CN213522535U - 电池保护板结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出一种电池保护板结构，其特征在于，构成电气连接的控制器件和功率器件位于不同的两块PCB板上；两块所述PCB板通过焊接或连接器构成固定连接。其将控制器件与功率器件分离，减少控制器件对功率器件的PCB占用，从而增大功率器件走线面积，达到降低温升的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及电池充电供电电路领域，尤其涉及一种电池保护板结构。
背景技术
在以电池供电的电子产品中，常常遇到的问题就是通过大电流时，温升高。如此一来，如何降低温升就成为了电池供电的电子产品的一个重要课题。本方案根据此需求，设计一种保护板的布局，有效降低发热的产生，降低温升。
现有技术功率器件与控制器件通处于一块PCB上，这样导致通过大电流的回路面积被控制器件占用部分，导致通大电流的铜箔体积减小，从而导致温度升高。
实用新型内容
为了解决现有技术存在的不足和缺陷，本实用新型提出了一种电池保护板结构设计方案，将电路中的控制器件部分与功率器件部分分开设计，在layout时将功率器件与控制器件分别置于两块PCB上，通过热压焊组合两块PCB。从而使功率器件部分可用面积增大，增加通电流的铜箔体积，从而降低温升。同样地，在电池较小，无法同时放下控制器件与功率器件的设计中也可以应用此方案来实现设计。本方案可在小电池以及快充电池上应用。
本实用新型具体采用以下技术方案：
一种电池保护板结构，其特征在于：构成电气连接的控制器件和功率器件位于不同的两块PCB板上；两块所述PCB板通过焊接或连接器构成固定连接。
优选地，所述控制器件的电路由电阻R1、电阻R2、电容C1和MCU构成；所述电阻R1为限流电阻，连接MCU的VDD接口；所述电阻R2连接MCU的VM接口；所述电容C1为滤波电容，一端连接MCU的VDD接口，另一端连接MCU的VSS并接地；
所述功率器件的电芯正极输出P+并经电阻R1连接MCU的VDD接口；电芯负极经电阻RS1连接MCU的RS接口，并经第一NMOS的S极、第一NMOS的D极、第二NMOS的D极、第二NMOS的S极输出P-并经电阻R2连接MCU的VM接口；所述第一NMOS和第二NMOS的G极分别连接MCU的CO接口和DO接口。
优选地，所述功率器件所在PCB板远离控制器件所在PCB板的一端安装有第二连接器；所述第二连接器与功率器件构成电气连接。
本实用新型及其优选方案将控制器件与功率器件分离，减少控制器件对功率器件的PCB占用，从而增大功率器件走线面积，达到降低温升的效果。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步详细的说明：
图1是本实用新型实施例整体结构原理框图；
图2是本实用新型实施例控制器件电路原理示意图；
图3是本实用新型实施例功率器件电路原理示意图；
图4是本实用新型实施例结构示意图。
具体实施方式
为让本专利的特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：
如图1所示，将功率器件部分与控制器件部分，分为两块PCM，最后通过热压焊等形式组合起来。由控制器件部分的PCM对功率器件进行控制。并可以采用连接器形成功率器件的输出端口。
如图2所示，本实施例的控制器件部分总共使用了两个电阻，一个电容，一个MCU。MCU通过的VDD pin连接R1，R1的另一端为输入pin，R1为限流电阻。待与功率器件部分的PCM组合时，连接入VDD。MCU的VDD pin与VSS pin间串联C1电容，C1为滤波电容。VSS pin与C1电容的一端连接，并在两个PCM组合时接入线路的GND。MCU的RS pin为电压检测端口，MCU检测RS与GND之间的电压差控制MOSFET开关，达到保护目的。MCU的CO与DO在两块PCM组合后分别连接Q1,Q2NMOS的G极，从而控制MOS开关。MCU的VMpin连接R2，R2的另一端在PCM组合后连接到P-。
如图3所示，在功率器件部分当中，电芯负极经电阻RS1连接RS的一端，另一端连接Q1 NMOS的S极，NMOS的D极连接Q2 NMOS的D极，Q2 NMOS的S极输出P-。电芯的正极直接输出P+。
如图4所示，本实施例将控制器件与功率器件的两块PCB组合焊接，形成最终产品。作为等同替换，焊盘连接也可以改为连接器连接。
本专利不局限于上述最佳实施方式，任何人在本专利的启示下都可以得出其它各种形式的电池保护板结构，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利的涵盖范围。
Claims (2)
1.一种电池保护板结构，其特征在于：构成电气连接的控制器件和功率器件位于不同的两块PCB板上；两块所述PCB板通过焊接或连接器构成固定连接；
所述功率器件所在PCB板远离控制器件所在PCB板的一端安装有第二连接器；所述第二连接器与功率器件构成电气连接。
2.根据权利要求1所述的电池保护板结构，其特征在于：
所述控制器件的电路由电阻R1、电阻R2、电容C1和MCU构成；所述电阻R1为限流电阻，连接MCU的VDD接口；所述电阻R2连接MCU的VM接口；所述电容C1为滤波电容，一端连接MCU的VDD接口，另一端连接MCU的VSS并接地；
所述功率器件的电芯正极输出P+并经电阻R1连接MCU的VDD接口；电芯负极经电阻RS1连接MCU的RS接口，并经第一NMOS的S极、第一NMOS的D极、第二NMOS的D极、第二NMOS的S极输出P-并经电阻R2连接MCU的VM接口；所述第一NMOS和第二NMOS的G极分别连接MCU的CO接口和DO接口。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202022463073.8U CN213522535U (zh) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 电池保护板结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN213522535U true CN213522535U (zh) | 2021-06-22 |
Family
ID=76414418
Family Applications (1)
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| CN202022463073.8U Active CN213522535U (zh) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 电池保护板结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN213522535U (zh) |
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2020
- 2020-10-30 CN CN202022463073.8U patent/CN213522535U/zh active Active
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