CN213833260U - 一种用于半导体硅片快速退火的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于半导体硅片快速退火的装置,包括炉口,所述炉口配合设置有送料装置,所述送料装置包括托辊、输送带和侧板,所述托辊和输送带传动连接,所述侧板和输送带固定连接,所述侧板可拆卸连接有多组石英支杆,所述炉口通过输送带活动连接有多组硅片,所述硅片通过石英支杆和输送带配合设置,相邻所述硅片之间设有挡板,所述输送带配合设有冷风排。本实用新型通过设置一种用于半导体硅片快速退火的装置,使得工作人员在半导体硅片进行热处理工作后直接通过输送带进行移动式退火工作,有效提高装置的退火效率,同时硅片在移动过程中通过底部的冷风排进行快速退火,有效提高硅片的退火质量,适合范围进行推广。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体硅片制造加工技术领域,尤其涉及一种用于半导体硅片快速退火的装置。
背景技术
半导体硅片是以硅为材料制造的片状物体,是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料,是半导体产业链基础性的一环。在半导体硅片的生产过程中退火工序是十分重要的一个步骤,直接影响半导体硅片的生产效率和制造质量,随着半导体硅片的制造要求不断增加,半导体硅片的退火装置在实际工作中存在的不足也急需去完善。
现有技术中,半导体硅片的退火方式多数采用往复式退火工作,即通过石英舟将热处理后的硅片集中送往冷却风扇进行退火工作,但是在实际退火工作中,石英舟往复工作大大降低装置的退火效率,同时硅片集中退火容易减小硅片的散热面积,降低硅片的退火质量。
为此,我们提出来一种用于半导体硅片快速退火的装置解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述的问题,而提出的一种循环输送退火效率高的同时退火效果好的用于半导体硅片快速退火的装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种用于半导体硅片快速退火的装置,包括炉口,所述炉口配合设置有送料装置,所述送料装置包括托辊、输送带和侧板,所述托辊和输送带传动连接,所述侧板和输送带固定连接,所述侧板可拆卸连接有多组石英支杆,所述炉口通过输送带活动连接有多组硅片,所述硅片通过石英支杆和输送带配合设置,相邻所述硅片之间设有挡板,所述输送带配合设有冷风排。
优选地,所述侧板通过多组竖板排列组成,相邻所述竖板之间设有间隙,所述石英支杆和竖板可拆卸连接。
优选地,其中一组所述竖板设有圆孔,另一组所述竖板设有固定孔,所述石英支杆通过圆孔和固定孔螺纹连接。
优选地,所述石英支杆靠近固定孔的一端设有外螺纹,所述外螺纹和固定孔螺纹连接,所述石英支杆远离固定孔的一端设有转动块,所述转动块采用T形结构。
优选地,所述挡板靠近输送带的一端通过粘结板和输送带可拆卸连接,所述挡板远离输送带的一端采用弧形结构。
优选地,所述冷风排设置在输送带送料方向的底部,所述冷风排倾斜设有多组出风口,所述输送带设有通风孔,所述出风口和通风孔配合设置。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
1、通过对半导体硅片退火装置设置输送带,使得工作人员在半导体硅片进行热处理工作后直接通过输送带进行移动式退火工作,有效提高装置的退火效率,同时硅片在移动过程中通过底部的冷风排进行快速退火,有效提高硅片的退火质量,适合范围进行推广。
2、通过对退火装置设置可拆卸连接的石英支杆,配合挡板进行限位,使得工作人员可以根据不同尺寸类型的半导体硅片,调整装置进行使用,增加装置的退火类型,提高装置的资源利用。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种用于半导体硅片快速退火的装置的结构示意图;
图2为本实用新型提出的一种用于半导体硅片快速退火的装置中输送带的局部结构示意图。
图中:1炉口、2送料装置、3托辊、4输送带、41通风孔、5侧板、51竖板、511圆孔、512固定孔、52间隙、6石英支杆、61外螺纹、62转动块、7硅片、8挡板、81粘结板、9冷风排、91出风口。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种用于半导体硅片快速退火的装置,包括炉口1,炉口1配合设置有送料装置2,需要说明的是,炉口1连接半导体硅片的热处理装置,送料装置2通过驱动机构进行移动退火工作。
送料装置2包括托辊3、输送带4和侧板5,托辊3和输送带4传动连接,侧板5和输送带4固定连接,需要注意的是,输送带4的工作长度足够长,保证半导体硅片能够完成退火工作,侧板5通过多组竖板51排列组成,相邻竖板51之间设有间隙52,保证侧板5在输送带4移动到托辊3处弯曲时正常工作。
侧板5可拆卸连接有多组石英支杆6,需要说明的是,石英支杆6和竖板51可拆卸连接,具体的可拆卸连接方式:其中一组竖板51设有圆孔511,另一组竖板51设有固定孔512,石英支杆6通过圆孔511和固定孔512螺纹连接。
更具体的,石英支杆6靠近固定孔512的一端设有外螺纹61,固定孔512采用螺纹孔结构,外螺纹61和固定孔512螺纹连接,石英支杆6远离固定孔512的一端设有转动块62,转动块62采用T形结构,便于工作人员的拆卸连接工作。
炉口1通过输送带4活动连接有多组硅片7,硅片7通过石英支杆6和输送带4配合设置,相邻硅片7之间设有挡板8,需要注意的是,挡板8靠近输送带4的一端通过粘结板81和输送带4可拆卸连接,挡板8远离输送带4的一端采用弧形结构,通过挡板8和竖板51的限位,提高硅片7移动过程中的稳定性,避免硅片7在移动退火过程中产生大幅度偏移。
输送带4配合设有冷风排9,需要说明的是,冷风排9设置在输送带4送料方向的底部,冷风排9倾斜设有多组出风口91,输送带4设有通风孔41,出风口91和通风孔41配合设置,使得硅片7移动过程中底部进行快速退火工作。
现对本实用新型的操作原理做如下描述:
本实用新型使用时,工作人员根据需要制造半导体硅片的尺寸类型,灵活调整石英支杆6的间隙大小,具体的调整过程:根据连接需求,通过转动块62将石英支杆6穿过竖板51的圆孔511和输送带4对应位置竖板51的固定孔512进行螺纹连接,石英支杆6连接完成后通过粘结板81将挡板8和输送带4进行固定,配合石英支杆6对硅片7进行限位支撑,完成装置的准备工作。装置退火工作中,托辊3在驱动机构的带动下进行转动,托辊3带动输送带4进行移动,冷分排1进行风冷工作,工作人员将热处理完成的半导体硅片通过夹持装置从炉口1移动到输送带4的石英支杆6上,通过挡板8和竖板51进行限位输送,硅片7缓慢移动到冷风排9附近时,冷风从出风口91通过输送带4的通风孔41对硅片7的底部进行快速退火,直至完成退火后进入下一道加工工序。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种用于半导体硅片快速退火的装置,包括炉口(1),其特征在于,所述炉口(1)配合设置有送料装置(2),所述送料装置(2)包括托辊(3)、输送带(4)和侧板(5),所述托辊(3)和输送带(4)传动连接,所述侧板(5)和输送带(4)固定连接,所述侧板(5)可拆卸连接有多组石英支杆(6),所述炉口(1)通过输送带(4)活动连接有多组硅片(7),所述硅片(7)通过石英支杆(6)和输送带(4)配合设置,相邻所述硅片(7)之间设有挡板(8),所述输送带(4)配合设有冷风排(9)。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体硅片快速退火的装置,其特征在于,所述侧板(5)通过多组竖板(51)排列组成,相邻所述竖板(51)之间设有间隙(52),所述石英支杆(6)和竖板(51)可拆卸连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体硅片快速退火的装置,其特征在于,其中一组所述竖板(51)设有圆孔(511),另一组所述竖板(51)设有固定孔(512),所述石英支杆(6)通过圆孔(511)和固定孔(512)螺纹连接。
4.根据权利要求3所述的一种用于半导体硅片快速退火的装置,其特征在于,所述石英支杆(6)靠近固定孔(512)的一端设有外螺纹(61),所述外螺纹(61)和固定孔(512)螺纹连接,所述石英支杆(6)远离固定孔(512)的一端设有转动块(62),所述转动块(62)采用T形结构。
5.根据权利要求1所述的一种用于半导体硅片快速退火的装置,其特征在于,所述挡板(8)靠近输送带(4)的一端通过粘结板(81)和输送带(4)可拆卸连接,所述挡板(8)远离输送带(4)的一端采用弧形结构。
6.根据权利要求1所述的一种用于半导体硅片快速退火的装置,其特征在于,所述冷风排(9)设置在输送带(4)送料方向的底部,所述冷风排(9)倾斜设有多组出风口(91),所述输送带(4)设有通风孔(41),所述出风口(91)和通风孔(41)配合设置。
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CN202022244956.XU CN213833260U (zh) | 2020-10-11 | 2020-10-11 | 一种用于半导体硅片快速退火的装置 |
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CN (1) | CN213833260U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114214733A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-22 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法 |
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2020
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CN114214733A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-22 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法 |
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