CN213660393U - 提高正向浪涌能力的跳线 - Google Patents

Abstract

提高正向浪涌能力的跳线。涉及一种二极管技术领域，尤其涉及提高正向浪涌能力的跳线结构改进。提供了一种结构紧凑、提升浪涌能力的提高正向浪涌能力的跳线。提高正向浪涌能力的跳线，包括与芯片焊接的钉头和与框架连接的焊接头；所述焊接头与钉头之间通过连接体电性连接；所述钉头呈菱形结构；所述钉头的面积与芯片的焊接区的面积的比值为Q；所述Q的取值范围为：70%≤Q≤100%。所述Q的取值为76%。所述Q的取值为85%。所述钉头的边缘设有向外侧方向延伸的延伸部。所述延伸部呈一平面。本实用新型具有结构紧凑、提升浪涌能力等特点。

Description

提高正向浪涌能力的跳线

技术领域

本实用新型涉及一种二极管技术领域，尤其涉及提高正向浪涌能力的跳线结构改进。

背景技术

正向浪涌电流测试是一种对器件具有破坏性的测试，该测试是检测器件在高温度环境下，芯片自身结构以及外部封装结构(包括键合引脚等)能够承受的瞬间电流脉冲能力，评估器件能够承受的非重复性正向浪涌电流等级(IFSM)。 正向浪涌失效主要为瞬间大电流下的芯片温度过高导致的热击穿，为此减小封装热阻显得尤为重要。

现有技术中的跳线结构，无法把芯片实际浪涌能力发挥到最大，随着电子行业对大电流过流保护需求的提高，对器件浪涌能力的提升为目前行业内迫在眉睫待需解决的问题。

以88mil的GPP（玻璃钝化）芯片为例，其焊接区（用于与钉头焊接结合区）尺寸为1.5mm*1.5mm；跳线的钉头尺寸为1.5mm*0.796mm，经过IFSM浪涌能力测试，测试结果如下：

浪涌电流（A）	110	120	130	135	140	145
							测试结果	通过	通过	通过	失效	失效	失效

由上述实验数据得知，有源区尺寸为1.5mm*1.5mm；跳线的钉头尺寸为1.5mm*0.796mm，其正向浪涌能力只能达到130A，与芯片理论浪涌能力200A有较大差距，大大束缚了芯片的实际能力。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑、提升浪涌能力的提高正向浪涌能力的跳线。

本实用新型的技术方案是：提高正向浪涌能力的跳线，包括与芯片焊接的钉头和与框架连接的焊接头；

所述焊接头与钉头之间通过连接体电性连接；

所述钉头呈菱形结构；

所述钉头的面积与芯片的焊接区的面积的比值为Q；

所述Q的取值范围为：70%≤Q≤100%。

所述Q的取值为76%。

所述Q的取值为85%。

所述钉头的边缘设有向外侧方向延伸的延伸部。

所述延伸部呈一平面。

本实用新型中包括与芯片焊接的钉头和与框架连接的焊接头；钉头呈菱形结构；钉头的面积与芯片的焊接区的面积的比值为Q；Q的取值范围为：70%≤Q≤100%。本案通过改进钉头的结构和与焊接区面积的比值，提升浪涌能力，并有效避免设备装片精度问题，造成钉头部分区域位于焊接区外，从而降低Q值的问题。本实用新型具有结构紧凑、提升浪涌能力等特点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图，

图2是本实用新型的侧视图，

图3是延伸部的结构示意图，

图4是钉头呈菱形结构装片方式的结构示意图，

图5是不同Q值下浪涌电流测试曲线统计图；

图中1是钉头，2是焊接头，3是连接体，4是焊接区， 5是延伸部。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、 “相连”、 “连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接 ；可以是机械连接，也可以是电连接 ；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图 1-5所示，提高正向浪涌能力的跳线，包括与芯片焊接的钉头1和与框架连接的焊接头2；

所述焊接头2与钉头1之间通过连接体3电性连接；

所述钉头1呈菱形结构；

所述钉头1的面积与芯片的焊接区4的面积的比值为Q；理论研究情况，钉头1的面积完全处于焊接区4域内；

所述Q的取值范围为：70%≤Q≤100%。如图5所示,矩形框区域所代表浪涌能力提升平缓区，当跳线焊接面积与芯片焊接区4域面积的比值Q大于70%（0.7）时，产品的浪涌能力较高，满足客户需求。

图4中，菱形结构的钉头1装片后，在芯片X和Y方向的偏移量，相对于芯片而言是在对角线方向偏移（即图中X’和Y’的偏移量），有效避免设备装片精度问题，造成钉头1部分区域位于焊接区4外，从而降低Q值。

所述Q的取值为76%。

下列测试结果，均以88mil的GPP（玻璃钝化）芯片为例；

所述钉头1的边缘设有向外侧方向延伸的延伸部5。延伸部5通常位于焊接区4外侧，通过(铜质的)延伸部5提高散热性能，降低热阻，从而进一步提升浪涌能力。

所述延伸部5呈一平面。

对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：

（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；

（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；

以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (5)

1.提高正向浪涌能力的跳线，其特征在于，包括与芯片焊接的钉头和与框架连接的焊接头；

所述焊接头与钉头之间通过连接体电性连接；

所述钉头呈菱形结构；

所述钉头的面积与芯片的焊接区的面积的比值为Q；

所述Q的取值范围为：70%≤Q≤100%。

2.根据权利要求1所述的提高正向浪涌能力的跳线，其特征在于，所述Q的取值为76%。

3.根据权利要求1所述的提高正向浪涌能力的跳线，其特征在于，所述Q的取值为85%。

4.根据权利要求1所述的提高正向浪涌能力的跳线，其特征在于，所述钉头的边缘设有向外侧方向延伸的延伸部。

5.根据权利要求4所述的提高正向浪涌能力的跳线，其特征在于，所述延伸部呈一平面。

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