CN213601763U - 一种高方阻金属化薄膜 - Google Patents

Abstract

一种高方阻金属化薄膜，包括经等离子处理的基膜，其特征在于，所述基膜的上方设有金属薄膜，所述金属薄膜包括加厚区和普通区，所述加厚区和所述普通区连接，且所述加厚区和所述普通区设于所述基膜的上方，所述加厚区的方阻在2Ω/□到4Ω/□之间，所述普通区的方阻在100Ω/□到250Ω/□之间。本实用新型通过对基膜进行等离子处理，使得金属薄膜能够很好的附着于基膜的表面，不会轻易脱落，使得普通区的方租能够达到100Ω/□‑250Ω/□之间，提高金属薄膜的击穿电压，提高了电容器的储能密度，通过在金属薄膜的表面涂上一层等离子处理的保护油，确保金属薄膜不会直接与空气接触，避免了金属薄膜的氧化，增加了金属薄膜的使用寿命。

Description

一种高方阻金属化薄膜

技术领域

本实用新型涉及电容器金属化膜领域，特别涉及一种高方阻金属化薄膜。

背景技术

脉冲的电容器的储能密度公式为

其中E_stored为储存能量， C为电容器的容量，V是电容器最大的击穿电压。可以看出在电容器体积不变的前提下，要提高电容器存在的能力量，也就是要提高脉冲电容器的储能密度，提高电容器的击穿电压是最有效的方法。

常规高方阻金属化薄膜的方阻在15Ω/□-100Ω/□之间，此类金属化薄膜制作成脉冲电容器后，电容器自愈时释放能量高，容易导致薄膜击穿，使电容器最大击穿电压下降，储能密度降低，且现有的金属化薄膜表面的保护油容易脱落，使得金属薄膜暴露于空气中，导致其氧化而不能使用。

实用新型内容

针对上述缺陷，本实用新型的目的在于提出一种高方阻金属化薄膜，解决现有金属薄膜方阻低，易氧化的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种高方阻金属化薄膜，包括经等离子处理的基膜，所述基膜的上方设有金属薄膜，所述金属薄膜包括加厚区和普通区，所述加厚区和所述普通区连接，且所述加厚区和所述普通区设于所述基膜的上方，所述加厚区的方阻在2Ω/□到4Ω/□之间，所述普通区的方阻在100Ω/□到250Ω/□之间。

优选的，所述基膜的材质为聚丙烯。

优选的，还包括保护油，所述保护油设于所述金属薄膜的上方。

优选的，所述保护油为硅油。

本实用新型的有益效果：

1、普通区的方阻在100Ω/□-250Ω/□之间，能够提高金属薄膜的击穿电压，提高了电容器的储能密度。

2、通过在金属薄膜的表面涂上一层等离子处理的保护油，确保金属薄膜不会直接与空气接触，避免了金属薄膜的氧化，增加了金属薄膜的使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型基膜、金属薄膜和保护油的结构示意图；

其中：基膜1、金属薄膜2、普通区21、加厚区22、保护油3。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

如图1所述，一种高方阻金属化薄膜，包括经等离子处理的基膜1，所述基膜1的上方设有金属薄膜2，所述金属薄膜2包括加厚区22和普通区21，所述加厚区22和所述普通区21连接，且所述加厚区22和所述普通区21设于所述基膜1的上方，所述加厚区22的方阻在2Ω/□到4Ω/□之间，所述普通区21 的方阻在100Ω/□到250Ω/□之间。

更进一步的说明，所述基膜1的材质为聚丙烯。

更进一步的说明，还包括保护油3，所述保护油3设于所述金属薄膜2的上方。

更进一步的说明，所述保护油3为硅油。

本实用新型在基膜1的表面蒸镀金属镀层构成金属化薄膜，具体的，基膜1 为聚丙烯材质制得，附着在基膜1上的薄膜分为加厚区22和普通区21，其中普通区21的方阻在100Ω/□-250Ω/□之间，且加厚区22的面积远远小于普通区21的面积，确保能够提高金属化膜的击穿电压，提高脉冲电容器的储能密度。

更进一步的说明，基膜1在蒸镀金属膜之前对其表面进行了等离子处理，提高了金属薄膜2附着在基膜1上的能力，使得普通区21的金属薄膜2的厚度无需太厚即可使得其在基膜1的包面形成薄膜，当金属薄膜2附着于基膜1上后，在金属薄膜2表面涂附了一层保护油3(这层保护油3也经过了等离子处理)，该层保护油3能够将金属薄膜2和空气隔开，避免金属薄膜2直接与空气接触，减少金属薄膜2的氧化速度，保证金属化膜的方阻稳定，增加了金属薄膜2的使用时，进一步确保了电容器的储能效率不会过早衰减。保护油3经过了等离子处理后，保护油3的分子发生了交联，使得保护油3可以长期稳定的附着金属层表面，不会出现脱落或是蒸发的情况，从而杜绝了金属薄膜2与空气接触的可能，避免了金属薄膜2的氧化反应。

本实用新型的普通区21的方阻能够达到100Ω/□-250Ω/□之间，提高金属薄膜2的击穿电压，提高了电容器的储能密度，通过在金属薄膜2的表面涂上一层等离子处理的保护油3，确保金属薄膜2不会直接与空气接触，避免了金属薄膜2的氧化，增加了金属薄膜2的使用寿命。

更进一步的说明，所述普通区21的方阻在100Ω/□到250Ω/□之间。

由于普通区21的厚度很小，使得其方阻能够很大，达到100Ω/□到250Ω /□之间，提高了普通区21金属薄膜2的击穿电压，提高脉冲电容器的储能密度。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种高方阻金属化薄膜，包括经等离子处理的基膜，其特征在于，所述基膜的上方设有金属薄膜，所述金属薄膜包括加厚区和普通区，所述加厚区和所述普通区连接，且所述加厚区和所述普通区设于所述基膜的上方，所述加厚区的方阻在2Ω/□到4Ω/□之间，所述普通区的方阻在100Ω/□到250Ω/□之间。

2.根据权利要求1所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：所述基膜的材质为聚丙烯。

3.根据权利要求1所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：还包括保护油，所述保护油设于所述金属薄膜的上方。

4.根据权利要求3所述的一种高方阻金属化薄膜，其特征在于：所述保护油为硅油。

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