CN213680276U - 一种微电子工业园区综合污水集中处理系统 - Google Patents

一种微电子工业园区综合污水集中处理系统 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,包括调节池、除氟反应池、污泥混凝池、磁混凝池、絮凝池、沉淀池、水解酸化池、厌氧池、MABR池、MBBR池、二沉池、气浮滤池、臭氧氧化池、消毒池,本实用新型采用化学除氟、磁絮凝以及污泥吸附相结合的方法除去污水中的氟化物、重金属等有毒物质,减小氟化物和重金属等有毒物质对后续活性污泥的影响,提高生化系统稳定性,并将MBBR池部分污泥混合液回流到MABR池,在MABR池中投加碳源,强化反硝化脱氮过程,有效地提高微电子工业园区综合性污水中TP、TN、COD、氟化物、重金属等污染物的去除率,满足出水水质排放标准。

Description

一种微电子工业园区综合污水集中处理系统
技术领域
本实用新型涉及一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,属于污水处理系统领域。
背景技术
近几年我国微电子产业发展迅速,微电子工业园区规模不断壮大,其生产过程产生大量的低生化性含氟含重金属工业污水,经过厂内污水处理设施处理达到《污水综合排放标准》(GB/T 8978-1996)后排入城镇污水处理厂,污水中的难降解有机物、氟化物、重金属等特征污染物通过城镇污水稀释后排入受纳水体,但氟化物、重金属等特征污染物排放总量并未明显减少,造成受纳水体氟污染和重金属污染日益加剧,直接威胁到人体健康。
目前对高浓度微电子工业污水可通过化学沉淀法、絮凝沉淀法和吸附法等方法,对于经企业污水处理设施处理后的低浓度工业污水主要通过与市政污水混合稀释后进入城镇污水处理厂,污水中的氟化物和重金属等有毒物质会引起生物池中活性污泥中毒,抑制生化反应,降低生化处理效率,导致污水处理处理效果较差,使出水TN、COD、TP等污染物不能满足现有水质排放标准。在当前高排放标准要求下,微电子工业园区综合污水稳定达标面临更大的难度和挑战。针对微电子工业园区综合污水水质特点,结合磁絮凝、MABR(膜曝气生物膜反应器)和MBBR(移动床生物膜反应器)在污水的处理中的优势,发明一种适用于微电子工业园区综合污水集中处理的系统,对实现微电子工业园区综合污水达标排放和促进微电子产业发展具有重要意义。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对微电子工业园区综合污水水质特点,提供一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,可有效地提高微电子工业园区综合性污水中TP、TN、COD、氟化物、重金属等污染物的去除率,满足出水水质排放标准。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,包括调节池、除氟反应池、污泥混凝池、磁混凝池、絮凝池、沉淀池、水解酸化池、厌氧池、MABR池、MBBR池、二沉池、气浮滤池、臭氧氧化池、消毒池,其特征在于:调节池的出水口与除氟反应池的进水口连通,除氟反应池的出水口与污泥混凝池的进水口连通,污泥混凝池的出水口与磁混凝池的进水口连通,磁混凝池的出水口与絮凝池的进水口连通,絮凝池的出水口与沉淀池的进水口连通,沉淀池的出水口与水解酸化池的进水口连通,水解酸化池的出水口与厌氧池的进水口连通,厌氧池的出水口与MABR池的进水口连通,MABR池的出水口与MBBR池的进水口连通,MBBR池的出水口与二沉池的进水口连通,二沉池的出水口与气浮滤池的进水口连通,气浮滤池的出水口与臭氧氧化池的进水口连通,臭氧氧化池的出水口与消毒池的进水口连通,消毒池的出水口连接外排管道。
其中,所述调节池、除氟反应池、污泥混凝池、磁混凝池、絮凝池内设置搅拌器。
其中,所述调节池连接有用于投加酸或碱的装置,所述除氟反应池连接有用于投加除氟剂的装置,所述污泥混凝池连接有用于投加混凝剂的装置,所述磁混凝池连接有用于投加磁粉的装置,所述絮凝池连接有用于投加絮凝剂的装置,所述MBBR池连接有用于投加碳源的装置。
其中,所述沉淀池与磁混凝池之间设置磁分离器,所述沉淀池内设置有刮吸泥机,沉淀池产生的沉淀污泥一部分回流至磁混凝池,其余部分通过磁分离器分离回收磁粉后排出系统,分离回收的磁粉回流至磁混凝池。
其中,所述MABR池内设置MABR膜组件、潜水推进器,所述MABR膜组件进气端设置有鼓风曝气机。
其中,所述MBBR池内设置MBBR填料、潜水推进器、曝气管道,所述曝气管道的进气端设置有曝气鼓风机,所述MBBR池末端与MABR池前端通过管道连通,将MBBR池末端的部分污泥混合液回流至MABR池前端。
其中,所述二沉池内设置刮吸泥机,二沉池产生的沉淀污泥第一部分回流至水解酸化池、第二部分回流至污泥混凝池,其余部分作为剩余污泥排出系统。
本实用新型的有益效果:
本实用新型通过化学除氟、磁絮凝、污泥吸附相结合的方法除去污水中氟化物、重金属等有毒物质,将二沉池产生的沉淀污泥部分回流至污泥混凝池,提高污泥混凝池内污泥浓度,增强絮凝效果,活性污泥中的微生物通过胞外吸附、胞内富集等方式吸附去除污水中的氟化物、重金属等有毒物质,降低污水中氟化物和重金属等有毒物质的浓度,从而减小氟化物和重金属等有毒物质对后续活性污泥的影响,保证后续生化系统稳定运行。
本实用新型通过设置MABR池和MBBR池,在MABR池中投加MABR膜组件,在MBBR池中投加MBBR填料,提高了单位池容的微生物浓度和单位池容处理能力,增强系统耐冲击性,并将MBBR池部分污泥混合液回流到MABR池,在MABR池投加碳源,强化反硝化脱氮过程,并通过MABR膜表面生物膜的同步硝化反硝化作用,进一步去除污水中总氮和氨氮。
附图说明
图1是本实用新型一种微电子工业园区综合污水集中处理系统的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本实用新型作进一步的详细说明。一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,包括调节池1、除氟反应池2、污泥混凝池3、磁混凝池4、絮凝池5、沉淀池6、水解酸化池7、厌氧池8、MABR池9、MBBR池10、二沉池11、气浮滤池12、臭氧氧化池13、消毒池14,其特征在于:调节池1的出水口与除氟反应池2的进水口连通,除氟反应池2的出水口与污泥混凝池3的进水口连通,污泥混凝池3的出水口与磁混凝池4的进水口连通,磁混凝池4的出水口与絮凝池5的进水口连通,絮凝池5的出水口与沉淀池6的进水口连通,沉淀池6的出水口与水解酸化池7的进水口连通,水解酸化池7的出水口与厌氧池8的进水口连通,厌氧池8的出水口与MABR池9的进水口连通,MABR池9的出水口与MBBR池10的进水口连通,MBBR池10的出水口与二沉池11的进水口连通,二沉池11的出水口与气浮滤池12的进水口连通,气浮滤池12的出水口与臭氧氧化池13的进水口连通,臭氧氧化池13的出水口与消毒池14的进水口连通,消毒池14的出水口连接外排管道。
其中,所述调节池1、除氟反应池2、污泥混凝池3、磁混凝池4、絮凝池5内设置搅拌器。
其中,所述调节池1连接有用于投加酸或碱的装置,所述除氟反应池2连接有用于投加除氟剂的装置,所述污泥混凝池3连接有用于投加混凝剂的装置,所述磁混凝池4连接有用于投加磁粉的装置,所述絮凝池5连接有用于投加絮凝剂的装置,所述MBBR池10连接有用于投加碳源的装置。
其中,所述沉淀池6与磁混凝池4之间设置磁分离器15,所述沉淀池6内设置有刮吸泥机,沉淀池6产生的沉淀污泥一部分回流至磁混凝池4,其余部分通过磁分离器15分离回收磁粉后排出系统,分离回收的磁粉回流至磁混凝池4。
其中,所述MABR池9内设置MABR膜组件、潜水推进器,所述MABR膜组件进气端设置有鼓风曝气机。
其中,所述MBBR池10内设置MBBR填料、潜水推进器、曝气管道,所述曝气管道的进气端设置有曝气鼓风机,所述MBBR池10末端与MABR池9前端通过管道连通,将MBBR池10末端的部分污泥混合液回流至MABR池9前端。
其中,所述二沉池11内设置刮吸泥机,二沉池11产生的沉淀污泥的第一部分回流至水解酸化池7、第二部分回流至污泥混凝池3,其余部分作为剩余污泥排出系统。
本实施例的微电子工业园区综合污水集中处理系统的工作过程为:
(1)微电子工业园区综合污水首先经过调节池1调节污水pH值至7~8后,依次进入除氟反应池2、污泥混凝池3、磁混凝池4、絮凝池5和沉淀池6,所述除氟反应池2中投加除氟剂优选山东环瑞生态科技有限公司生产的GMS-F6高效除氟剂,所述污泥混凝池3中投加有效铝含量10%的聚合氯化铝混凝剂,所述磁混凝池4中投加80~100目的铁粉,所述絮凝池5中投加分子量1000万的阴离子聚丙烯酰胺絮凝剂。
(2)经过程(1)处理后的污水进入依次水解酸化池7、厌氧池8、MABR池9、MBBR池10,所述水解酸化池7内水解菌、酸化菌将污水中的难溶解性有机物水解为溶解性有机物,将难降解的大分子有机污染物质转化为易生物降解的小分子物质,所述厌氧池8内溶解氧浓度控制在0.2mg/l以下,聚磷菌在厌氧条件下释磷,所述MABR池9内溶解氧浓度为0.2~0.5mg/l,反硝化类细菌充分利用进水中碳源和外加碳源进行反硝化脱氮,去除水中大部分总氮,所述MBBR池10内溶解氧浓度为1.5~3mg/l,MBBR填料表面生物膜在好氧条件下可生长大量微生物,提高单位容积内的生物量和硝化负荷。
(3)经过程(2)处理后污水依次二沉池11、气浮滤池12、臭氧氧化池13、消毒池14进行处理。
在该实施例中,二沉池11产生的沉淀污泥第一部分回流至污泥混凝池3,回流比为4%,第二部分回流至水解酸化池7,回流比为100%,其余部分作为剩余污泥排出系统;所述污泥混凝池3内絮凝体在混凝剂和回流污泥的共同作用下加快形成,絮凝效果显著提高,并且回流活性污泥中含有大量的细菌、真菌等微生物,微生物通过胞外吸附、胞内富集等方式吸附去除污水中的重金属。
在该实施例中,沉淀池6产生的沉淀污泥一部分回流至磁混凝池4,回流比为15%,其余沉淀污泥通过磁分离器15回收磁粉后排出系统,回收的磁粉回流至磁混凝池4,MBBR池10到MABR池9的污泥混合液回流比为200%。
需要说明的是,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制技术方案,本领域的普通技术人员应当理解,对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,不脱离本技术方案的宗旨和范围,均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (7)

1.一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,包括调节池、除氟反应池、污泥混凝池、磁混凝池、絮凝池、沉淀池、水解酸化池、厌氧池、MABR池、MBBR池、二沉池、气浮滤池、臭氧氧化池、消毒池,其特征在于:调节池的出水口与除氟反应池的进水口连通,除氟反应池的出水口与污泥混凝池的进水口连通,污泥混凝池的出水口与磁混凝池的进水口连通,磁混凝池的出水口与絮凝池的进水口连通,絮凝池的出水口与沉淀池的进水口连通,沉淀池的出水口与水解酸化池的进水口连通,水解酸化池的出水口与厌氧池的进水口连通,厌氧池的出水口与MABR池的进水口连通,MABR池的出水口与MBBR池的进水口连通,MBBR池的出水口与二沉池的进水口连通,二沉池的出水口与气浮滤池的进水口连通,气浮滤池的出水口与臭氧氧化池的进水口连通,臭氧氧化池的出水口与消毒池的进水口连通,消毒池的出水口连接外排管道。
2.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,其特征是:所述调节池、除氟反应池、污泥混凝池、磁混凝池、絮凝池内设置搅拌器。
3.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,其特征是:所述调节池连接有用于投加酸或碱的装置,所述除氟反应池连接有用于投加除氟剂的装置,所述污泥混凝池连接有用于投加混凝剂的装置,所述磁混凝池连接有用于投加磁粉的装置,所述絮凝池连接有用于投加絮凝剂的装置,所述MBBR池连接有用于投加碳源的装置。
4.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,其特征是:所述沉淀池与磁混凝池之间设置磁分离器,所述沉淀池内设置有刮吸泥机,沉淀池产生的沉淀污泥一部分回流至磁混凝池,其余部分通过磁分离器分离回收磁粉后排出系统,分离回收的磁粉回流至磁混凝池。
5.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,其特征是:所述MABR池内设置MABR膜组件、潜水推进器,所述MABR膜组件进气端设置有鼓风曝气机。
6.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,其特征是:所述MBBR池内设置MBBR填料、潜水推进器、曝气管道,所述曝气管道的进气端设置有曝气鼓风机,所述MBBR池末端与MABR池前端通过管道连通,将MBBR池末端的部分污泥混合液回流至MABR池前端。
7.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统,其特征是:所述二沉池内设置刮吸泥机,二沉池产生的沉淀污泥第一部分回流至水解酸化池、第二部分回流至污泥混凝池,其余部分作为剩余污泥排出系统。
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