CN213716891U - 一种弹性防裂的场效应晶体管 - Google Patents

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Abstract

本实用新型系提供一种弹性防裂的场效应晶体管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有场效应管芯片；第一导电脚包括一个第一顶板、若干第一斜接杆和一个第一底板，第一斜接杆包括第一水平段、第一倾斜段和第一竖直段，第一水平段位于绝缘封装体内，第一倾斜段和第一竖直段均位于绝缘封装体外；第二导电脚包括一个第二顶板、若干第二斜接杆和一个第二底板，第二斜接杆包括第二水平段、第二倾斜段和第二竖直段，第二水平段位于绝缘封装体内，第二倾斜段和第二竖直段均位于绝缘封装体外。本实用新型形成有若干间隔设置斜接杆结构，能够有效缓冲外界的冲击或挤压，还能够有效释放封装过程中形成的应力，避免绝缘封装体被撕裂。

Description

一种弹性防裂的场效应晶体管
技术领域
本实用新型涉及二极管领域，具体公开了一种弹性防裂的场效应晶体管。
背景技术
场效应晶体管简称场效应管，属于电压控制的半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应晶体管被广泛应用于不同领域的电子产品里，现有技术中，焊接安装于PCB板的场效应晶体管一旦受到压力或冲击，受压后的引脚将会发生不可逆的形变，在受到严重的挤压时，还会导致PCB板被压坏，此外，现有技术中，由于场效应晶体管一般具备三个引脚，在封装过程中容易因内部形成较大应力而发生撕裂，影响场效应晶体管的性能。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种弹性防裂的场效应晶体管，具有良好的弹性恢复能力，可有效卸去外界的冲击或挤压，且内部结构能够有效释放封装过程中形成的应力，整体结构稳定牢固。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种弹性防裂的场效应晶体管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有场效应管芯片，场效应管芯片的底部电极焊接于第一导电脚上，场效应管芯片的顶部两个电极通过导线分别连接两个第二导电脚；
第一导电脚包括一个第一顶板、若干第一斜接杆和一个第一底板，所有的第一斜接杆间隔设置，第一斜接杆第一顶板和第一底板之间，第一顶板位于绝缘封装体内，场效应管芯片连接于第一顶板上，第一底板位于绝缘封装体的一侧下方，第一斜接杆包括第一水平段、第一倾斜段和第一竖直段，第一水平段连接于第一顶板与第一倾斜段之间，第一竖直段连接于第一底板与第一倾斜段之间，第一水平段位于绝缘封装体内，第一倾斜段和第一竖直段均位于绝缘封装体外；
第二导电脚包括一个第二顶板、若干第二斜接杆和一个第二底板，所有的第二斜接杆间隔设置，第二斜接杆第二顶板和第二底板之间，第二顶板位于绝缘封装体内，导线连接于第二顶板上，第二底板位于绝缘封装体的一侧下方，第二斜接杆包括第二水平段、第二倾斜段和第二竖直段，第二水平段连接于第二顶板与第二倾斜段之间，第二竖直段连接于第二底板与第二倾斜段之间，第二水平段位于绝缘封装体内，第二倾斜段和第二竖直段均位于绝缘封装体外。
进一步的，导线为金属银线。
进一步的，场效应管芯片的漏极焊接于第一顶板上，场效应管芯片的栅极通过一根导线与其中一个第二顶板连接，场效应管芯片的源极通过至少两根导线与另一个第二顶板连接。
进一步的，第一斜接杆和第二斜接杆均为金属铜杆。
进一步的，第一顶板远离第一斜接杆的一侧固定有第一加固筋。
进一步的，第二顶板远离第二斜接杆的一侧固定有第二加固筋。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种弹性防裂的场效应晶体管，导电脚形成有若干间隔设置斜接杆结构，从而形成相互独立的支撑连接效果，具有良好的弹性恢复能力，能够有效缓冲外界的冲击或挤压，从而避免应用所安装的PCB板被挤压损坏；间隔设置的斜接杆还有部分设置于绝缘封装体的内部，能够有效释放封装过程中形成的应力，避免绝缘封装体被撕裂，场效应晶体管的内部结构稳定可靠，斜接杆还能够有效增大导电脚与外界环境的接触面积，能够有效提高散热性能，确保场效应晶体管的工作性能。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型隐藏绝缘封装体后的立体结构示意图。
附图标记为：绝缘封装体10、场效应管芯片20、导线21、第一导电脚30、第一顶板31、第一斜接杆32、第一水平段321、第一倾斜段322、第一竖直段323、第一底板33、第一加固筋34、第二导电脚40、第二顶板41、第二斜接杆42、第二水平段421、第二倾斜段422、第二竖直段423、第二底板43、第二加固筋44。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1、图2。
本实用新型实施例公开一种弹性防裂的场效应晶体管，包括绝缘封装体10，绝缘封装体10内设有场效应管芯片20，场效应管芯片20可以为结型场效应管芯片20，具备位于底部的漏极以及位于顶部的栅极和源极，场效应管芯片20的底部电极焊接于第一导电脚30上，场效应管芯片20的顶部两个电极均通过导线21分别连接两个第二导电脚40；
第一导电脚30包括均为导电结构的一个第一顶板31、若干第一斜接杆32和一个第一底板33，所有的第一斜接杆32等间距间隔设置，从而形成相互独立的支撑连接性能，所有的第一斜接杆32均连接于第一顶板31和第一底板33之间，第一顶板31位于第一底板33的一侧上方，第一顶板31位于绝缘封装体10内，场效应管芯片20连接于第一顶板31上，第一底板33位于绝缘封装体10的一侧下方，能够确保第一斜接杆32的弹性缓冲性能，第一斜接杆32包括一体成型的第一水平段321、第一倾斜段322和第一竖直段323，第一倾斜段322从上至下远离绝缘封装体10倾斜，第一水平段321与第一竖直段323分别连接于第一倾斜段322的上下两端，第一水平段321连接于第一顶板31与第一倾斜段322之间，第一竖直段323连接于第一底板33与第一倾斜段322之间，第一水平段321位于绝缘封装体10内，能够有效释放封装过程中形成的应力，避免绝缘封装体10被撕裂，第一倾斜段322和第一竖直段323均位于绝缘封装体10外，在受到压力时，第一倾斜段322和第一竖直段323能够不受绝缘封装体10的限制而发生弹性形变，可有效缓冲来自外界的冲击或压力，应用安装时，能够有效避免电子元件或板件被压坏，具有良好的抗压、抗冲击性能，且散热性能良好；
第二导电脚40包括均为导电结构的一个第二顶板41、若干第二斜接杆42和一个第二底板43，所有的第二斜接杆42等间距间隔设置，从而形成相互独立的支撑连接性能，所有的第二斜接杆42均连接于第二顶板41和第二底板43之间，第二顶板41位于第二底板43的一侧上方，第二顶板41位于绝缘封装体10内，导线21远离场效应管芯片20的一端连接于第二顶板41上，第二底板43位于绝缘封装体10的一侧下方，能够确保第二斜接杆42的弹性缓冲性能，第二斜接杆42包括一体成型的第二水平段421、第二倾斜段422和第二竖直段423，第二倾斜段422从上至下远离绝缘封装体10倾斜，第二水平段421与第二竖直段423分别连接于第二倾斜段422的上下两端，第二水平段421连接于第二顶板41与第二倾斜段422之间，第二竖直段423连接于第二底板43与第二倾斜段422之间，第二水平段421位于绝缘封装体10内，能够有效释放封装过程中形成的应力，避免绝缘封装体10被撕裂，第二倾斜段422和第二竖直段423均位于绝缘封装体10外，在受到压力时，第二倾斜段422和第二竖直段423能够不受绝缘封装体10的限制而发生弹性形变，可有效缓冲来自外界的冲击或压力，应用安装时，能够有效避免电子元件或板件被压坏，具有良好的抗压、抗冲击性能，且散热性能良好。
本实用新型封装时，间隔设置的第一水平段321以及同样为间隔设置的第二水平段421能够有效释放应力，避免绝缘封装体10成型后产生撕裂，不仅能够确保绝缘封装体10完整可靠，第一水平段321和第二水平段421的四周均与绝缘封装体10接触连接，能够有效提高整体结构的稳定牢固性；应用时，第一底板33和第二底板43均焊接于PCB板的焊盘上，间隔设置的第一竖直板和间隔设置的第二竖直板均形成有容纳空间，能够供焊锡附着，能够有效提高焊接安装的稳定性，此外，在受到外界冲击或压力的时候，各个第一斜接杆32和第二斜接杆42能够有效吸收外力并发生弹性形变，可有效降低外力带来的不良影响，避免PCB板或电子元件板压坏。
在本实施例中，导线21为金属银线，金属银具有良好的导电性能以及延展性，不仅能够确保内部结构的导电性能，还能够避免封装过程中导线21被拉扯至脱离第二导电脚40和场效应管芯片20。
在本实施例中，场效应管芯片20为结型场效应管的芯片，场效应管芯片20的漏极焊接于第一顶板31上，场效应管芯片20的栅极通过一根导线21与其中一个第二顶板41连接，场效应管芯片20的源极通过至少两根导线21与另一个第二顶板41连接，多导线21键合能够有效降低互感，提高场效应晶体管的工作性能。
在本实施例中，第一斜接杆32和第二斜接杆42均为金属铜杆，铜具有良好的导电性能和导热性能，还具备良好的延展性，不仅能有效提高散热性能，还能够确保其弹性形变能力，从而提高整体结构的工作性能。
在本实施例中，第一顶板31远离第一斜接杆32的一侧固定有第一加固筋34，在制作过程中，第一导电脚30的第一底板33和第一加固筋34均与引线框架固定连接，能够有效防止固晶键合过程中第一导电引脚被压弯变形，提高键合操作的可靠性，还能够有效提高绝缘封装体10与第一导电脚30之间连接结构的可靠性，优选地，第一加固筋34与第一顶板31为一体成型的结构。
基于上述实施例，第二顶板41远离第二斜接杆42的一侧固定有第二加固筋44，在制作过程中，第二导电脚40的第二底板43和第二加固筋44均与引线框架固定连接，能够有效防止固晶键合过程中第二导电引脚被压弯变形，提高键合操作的可靠性，还能够有效提高绝缘封装体10与第二导电脚40之间连接结构的可靠性，优选地，第二加固筋44与第二顶板41为一体成型的结构。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种弹性防裂的场效应晶体管，其特征在于，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有场效应管芯片(20)，所述场效应管芯片(20)的底部电极焊接于第一导电脚(30)上，所述场效应管芯片(20)的顶部两个电极通过导线(21)分别连接两个第二导电脚(40)；
所述第一导电脚(30)包括一个第一顶板(31)、若干第一斜接杆(32)和一个第一底板(33)，所有的所述第一斜接杆(32)间隔设置，所述第一斜接杆(32)所述第一顶板(31)和所述第一底板(33)之间，所述第一顶板(31)位于所述绝缘封装体(10)内，所述场效应管芯片(20)连接于所述第一顶板(31)上，所述第一底板(33)位于所述绝缘封装体(10)的一侧下方，所述第一斜接杆(32)包括第一水平段(321)、第一倾斜段(322)和第一竖直段(323)，所述第一水平段(321)连接于所述第一顶板(31)与所述第一倾斜段(322)之间，所述第一竖直段(323)连接于所述第一底板(33)与所述第一倾斜段(322)之间，所述第一水平段(321)位于所述绝缘封装体(10)内，所述第一倾斜段(322)和所述第一竖直段(323)均位于所述绝缘封装体(10)外；
所述第二导电脚(40)包括一个第二顶板(41)、若干第二斜接杆(42)和一个第二底板(43)，所有的所述第二斜接杆(42)间隔设置，所述第二斜接杆(42)所述第二顶板(41)和所述第二底板(43)之间，所述第二顶板(41)位于所述绝缘封装体(10)内，所述导线(21)连接于所述第二顶板(41)上，所述第二底板(43)位于所述绝缘封装体(10)的一侧下方，所述第二斜接杆(42)包括第二水平段(421)、第二倾斜段(422)和第二竖直段(423)，所述第二水平段(421)连接于所述第二顶板(41)与所述第二倾斜段(422)之间，所述第二竖直段(423)连接于所述第二底板(43)与所述第二倾斜段(422)之间，所述第二水平段(421)位于所述绝缘封装体(10)内，所述第二倾斜段(422)和所述第二竖直段(423)均位于所述绝缘封装体(10)外。
2.根据权利要求1所述的一种弹性防裂的场效应晶体管，其特征在于，所述导线(21)为金属银线。
3.根据权利要求1所述的一种弹性防裂的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应管芯片(20)的漏极焊接于所述第一顶板(31)上，所述场效应管芯片(20)的栅极通过一根导线(21)与其中一个所述第二顶板(41)连接，所述场效应管芯片(20)的源极通过至少两根所述导线(21)与另一个所述第二顶板(41)连接。
4.根据权利要求1所述的一种弹性防裂的场效应晶体管，其特征在于，所述第一斜接杆(32)和所述第二斜接杆(42)均为金属铜杆。
5.根据权利要求1所述的一种弹性防裂的场效应晶体管，其特征在于，所述第一顶板(31)远离所述第一斜接杆(32)的一侧固定有第一加固筋(34)。
6.根据权利要求5所述的一种弹性防裂的场效应晶体管，其特征在于，所述第二顶板(41)远离所述第二斜接杆(42)的一侧固定有第二加固筋(44)。
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