CN213716909U - 一种集成封装的大电流肖特基二极管 - Google Patents

Abstract

本实用新型系提供一种集成封装的大电流肖特基二极管，包括绝缘散热座、绝缘散热盖、第一导电脚、两个第二导电脚和两个肖特基芯片；绝缘散热座上设有第一镶嵌槽和两个第二镶嵌槽，第一镶嵌槽设有第一插孔，第二镶嵌槽设有第二插孔；第一导电脚设有第一定位孔；第二导电脚设有第二定位孔；肖特基芯片焊接于第一焊接板上，肖特基芯片的顶部通过导电桥连接第二焊接板；绝缘散热盖的底部固定有一个第一定位柱和两个第二定位柱，第一定位柱穿过第一定位孔接插于第一插孔中，第二定位柱穿过第二定位孔接插于第二插孔中。本实用新型能够实现单管或双管的工作性能，绝缘散热盖和绝缘散热座能够显著提高传递效率，封装和拆卸操作方便。

Description

一种集成封装的大电流肖特基二极管

技术领域

本实用新型涉及二极管领域，具体公开了一种集成封装的大电流肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成金属-半导体结制作而成的，具备开关速度快、开关损耗小等优点，适用于高频应用。

肖特基二极管可通过直插式或贴片式进行封装，分别应用于不同的使用环境，贴片式的封装模式能够满足当下扁平轻薄化电子产品的使用需求，但应用时贴片式的肖特基二极管紧贴于PCB板的表面安装，散热效率低，大电流工作时产生的热量多，影响其工作性能，此外，以对管的方式进行封装时，两个肖特基芯片工作时产生的热量更多，对工作性能的影响更大。

实用新型内容

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种集成封装的大电流肖特基二极管，不仅具备单或双管的工作性能，且具有良好的散热性能，大电流工作时各项性能稳定。

为解决现有技术问题，本实用新型公开一种集成封装的大电流肖特基二极管，包括绝缘散热座和绝缘散热盖，绝缘散热座和绝缘散热盖之间设有一个第一导电脚、两个第二导电脚和两个肖特基芯片；

绝缘散热座上设有第一镶嵌槽和两个第二镶嵌槽，第一镶嵌槽包括连通的第一外凹槽和第一内凹槽，第二镶嵌槽包括第二外凹槽和第二内凹槽，第一外凹槽的槽底设有第一插孔，第二外凹槽的槽底设有第二插孔，第一内凹槽分别与两个第二内凹槽之间均连接有接线让位槽；

第一导电脚包括第一底板、第一斜立板、第一顶板和第一焊接板，第一顶板限位于第一外凹槽中，第一焊接板限位于第一内凹槽中，第一顶板中设有第一定位孔；

第二导电脚包括第二底板、第二斜立板、第二顶板和第二焊接板，第二顶板限位于第二外凹槽中，第二焊接板限位于第二内凹槽中，第二顶板中设有第二定位孔；

肖特基芯片焊接于第一焊接板上，肖特基芯片的顶部通过导电桥连接第二焊接板，导电桥限位于接线让位槽中，第一镶嵌槽的深度等于第一焊接板和肖特基芯片的厚度之和，第二镶嵌槽的深度等于第二焊接板的厚度；

绝缘散热盖的底部固定有一个第一定位柱和两个第二定位柱，第一定位柱穿过第一定位孔接插于第一插孔中，第二定位柱穿过第二定位孔接插于第二插孔中。

进一步的，绝缘散热座为散热陶瓷座，绝缘散热盖为导热硅胶盖。

进一步的，绝缘散热盖与第一定位柱之间还固定连接有限位压板，限位压板位于第一外凹槽中。

进一步的，绝缘散热盖的四周固定有向下凸出的侧板，侧板的底部设有一个第一引脚让位槽和两个第二引脚让位槽，第一引脚让位槽与第一外凹槽连通，第二引脚让位槽与第二外凹槽连通。

进一步的，侧板的底部固定有两个卡位凸块，绝缘散热座的侧壁设有两个卡位槽，卡位凸块卡接于卡位槽中。

进一步的，第一镶嵌槽与第二镶嵌槽均为T字形结构。

本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种集成封装的大电流肖特基二极管，应用时根据不同的接线能够实现单管或双管的工作性能，应用范围广，整体结构的占用空间小；与肖特基芯片、导电脚紧贴接触的绝缘散热盖和绝缘散热座能够显著提高传递效率，具有良好的散热性能，大电流工作时也能够避免发生严重热量积聚而影响各项性能的稳定，封装和拆卸操作方便，一旦发生故障可不必直接进行报废处理，资源利用率高，且整体结构稳定牢固，可避免内部的导电连接结构发生偏移。

附图说明

图1为本实用新型的分解结构示意图。

图2为本实用新型中绝缘散热盖的结构示意图。

附图标记为：绝缘散热座10、第一镶嵌槽11、第一外凹槽111、第一内凹槽112、第一插孔113、第二镶嵌槽12、第二外凹槽121、第二内凹槽122、第二插孔123、接线让位槽13、卡位槽14、绝缘散热盖20、第一定位柱21、限位压板211、第二定位柱22、侧板23、第一引脚让位槽231、第二引脚让位槽232、卡位凸块24、第一导电脚30、第一底板31、第一斜立板32、第一顶板33、第一定位孔331、第一焊接板34、第二导电脚40、第二底板41、第二斜立板42、第二顶板43、第二定位孔431、第二焊接板44、肖特基芯片50、导电桥51。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

参考图1、图2。

本实用新型实施例公开一种集成封装的大电流肖特基二极管，包括绝缘散热座10和盖设在其上的绝缘散热盖20，绝缘散热座10和绝缘散热盖20之间设有一个第一导电脚30、两个第二导电脚40和两个肖特基芯片50；

绝缘散热座10上设有相互独立的第一镶嵌槽11和两个第二镶嵌槽12，第一镶嵌槽11包括连通的第一外凹槽111和第一内凹槽112，第一外凹槽111贯穿绝缘散热座10的侧端面，第一内凹槽112设置于绝缘散热座10的中心区域，第二镶嵌槽12包括第二外凹槽121和第二内凹槽122，第二外凹槽121贯穿绝缘散热座10的侧端面，第二内凹槽122设置于绝缘散热座10的中心区域，第一外凹槽111的槽底设有第一插孔113，每个第二外凹槽121的槽底均设有第二插孔123，第一内凹槽112分别与两个第二内凹槽122之间均连接有接线让位槽13；

第一导电脚30包括依次连接的第一底板31、第一斜立板32、第一顶板33和第一焊接板34，第一顶板33和第一焊接板34位于同一水平面，第一底板31位于第一顶板33的下方一侧，第一斜立板32从上至下远离绝缘散热座10倾斜，第一顶板33和第一底板31分别连接第一斜立板32的顶端和底端，第一斜立板32和第一底板31均位于绝缘散热座10外，第一顶板33限位于第一外凹槽111中，第一焊接板34限位于第一内凹槽112中，第一顶板33中设有第一定位孔331，第一定位孔331连通于第一插孔113的顶部；

第二导电脚40包括依次连接的第二底板41、第二斜立板42、第二顶板43和第二焊接板44，第二顶板43和第二焊接板44位于同一水平面，第二底板41位于第二顶板43的下方一侧，第二斜立板42从上至下远离绝缘散热座10倾斜，第二顶板43和第二底板41分别连接第二斜立板42的顶端和底端，第二斜立板42和第二底板41均位于绝缘散热座10外，第二顶板43限位于第二外凹槽121中，第二焊接板44限位于第二内凹槽122中，第二顶板43中设有第二定位孔431，第二定位孔431连通于第二插孔123的顶部；

两个肖特基芯片50的底部电极均焊接于第一焊接板34上，各个肖特基芯片50的顶部电极均通过导电桥51连接两个第二焊接板44，优选地，导电桥51为铜制片结构，两个导电桥51分别限位于两个接线让位槽13中，第一镶嵌槽11的深度大于等于第一焊接板34和肖特基芯片50的厚度之和，能够确保第一镶嵌槽11可为第一导电脚30和肖特基芯片50形成充足容纳空间，第二镶嵌槽12的深度大于等于第二焊接板44的厚度，能够确保第二镶嵌槽12可为第二焊接板44提供充足的容纳空间；

绝缘散热盖20的底部固定有一个第一定位柱21和两个第二定位柱22，第一定位柱21穿过第一定位孔331接插于第一插孔113中，两个第二定位柱22分别穿过两个第二定位孔431接插于两个第二插孔123中，能够有效提高整体结构的定位效果。

本实用新型内部设置有两个肖特基芯片50，两个肖特基芯片50可通过第一焊接板34以共阴极、共阳极或串联的方式实现连接，应用时，可取其中一个肖特基芯片50单独使用或同时使用两个肖特基芯片50，将第一导电脚30和第二导电脚40连接到电路板对应的电路中即可，应用范围广，占用空间小；由于绝缘散热座10和绝缘散热盖20均具备优良的散热性能，能够显著提高整体结构的散热性能，在大电流工作的情况下能够有效避免热量积聚而影响其工作性能，且肖特基二极管和导电脚均嵌入到绝缘散热座10中，导热效率高、结构稳定性强；绝缘散热座10、绝缘散热盖20和各个导电脚之间均具备定位结构实现连接限位，能够有效提高整体结构的牢固性，组装拆卸操作方便。

在本实施例中，绝缘散热座10为绝缘的散热陶瓷座，绝缘散热盖20为导热硅胶盖，散热陶瓷和导热硅胶均具备良好的散热性能和绝缘性能，能够有效提高整体结构散热性能以及其可靠性，且散热陶瓷座具备良好的刚性，能够起结构稳固的效果，具备一定弹性的导热硅胶盖能够提高内部结构的紧密连接效果，同时能够提高整体结构的防撞性能。

在本实施例中，绝缘散热盖20与第一定位柱21之间还固定连接有限位压板211，优选地，限位压板211的厚度与肖特基芯片50的厚度相等，限位压板211位于第一外凹槽111中，封装盖合后，限位压板211紧压于第一顶板33上，能够有效提高整体结构的牢固性。

在本实施例中，绝缘散热盖20的四周均固定有向下凸出的环形的侧板23，侧板23围绕在绝缘散热座10四周，侧板23的底部设有一个第一引脚让位槽231和两个第二引脚让位槽232，第一引脚让位槽231与第一外凹槽111连通，第一斜立板32穿过在第一引脚让位槽231，第二引脚让位槽232与第二外凹槽121连通，第二斜立板42穿过第二引脚让位槽232。

基于上述实施例，侧板23的底部固定有两个相对设置的卡位凸块24，绝缘散热座10的侧壁设有两个相对设置的卡位槽14，卡位凸块24卡接于卡位槽14中，能够有效提高绝缘散热座10与绝缘散热盖20之间连接结构的牢固性。

在本实施例中，第一镶嵌槽11与第二镶嵌槽12均为T字形结构，能够对形状与之匹配的第一导电脚30和第二导电脚40实现能够可靠地卡位于绝缘散热座10中，从而进一步提高整体结构的稳定性。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种集成封装的大电流肖特基二极管，其特征在于，包括绝缘散热座(10)和绝缘散热盖(20)，所述绝缘散热座(10)和所述绝缘散热盖(20)之间设有一个第一导电脚(30)、两个第二导电脚(40)和两个肖特基芯片(50)；

所述绝缘散热座(10)上设有第一镶嵌槽(11)和两个第二镶嵌槽(12)，所述第一镶嵌槽(11)包括连通的第一外凹槽(111)和第一内凹槽(112)，所述第二镶嵌槽(12)包括第二外凹槽(121)和第二内凹槽(122)，所述第一外凹槽(111)的槽底设有第一插孔(113)，所述第二外凹槽(121)的槽底设有第二插孔(123)，所述第一内凹槽(112)分别与两个所述第二内凹槽(122)之间均连接有接线让位槽(13)；

所述第一导电脚(30)包括第一底板(31)、第一斜立板(32)、第一顶板(33)和第一焊接板(34)，所述第一顶板(33)限位于所述第一外凹槽(111)中，所述第一焊接板(34)限位于所述第一内凹槽(112)中，所述第一顶板(33)中设有第一定位孔(331)；

所述第二导电脚(40)包括第二底板(41)、第二斜立板(42)、第二顶板(43)和第二焊接板(44)，所述第二顶板(43)限位于所述第二外凹槽(121)中，所述第二焊接板(44)限位于所述第二内凹槽(122)中，所述第二顶板(43)中设有第二定位孔(431)；

所述肖特基芯片(50)焊接于所述第一焊接板(34)上，所述肖特基芯片(50)的顶部通过导电桥(51)连接所述第二焊接板(44)，所述导电桥(51)限位于所述接线让位槽(13)中，所述第一镶嵌槽(11)的深度等于所述第一焊接板(34)和所述肖特基芯片(50)的厚度之和，所述第二镶嵌槽(12)的深度等于所述第二焊接板(44)的厚度；

所述绝缘散热盖(20)的底部固定有一个第一定位柱(21)和两个第二定位柱(22)，所述第一定位柱(21)穿过所述第一定位孔(331)接插于所述第一插孔(113)中，所述第二定位柱(22)穿过所述第二定位孔(431)接插于所述第二插孔(123)中。

2.根据权利要求1所述的一种集成封装的大电流肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘散热座(10)为散热陶瓷座，所述绝缘散热盖(20)为导热硅胶盖。

3.根据权利要求1所述的一种集成封装的大电流肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘散热盖(20)与所述第一定位柱(21)之间还固定连接有限位压板(211)，所述限位压板(211)位于所述第一外凹槽(111)中。

4.根据权利要求1所述的一种集成封装的大电流肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘散热盖(20)的四周固定有向下凸出的侧板(23)，所述侧板(23)的底部设有一个第一引脚让位槽(231)和两个第二引脚让位槽(232)，所述第一引脚让位槽(231)与所述第一外凹槽(111)连通，所述第二引脚让位槽(232)与所述第二外凹槽(121)连通。

5.根据权利要求4所述的一种集成封装的大电流肖特基二极管，其特征在于，所述侧板(23)的底部固定有两个卡位凸块(24)，所述绝缘散热座(10)的侧壁设有两个卡位槽(14)，所述卡位凸块(24)卡接于所述卡位槽(14)中。

6.根据权利要求1所述的一种集成封装的大电流肖特基二极管，其特征在于，所述第一镶嵌槽(11)与所述第二镶嵌槽(12)均为T字形结构。

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