CN213715966U

CN213715966U - Rfid标签

Info

Publication number: CN213715966U
Application number: CN201990000371.6U
Authority: CN
Inventors: 植木纪行
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-05-27
Filing date: 2019-12-09
Publication date: 2021-07-16
Anticipated expiration: 2029-12-09
Also published as: WO2020240895A1

Abstract

一种RFID标签，具备：RFIC芯片，其具有第一连接端子和第二连接端子；第一电极，其与RFIC芯片的第一连接端子电连接；电容元件，其与第一电极及RFIC芯片串联连接；短路部，其在第一电极的电长度的中间位置将第一电极与地连接，其中，第一电极的电长度是RFIC芯片的通信频率的波长的二分之一，RFIC芯片的第一连接端子在与第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与第一电极连接，RFIC芯片的第二连接端子连接于地。

Description

RFID标签

技术领域

本实用新型涉及一种用于利用近距离无线通信来以非接触方式进行物品的信息管理等的无线通信设备即RFID(Radio frequency Identification：射频识别)标签。

背景技术

以往，在进行物品的信息管理的系统中，在安装于物品的RFID标签与用于读取RFID标签的标签信息的读取器装置之间，利用电磁场来以非接触方式进行通信，从而管理与物品有关的信息。

在RFID标签中，在决定天线的共振频率时，例如，在如微带天线那样仅为一个共振模式时，由于共振频率的频带窄，因此用途受限定。另外，在将RFID标签例如安装于金属面的情况下，共振频率的频带变得更窄。

因此，为了扩展共振频率的频带，使用将两个共振组合的方法。该方法是通过将不同模式的共振组合来实施的。例如，如果微带天线为偶极的模式，则使其组合单极的模式。然而，在单极的模式中，在天线上产生电流的方向变化的零点，通信方向的指向性变弱。例如，在专利文献1中记载了安装于金属面的双共振的天线。

图13示出专利文献1中的将通信频率的波长λ的半波长λ/2的平面天线的中间点短路的双共振天线的VSWR(Voltage Standing Wave Ratio：电压驻波比)特性。图13示出专利文献1中的天线在3400MHz和4600MHz附近这两个位置共振。图14示出专利文献1中的在低频率侧和高频率侧各自的共振点处的电场面的指向性。示出以低频率侧和高频率侧各自的峰值最大值为基准被标准化的指向性。

在低频率侧的特性线a中，角度θ的指向性的峰值处于角度50°附近，在高频率侧的特性线b中，角度θ的指向性的峰值处于角度0°附近。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/072411号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

如图14所示，在以往的双共振天线中，高频率侧的指向性的峰值角度与低频率侧的指向性的峰值角度之间有偏差。因而，当根据高频率侧的指向性将RFID标签配置于物品时，低频率侧的指向性降低。

因而，本实用新型的目的在于解决上述问题，提供一种具有双共振天线的特性并且提高了指向性的RFID标签。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方式，是一种RFID标签，具备：RFIC芯片，其具有第一连接端子和第二连接端子；第一电极，其与所述RFIC芯片的所述第一连接端子电连接；电容元件，其串联连接于所述第一电极与所述RFIC芯片之间；以及短路部，其在所述第一电极的电长度的中间位置将所述第一电极与地连接，其中，所述第一电极的电长度是所述RFIC芯片的输送频率的波长的二分之一，所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与所述第一电极连接，所述RFIC芯片的所述第二连接端子连接于所述地。

实用新型的效果

根据本实用新型所涉及的RFID标签，能够提供一种具有双共振天线的特性并且提高了指向性的RFID标签。

附图说明

图1A是示出实施方式1的RFID标签的示意立体图。

图1B是图1A的局部放大图。

图2是实施方式1的RFID标签的等效电路图。

图3是示出RFID标签的零点移动的说明图。

图4是示出实施方式1的RFID标签的VSWR特性的曲线图。

图5是示出实施方式1的RFID标签的指向性的曲线图。

图6是示出比较例的RFID标签的VSWR特性的曲线图。

图7是示出比较例的RFID标签的指向性的曲线图。

图8A是说明指向性的角度的说明图。

图8B是说明指向性的角度的说明图。

图9是示出仿真的模型的说明图。

图10A是示出比较例的低频率侧的共振的电流的方向的平面图。

图10B是示出比较例的高频率侧的共振的电流的方向的平面图。

图11A是示出仿真的模型的低频率侧的共振的电流的方向的平面图。

图11B是示出仿真的模型的高频率侧的共振的电流的方向的平面图。

图12是示出变形例的RFID标签的侧视图。

图13是示出现有例的双共振天线的VSWR特性的曲线图。

图14是示出现有例的双共振天线的指向性的曲线图。

具体实施方式

本实用新型的一个方式的RFID标签具备：RFIC芯片，其具有第一连接端子和第二连接端子；第一电极，其与所述RFIC芯片的所述第一连接端子电连接；电容元件，其与所述第一电极及所述RFIC芯片串联连接；以及短路部，其在所述第一电极的电长度的中间位置将所述第一电极与地连接，其中，所述第一电极的电长度是所述RFIC芯片的输送频率的波长的二分之一，所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与所述第一电极连接，所述RFIC芯片的所述第二连接端子连接于所述地。

根据该方式，由于电容元件串联连接于第一电极与RFIC芯片之间，因此能够改变第一电极的电流分布。其结果，能够使原本位于第一电极的中间位置的零点向端部侧位移，能够使低频率侧的指向性的峰值角度向0°一方位移。由此，能够降低高频率侧的指向性的峰值角度与低频率侧的指向性的峰值角度之间的偏差，能够提供一种具有双共振天线的特性并且提高了指向性的RFID标签。

也可以是，所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处经由所述电容元件而与所述第一电极连接。

也可以具备与所述RFIC芯片的所述第一连接端子及所述第二连接端子分别并联连接的电感元件。由此，能够消除RFIC芯片的第一连接端子与第二连接端子之间的电容。

也可以是，所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距所述电长度的六分之一以内的位置处与所述第一电极连接，所述RFIC芯片的所述第二连接端子在与所述第一电极的端部相距所述电长度的六分之一以内的位置处连接于所述地。这样，RFIC芯片配置在第一电极的更靠端部侧的位置，由此能够进一步提高通信特性。

也可以是，具备与所述第一电极相向的第二电极作为所述地。在将RFID标签安装于金属物品时，仅将第二电极粘贴于金属面即可，因此易于向金属面安装。

也可以是，在所述第一电极与所述第二电极之间具备绝缘基板。能够通过绝缘基板的电介质来缩短电长度，从而能够使RFID标签小型化。

也可以是，所述第一电极和所述第二电极具有矩形形状，所述第一电极的电长度是所述第一电极在长边方向上的电长度，所述第二电极的电长度是所述第二电极在长边方向上的电长度。

也可以是，所述第一电极的长边方向上的开放端和所述第二电极的长边方向上的开放端以相互接近的方式弯折。由此，能够使得在第一电极的弯折的开放端与第二电极的弯折的开放端之间产生电容。

也可以是，所述短路部将所述第一电极的长边方向上的中间位置与所述第二电极的长边方向上的中间位置连接。

也可以是，还具备连接导体，该连接导体贯穿所述绝缘基板，将所述第一电极与所述第二电极电连接，所述RFIC芯片的所述第二连接端子与所述连接导体电连接，所述连接导体位于与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置。

也可以是，所述连接导体位于与所述第一电极的端部相距电长度的六分之一以内的位置。

下面，参照附图来说明本实用新型所涉及的RFID标签。此外，在附图中，对于实质上具有相同的功能、结构的构件，附加相同的附图标记，在说明书中有时省略其说明。另外，为了易于理解，附图主体地示意性地示出各个构成要素。

此外，下面说明的实施方式均示出本实用新型的一个具体例子，本实用新型并不限定于该结构。另外，在下面的实施方式中，具体示出的数值、形状、结构、步骤、步骤的顺序等只不过示出一例，并不是对本实用新型进行限定。对于下面的实施方式的构成要素中的未记载在表示最上位概念的独立权利要求的构成要素，设为任意的构成要素来进行说明。另外，在所有实施方式中，各变形例中的结构也是相同的，可以将各变形例中记载的结构分别组合。

另外，在本说明书中，“电长度”是指考虑了电介质的波长缩短效果的长度。

(实施方式1)

下面说明本实用新型的实施方式1所涉及的RFID(Radio-FrequencyIdentification：射频识别)标签。图1A是实施方式1的RFID标签10的示意立体图。图1B是图1A的局部放大图。在图中，X-Y-Z坐标系是用于使实用新型易于理解的坐标系，并不是对实用新型进行限定。X轴方向表示RFID标签10的长边方向，Y轴方向表示RFID标签10的宽度方向，Z轴方向表示RFID标签10的厚度方向。X、Y、Z方向相互正交。

RFID标签10具备作为平板天线的第一电极12、与第一电极12相向地配置的作为地的第二电极14、配置于第一电极12与第二电极14之间的作为电介质的绝缘基板16、RFIC(Radio-Frequency Integrated Circuit；射频集成电路)芯片18、与RFIC芯片18连接的电感元件20、以及与RFIC芯片18及第一电极12连接的电容元件22。第一电极12和第二电极14例如是铜或铝等金属板。

第一电极12具有矩形形状的主体部12a、形成于主体部12a的一个端部侧的开口部12b、以及在主体部12a的长边方向上的中央部从主体部12a的两个长边分别朝向第二电极14弯折的第一短路部12c和第二短路部12d。另外，第一电极12具有弯折部12e，该弯折部12e是主体部12a的长边方向上的开放端向第二电极14侧弯折而形成的。

由于第一电极12具有矩形形状，因此第一电极12的电长度为包括主体部12a和弯折部12e的第一电极12的长边方向上的长度La。因而，第一电极12的长边方向上的长度La被设计成包含RFIC芯片18的通信频率的波长λ的二分之一。第一电极12是电场辐射型天线。

第一短路部12c的下端和第二短路部12d的下端分别连接于第二电极。因而，第一短路部12c和第二短路部12d分别将第一电极12的长边方向上的中间位置与第二电极14的长边方向上的中间位置连接。此外，第一短路部12c和第二短路部12d既可以从第二电极14侧朝向第一电极12弯折，也可以是与第一电极12及第二电极14相独立的构件。第一短路部12c的长边方向上的长度和第二短路部12d的长边方向上的长度具有任意的长度，以便调整共振频率。

第二电极14具备矩形形状的主体部14a和将长边方向的开放端向第一电极12侧弯折而形成的弯折部14e。第二电极14既可以像这样具有与第一电极12相同的形状，也可以具有与第一电极12不同的形状。第二电极14例如也可以具有相比于第一电极12而言面积更大的主体部14a、或者相比于第一电极12而言面积更小的主体部14a。此外，除矩形形状以外，第一电极12和第二电极14还可以是正方形形状、圆板形状。此外，在第一电极12为圆板形状的情况下，第一电极12的电长度为直径的长度。因而，圆板形状的第一电极12的直径具有通信频率的半波长即λ/2。另外，在该情况下，第一短路部12c和第二短路部12d的中心点处于圆板形状的第一电极12的圆周上，第一短路部12c和第二短路部12d相对于圆的中心轴而言为镜像的关系。第一短路部12c与RFIC芯片18之间的距离和第二短路部12d与RFIC芯片18之间的距离为等间隔，为π×四分之一波长λ以下。另外，在第一电极12为正方形形状的情况下，为一个边的长度。

在第一电极12的长边方向上的一侧具有矩形形状的开口部12b。如图1B所示，在俯视时，第一电极12的开口部12b与绝缘基板16的一部分区域16a重合。因而，绝缘基板16的一部分区域16a露出。

在绝缘基板16的被开口部12b包围的区域16a上形成有布线部24和电极面26。布线部24是用于将电容元件22与RFIC芯片18连接的导体图案。在电极面26形成有贯穿绝缘基板16且与第二电极14电连接的连接导体28。连接导体28例如是通孔或导通孔。通孔或导通孔的孔内既可以镀有金属导体，也可以填充金属导体。

绝缘基板16是树脂或纸质的绝缘基板，例如是PET(Polyethyleneterephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)基板。除PET之外，还可以是PEN(Polyethylenenaphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)基板或聚酰亚胺(polyimide)制的基板。绝缘基板16具有矩形的形状，但也可以与第一电极12和第二电极14的形状一致地具有正方形形状、圆板形状。

RFIC芯片18例如通过由3层构成的多层基板构成。具体地说，RFIC芯片18是将用聚酰亚胺、液晶聚合物等树脂材料制成且具备挠性的多个绝缘片层叠而构成的。RFIC芯片18具有在以硅等半导体为原材料的半导体基板中内置有各种元件的构造。RFIC芯片18具有第一连接端子18a和第二连接端子18b。在实施方式1的情况下，例如，第一连接端子18a和第二连接端子18b是由用铜等导电材料制成的导体图案构成的。

电感元件20例如是晶片电感器。电感元件20其一端连接于布线部24，另一端连接于电极面26。因而，电感元件20与RFIC芯片18的第一连接端子18a及第二连接端子18b分别并联连接。

电容元件22例如是芯片电容器或者通过布线得到的电容图案。电容元件22其一端连接于第一电极12的主体部12a，另一端连接于布线部24。因而，电容元件22与第一电极12及RFIC芯片18串联连接。电容元件22例如具有0.3pF的电容。

RFIC芯片18的第一连接端子18a在与第一电极12的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与第一电极12连接。RFIC芯片18的第二连接端子18b在与第一电极12的端部相距电长度的三分之一以内的位置处连接于第二电极14。另外，也可以是，RFIC芯片18的第一连接端子18a在与第一电极12的端部相距电长度的六分之一以内的位置处与第一电极12连接，RFIC芯片18的第二连接端子在与第一电极12的端部相距电长度的六分之一以内的位置处连接于第二电极14。这样，通过将RFIC芯片18配置于更靠第一电极12的端部侧的位置，能够更加降低对高频共振的影响。

另外，电容元件22也在与第一电极12的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与第一电极12连接，也可以进一步在与第一电极12的端部相距电长度的六分之一以内的位置处与第一电极12连接。

另外，RFIC芯片18、电感元件20以及电容元件22配置于第一电极12的宽度方向(Y方向)上的中央部。

接着，参照图2来说明RFID标签10的电气结构。图2是RFID标签10的等效电路图。此外，在图2中，为了简略地进行图示而省略第一电极12及第二电极14的端部的弯折，示为平板状。

RFIC芯片18具有RFIC芯片18自身所具有的自电容即内部电容(电容器)C1。另外，RFIC芯片18作为由第一电极12构成的天线元件的供电部发挥功能。由电容元件22和电感元件20构成了匹配电路，该匹配电路用于取得RFIC芯片18与由第一电极12构成的天线元件之间的阻抗的匹配。

RFIC芯片18的阻抗Z越大，则将作为供电部的RFIC芯片18配置在越靠近第一电极12的端部的位置。RFIC芯片18的阻抗Z例如为1.2kΩ左右。

如图3所示，第一电极12的长边方向上的长度La具有通信频率的半波长即λ/2。另外，将作为天线元件的第一电极12与作为地的第二电极14连接的第一短路部12c和第二短路部12d位于第一电极12的长边方向上的中央部即中间位置。在不具有与RFIC芯片18及第一电极12串联连接的电容元件22的情况下，从第一电极12的长边方向上的各个端部向中心流动的电流由于在该中间位置处电流的方向反转从而发生冲撞。该电流的方向改变的位置为零点(null点)。由于该零点的产生，由作为天线元件的第一电极12发送接收的电波的指向性降低。

在不具有与RFIC芯片18及第一电极12串联连接的电容元件22的情况下，第一电极12的长边方向上的各个端部的电位高，中间位置的电位为零。因而，从第一电极12的长边方向上的各个端部朝向中间位置产生电场，产生如用箭头EL1表示的那样的电力线。即，具有单极天线的模式的指向性。

在具有与RFIC芯片18及第一电极12串联连接的电容元件22的情况下，零点的位置从第一电极12的长边方向上的中间位置向长边方向上的端部侧位移。伴随着该零点的位移，从配置有RFIC芯片18的一侧的端部延伸的电力线EL2a越过中间位置向第一电极12的相反侧的端部侧延伸。这接近于电力线从作为天线元件的电极的一个边延伸至相向的另一个边的微带天线(贴片天线)的指向性。这样，通过将零点位移，能够使电波的指向性降低的位置位移，并且能够抑制需要指向性的与第一电极12垂直的方向(θ＝0°)的指向性的降低。

进一步详细说明实施方式1的通信特性。图4是示出实施方式1的RFID标签的VSWR特性的曲线图。图5是示出实施方式1的RFID标签的指向性的曲线图。图6是示出作为比较例的不具有串联连接的电容元件22的RFID标签的VSWR特性的曲线图。图7是示出作为比较例的不具有串联连接的电容元件22的RFID标签的指向性的曲线图。图8A、图8B是说明指向性的角度的说明图。

图5、图7中的θ表示如图8A和图8B所示那样在X-Z平面中Z轴与X轴之间的角度。θ＝0°是与同地相反的一侧的第一电极12垂直的方向，表示Z轴方向的指向性。θ＝90°是与供电部侧的第一电极12的长边方向平行的方向，表示图8A的X轴方向的指向性。θ＝-90°是与同供电部相反的一侧的第一电极12的长边方向平行的方向。θ＝180°、-180°是与第二电极14侧(地侧)的第一电极12垂直的方向。

如图4所示，实施方式1的RFID标签10在903MHz和928MHz处反射电压最少。图5示出与角度θ相对应的标准化后的天线增益。如图5所示，在实施方式1的RFID标签10中，928MHz的高频率侧G2的特性线的增益的峰值处于θ＝0°附近。另外，903MHz的低频率侧的增益的峰值处于θ＝20°～40°附近。

如图7所示那样在比较例中原本处于6°附近的零点的位置如图5所示那样位移到-44°附近。另外，如图7所示那样在比较例中原本处于-40°～-60°和60°～80°附近的指向性的峰值如图5所示那样位移到20°～40°附近。因而，实施方式1的RFID标签10中的低频率侧G1与高频率侧G2之间的指向性的峰值的偏差相比于比较例的低频率侧G3与高频率侧G4之间的指向性的峰值的偏差而言有所降低。另外，在实施方式1的RFID标签10中，能够提高最需要指向性的0°附近的增益。

图9是示出用于仿真实施方式1的RFID标签10的电流特性的模型的说明图。RFID标签10以使第二电极14的下表面接触金属板Ma的状态载置于金属板Ma上。金属板Ma的长边方向上的长度Lp为183mm，宽度方向上的长度Wp为105mm。铜制的第一电极12和第二电极14的厚度为4um。绝缘基板16为树脂制，长边方向上的长度为103mm，宽度方向上的长度为25mm，厚度为4mm。绝缘基板16的介电常数εr为3.1。此外，这些尺寸是用于进行仿真的模型的一例，RFID标签10使用的尺寸不限定于这些值。

图10A是示出比较例的低频率侧的共振时的电流的方向的平面图。图10B是示出比较例的高频率侧的共振时的电流的方向的平面图。图10A和图10B示出的RFID标签10不具备串联连接的电容元件22。因而，如图10A所示，零点Np1位于第一电极12的长边方向上的中间位置。另外，如图10B所示，由于RFIC芯片18配置于第一电极12的端部侧，因此在高频率侧的共振时，电流从第一电极12的一端侧朝向另一端侧单向地流动。

图11A是示出仿真的模型的低频率侧的共振时的电流的方向的平面图。由于与第一电极12及RFIC芯片18串联地配置有电容元件22，因此零点Np2向与配置有RFIC芯片18的端部相反的一侧的端部侧移动。由此，RFIC芯片18的指向性变化。

图11B是示出仿真的模型的高频侧的共振时的电流的方向的平面图。由于在第一电极12的端部侧配置有RFIC芯片18，因此与比较例同样地，高频率侧的共振时的电流从第一电极12的一端侧朝向另一端侧单向地流动。

根据以上所述，实施方式1的RFID标签10具备：RFIC芯片18，其具有第一连接端子18a和第二连接端子18b；第一电极12，其与RFIC芯片18的第一连接端子18a电连接；电容元件22，其串联连接于第一电极12与RFIC芯片18之间；第一短路部12c和第二短路部12d，其在第一电极12的电长度的中间位置将第一电极12与作为地的第二电极14连接。第一电极12的电长度是RFIC芯片18的通信频率的波长的二分之一，RFIC芯片18的第一连接端子18a在与第一电极12的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与第一电极12连接。RFIC芯片18的第二连接端子18b连接于第二电极14。

由于在第一电极12的电长度的中间位置处使第一电极12与地短路，因此第一电极12作为双共振天线发挥功能。另外，通过将RFIC芯片18配置于第一电极12的端部侧，能够将RFIC芯片18配置于第一电极12的电流密度低的部分。由此，能够降低对高频共振的影响。另外，通过将RFIC芯片18、第一电极12以及电容元件22分别串联连接，能够使低频率侧的零点位移。其结果，能够降低高频率侧的指向性的峰值角度与低频率侧的指向性的峰值角度之间的偏差，能够提高RFID标签10的指向性。

RFIC芯片18的第一连接端子18a在与第一电极12的端部相距电长度的三分之一以内的位置处经由电容元件22而与第一电极12连接。

另外，具备与RFIC芯片18的第一连接端子18a及第二连接端子18b分别并联连接的电感元件20。由此，能够消除RFIC芯片18的第一连接端子18a与第二连接端子18b之间的端子间电容。

另外，RFIC芯片18的第一连接端子18a在与第一电极12的端部相距电长度的六分之一以内的位置处与第一电极12连接，RFIC芯片18的第二连接端子在与第一电极12的端部相距电长度的六分之一以内的位置处连接于第二电极14。通过像这样将RFIC芯片18配置在更靠第一电极12的端部侧的位置，能够降低对高频共振的影响。

另外，在第一电极12与第二电极14之间具备绝缘基板16。由此，介电常数大于空气的介电常数，因此能够缩短通信频率。通过缩短通信频率，能够缩短第一电极12的长边方向上的长度和第二电极14的长边方向上的长度，从而能够使RFID标签10小型化。

另外，第一电极12和第二电极14具有矩形形状，第一电极12的电长度是第一电极12在长边方向上的电长度，第二电极14的电长度是第二电极14在长边方向上的电长度。

另外，第一电极12的长边方向上的开放端和第二电极14的长边方向上的开放端以相互接近的方式弯折。由此，在第一电极12的被弯折的弯折部12e与第二电极14的被弯折的弯折部14e之间产生电容，能够调整通信频率。

另外，第一短路部12c和第二短路部12d将第一电极12的长边方向上的中间位置与第二电极14的长边方向上的中间位置连接。

还具备连接导体28，该连接导体28贯穿绝缘基板16，将第一电极12与第二电极14电连接，RFIC芯片18的第二连接端子18b与连接导体28电连接，连接导体28位于与第一电极12的端部相距电长度的三分之一以内的位置。

连接导体28位于与第一电极12的端部相距电长度的六分之一以内的位置。

本实用新型不限于上述实施方式，还能够如以下那样实施变形。

(1)在上述实施方式中，假定RFID标签10粘贴于金属面，第二电极14作为地发挥功能，但不限于此。在第二电极14不粘贴于金属面的情况下，在第二电极14中也流过与第一电极12反向的电流，作为辐射板发挥与第一电极12相同的功能。

(2)在上述实施方式中，RFID标签10具备第二电极14作为地，但不限于此。RFID标签10也可以省略第二电极14，例如图14所示那样将第一电极12连接于金属制的物品30的金属面30a。第一短路部12c和第二短路部12d将第一电极12的主体部12a的中央部与物品30的金属面30a连接。另外，RFIC芯片18的第二连接端子18b例如也可以经由金属制的板状的连接导体28A而与物品30的金属面30a连接。

(3)在上述实施方式中，RFIC芯片18和第一电极12经由电容元件22连接，但不限于此。也可以是，RFIC芯片18的第一连接端子18a与第一电极12连接，将电容元件22串联连接于第二连接端子18b与作为地的第二电极14之间。

产业上的可使用性

本实用新型所涉及的RFID标签在安装于金属面来使用时是有用的。

附图标记说明

10：RFID标签；12：第一电极；12a：主体部；12b：开口部；12c：第一短路部；12d：第二短路部；12e：弯折部；14：第二电极；14a：主体部；14e：弯折部；16：绝缘基板；16a：区域；18：RFIC芯片；18a：第一连接端子；18b：第二连接端子；20：电感元件；22：电容元件；24：布线部；26：电极面；28：连接导体。

Claims

1.一种RFID标签，其特征在于，具备：

RFIC芯片，其具有第一连接端子和第二连接端子；

第一电极，其与所述RFIC芯片的所述第一连接端子电连接；

电容元件，其与所述第一电极及所述RFIC芯片串联连接；以及

短路部，其在所述第一电极的电长度的中间位置将所述第一电极与地连接，

其中，所述第一电极的电长度是所述RFIC芯片的通信频率的波长的二分之一，

所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处与所述第一电极连接，

所述RFIC芯片的所述第二连接端子连接于所述地。

2.根据权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，

所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置处经由所述电容元件而与所述第一电极连接。

3.根据权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，

还具备与所述RFIC芯片的所述第一连接端子及所述第二连接端子分别并联连接的电感元件。

4.根据权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，

所述RFIC芯片的所述第一连接端子在与所述第一电极的端部相距所述电长度的六分之一以内的位置处与所述第一电极连接，

所述RFIC芯片的所述第二连接端子在与所述第一电极的端部相距所述电长度的六分之一以内的位置处连接于所述地。

5.根据权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，

还具备与所述第一电极相向的第二电极作为所述地。

6.根据权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，

在所述第一电极与所述第二电极之间具备绝缘基板。

7.根据权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，

所述第一电极和所述第二电极具有矩形形状，

所述第一电极的电长度是所述第一电极在长边方向上的电长度，所述第二电极的电长度是所述第二电极在长边方向上的电长度。

8.根据权利要求7所述的RFID标签，其特征在于，

所述第一电极的长边方向上的开放端和所述第二电极的长边方向上的开放端以相互接近的方式弯折。

9.根据权利要求5～8中的任一项所述的RFID标签，其特征在于，

所述短路部将所述第一电极的长边方向上的中间位置与所述第二电极的长边方向上的中间位置连接。

10.根据权利要求6所述的RFID标签，其特征在于，

还具备连接导体，所述连接导体贯穿所述绝缘基板，将所述第一电极与所述第二电极电连接，

所述RFIC芯片的所述第二连接端子与所述连接导体电连接，

所述连接导体位于与所述第一电极的端部相距电长度的三分之一以内的位置。

11.根据权利要求10所述的RFID标签，其特征在于，

所述连接导体位于与所述第一电极的端部相距电长度的六分之一以内的位置。