的板面为面接触，容易造成PL(Photoluminescence，光致发光)损伤和碎片。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的载板放置超薄柔性硅基异质结电池时，硅片与载板的板面为面接触，容易造成PL损伤和碎片的缺陷，从而提供一种硅片载板。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下：

一种硅片载板，包括：本体；第一凹槽，由所述本体的一面向内凹陷形成；第二凹槽，由所述第一凹槽的槽底向内凹陷形成，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的区域形成台阶面，适于支撑硅片的边缘区域；凸起，设置在所述第二凹槽的槽底，适于支撑硅片的中间区域。

进一步地，所述第一凹槽的边长大于硅片的边长；所述第二凹槽的边长小于硅片的边长。

进一步地，所述凸起沿所述第二凹槽的对角线间隔设置有多个。

进一步地，所述凸起背向所述第二凹槽的槽底的表面为曲面。

进一步地，所述凸起呈半球状结构，所述半球状结构背对所述第二凹槽的一端与所述第一凹槽的槽底相平齐。

进一步地，所述第二凹槽的槽底上还设有向上凸出且顶面为平面的柱体，所述柱体的顶面与所述第一凹槽的槽底相平齐。

进一步地，所述柱体有四个且分别设置在所述第二凹槽的对角线上，且所述柱体和所述第二凹槽的侧壁之间的距离小于所述凸起和所述第二凹槽的侧壁之间的距离。

进一步地，所述台阶面上设置有通孔，所述通孔与所述第一凹槽的槽壁之间的间距不小于硅片边缘与所述第一凹槽的槽壁之间的间距。

进一步地，所述凸起与所述本体的材质不同，所述凸起嵌设在所述第二凹槽的槽底；和/或，所述凸起与所述本体的材质相同，所述凸起与所述本体一体成型。

进一步地，所述凸起与所述本体的材质不同时，所述凸起为聚醚醚酮材质，所述本体为玻璃材质；所述凸起与所述本体的材质相同时，所述凸起的材质为石墨或陶瓷。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

1.本实用新型提供的硅片载板，在本体的一面设置有第一凹槽与第二凹槽，两者形成台阶面，适于支撑硅片的边缘区域，减少了硅片与硅片载板的直接接触面积，减少硅片与载板摩擦和污染，减少了镀膜过程中和收取片时硅片PL损伤几率和碎片几率。并且，在第二凹槽的槽底设置有凸起，对硅片的中间区域可以起到支撑作用，使硅片尽可能地在载板上保持平行。

2.本实用新型提供的硅片载板，在第二凹槽的槽底还设置有多个柱体，可以对硅片起到一定的支撑作用；多个柱体沿第二凹槽的对角线分布时，有利于使硅片受力更加均匀，硅片与硅片载板尽可能平行，使硅片镀膜更加均匀。

3.本实用新型提供的硅片载板，凸起呈半球状结构，硅片与半球状结构为点面接触，起到支撑作用的同时，还减少了硅片与硅片载板的接触面积，有利于减小硅片的PL损伤几率和硅片碎片几率。

4.本实用新型提供的硅片载板，多个凸起沿第二凹槽的对角线分布时，有利于使硅片受力更加均匀，硅片与硅片载板尽可能平行，使硅片镀膜更加均匀。

5.本实用新型提供的硅片载板，凸起与本体的材质可以相同，也可以不同，可以根据需要选用合适的材质及加工方法。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中硅片载板的俯视图；

图2为本实用新型实施例中硅片载板的剖面图。

附图标记说明：

1、本体； 2、第一凹槽； 3、第二凹槽；

4、凸起； 5、柱体； 6、硅片。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

图1为本实用新型实施例中硅片载板的俯视图；图2为本实用新型实施例中硅片载板的剖面图；如图1与图2所示，本实用新型提供一种硅片载板，包括：本体1；第一凹槽2，由本体1的一面向内凹陷形成；第二凹槽3，由第一凹槽2的槽底向内凹陷形成，第一凹槽2与第二凹槽3之间的区域形成台阶面，适于支撑硅片6的边缘区域；凸起4，设置在第二凹槽3的槽底，适于支撑硅片6的中间区域。

具体的，本体1可以为矩形板，第一凹槽2与第二凹槽3均可以为矩形槽，第一凹槽2与第二凹槽3的中心可以重合。例如，第一凹槽2的长与宽均可以为158mm，深度可以为5mm。例如，第二凹槽3的长与宽均可以为156mm，深度可以为2.5mm。例如，凸起4的顶面可以为曲面，也可以为平面，还可以为点状。

使用时，硅片6的边缘区域搁置在台阶面上，硅片6的中间区域由凸起4进行支撑。

本实用新型提供的硅片载板，在本体1的一面设置有第一凹槽2与第二凹槽3，两者形成台阶面，适于支撑硅片6的边缘区域，减少了硅片6与硅片载板的直接接触面积，减少硅片6与载板摩擦和污染，减少了镀膜过程中和收取片时硅片6PL损伤几率和碎片几率。并且，在第二凹槽3的槽底设置有凸起4，对硅片6的中间区域可以起到支撑作用，使硅片6尽可能地在本体1上保持平行。

本实施例中，第一凹槽2的边长大于硅片6的边长；第二凹槽3的边长小于硅片6的边长。

本实施例中，凸起4沿第二凹槽3的对角线间隔设置有多个。例如，可以有五个凸起4，其中一个凸起4可以位于第二凹槽3的槽底的中心位置。其余四个凸起4与该凸起4的间隔可以根据需要设置。五个凸起4沿第二凹槽3的对角线分布时，有利于使硅片6受力更加均匀，硅片6与本体1尽可能平行，使硅片6镀膜更加均匀。

本实施例中，凸起4背向第二凹槽3的槽底的表面为曲面。

本实施例中，凸起4呈半球状结构，半球状结构背对第二凹槽3的一端与第一凹槽2的槽底相平齐。例如，凸起4的半径可以为2.5mm。如此设置，有利于使硅片6受力更加均匀，硅片6与硅片载板尽可能平行，使硅片6镀膜更加均匀。

本实施例中，第二凹槽3的槽底上还设有向上凸出且顶面为平面的柱体5，柱体5的顶面与第一凹槽2的槽底相平齐。例如，该柱体5可以为圆柱体5。该柱体5的底面圆的半径可以为2.5mm，柱体5的高度可以为2.5mm。如此设置，可以对硅片6起到一定的支撑作用。

本实施例中，柱体5有四个且分别设置在第二凹槽3的对角线上，且柱体5和第二凹槽3的侧壁之间的距离小于凸起4和第二凹槽3的侧壁之间的距离。多个柱体5沿第二凹槽3的对角线分布时，有利于使硅片6受力更加均匀，硅片6与硅片载板尽可能平行，使硅片6镀膜更加均匀。

本实施例中，台阶面上设置有通孔(图中未示出)，通孔与第一凹槽2的槽壁之间的间距不小于硅片6边缘与第一凹槽2的槽壁之间的间距。如此设置，当硅片6吸附在硅片载板上时，可以用签状物体插在该通孔内，使硅片6与硅片载板分离，方便取出硅片6。

本实施例中，凸起4与本体1的材质不同，凸起4嵌设在第二凹槽3的槽底；和/或，凸起4与本体1的材质相同，凸起4与本体1一体成型。例如，当凸起4与本体1的材质不同时，可以在第二凹槽3的槽底的目标位置打孔，再将凸起4嵌入该孔内。凸起4与本体1可以粘接连接。例如，当凸起4与本体1的材质相同时，可以采用刻蚀的方法一体成型。

本实施例中，凸起4与本体1的材质不同时，凸起4为PEEK(poly－ether－ether－ketone，聚醚醚酮)材质，该材质可以在300℃的温度下正常使用。本体1为玻璃材质。

凸起4与本体1的材质相同时，凸起4与本体1的材质为石墨或陶瓷等易加工成型的材料。

本实用新型提供的硅片载板，使用时，硅片的边缘搭载在台阶面上，且台阶面上的通孔被硅片覆盖，柱体与凸起分别对硅片的中间区域起到支撑作用。而且，柱体及凸起与硅片的接触面积较小，有利于减少硅片与硅片载板摩擦和污染，减少了镀膜过程中和收取片时硅片PL损伤几率和碎片几率。

该硅片载板特别适用于作为超薄柔性硅基的载具，实现10～90μm厚度的超轻柔性、可弯曲性的硅片传输、装载和镀膜，从而实现应用于超轻组件、柔性组件等领域的超薄柔性硅基异质结电池制备。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种硅片载板，其特征在于，包括：

本体(1)；

第一凹槽(2)，由所述本体(1)的一面向内凹陷形成；

第二凹槽(3)，由所述第一凹槽(2)的槽底向内凹陷形成，所述第一凹槽(2)与所述第二凹槽(3)之间的区域形成台阶面，适于支撑硅片(6)的边缘区域；

凸起(4)，设置在所述第二凹槽(3)的槽底，适于支撑硅片(6)的中间区域。

2.根据权利要求1所述的硅片载板，其特征在于，

所述第一凹槽(2)的边长大于硅片(6)的边长；

所述第二凹槽(3)的边长小于硅片(6)的边长。

3.根据权利要求1所述的硅片载板，其特征在于，

所述凸起(4)沿所述第二凹槽(3)的对角线间隔设置有多个。

4.根据权利要求1所述的硅片载板，其特征在于，

所述凸起(4)背向所述第二凹槽(3)的槽底的表面为曲面。

5.根据权利要求4所述的硅片载板，其特征在于，

所述凸起(4)呈半球状结构，所述半球状结构背对所述第二凹槽(3)的一端与所述第一凹槽(2)的槽底相平齐。

6.根据权利要求1所述的硅片载板，其特征在于，

所述第二凹槽(3)的槽底上还设有向上凸出且顶面为平面的柱体(5)，所述柱体(5)的顶面与所述第一凹槽(2)的槽底相平齐。

7.根据权利要求6所述的硅片载板，其特征在于，

所述柱体(5)有四个且分别设置在所述第二凹槽(3)的对角线上，所述柱体(5)和所述第二凹槽(3)的侧壁之间的距离小于所述凸起(4)和所述第二凹槽(3)的侧壁之间的距离。

8.根据权利要求1－7任一项所述的硅片载板，其特征在于，

所述台阶面上设置有通孔，所述通孔与所述第一凹槽(2)的槽壁之间的间距不小于硅片(6)边缘与所述第一凹槽(2)的槽壁之间的间距。

9.根据权利要求1－7任一项所述的硅片载板，其特征在于，

所述凸起(4)与所述本体(1)的材质不同，所述凸起(4)嵌设在所述第二凹槽(3)的槽底；

和/或，所述凸起(4)与所述本体(1)的材质相同，所述凸起(4)与所述本体(1)一体成型。

10.根据权利要求9所述的硅片载板，其特征在于，

所述凸起(4)与所述本体(1)的材质不同时，所述凸起(4)为聚醚醚酮材质，所述本体(1)为玻璃材质；

所述凸起(4)与所述本体(1)的材质相同时，所述凸起(4)的材质为石墨或陶瓷。

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