CN213658834U - 一种锂电保护板新型的电流采样电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种锂电保护板新型的电流采样电路，包括控制模块、集成电路、电容、电阻、采样铜箔以及电源，其特征在于：所述集成电路与电源电性连接，所述控制模块与集成电路电性连接，所述集成电路上分别设置有CHG FET晶体管和DSG FET晶体管，且所述CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口电性连接，所述CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口之间设置有510K电阻，所述DSG FET晶体管与控制模块的NDDRV端口电性连接。本实用新型通过合理的布板能带来较大面积的散热效果，原先电流流过合金电阻发热集中在电阻本体上，散热面积受电阻本体尺寸限制，电流流过较大面积铜箔，发热分散在整个铜箔上，由于不需要安装合金电阻，节约器件成本。

Description

一种锂电保护板新型的电流采样电路

技术领域

本实用新型涉及锂电保护板技术领域，具体为一种锂电保护板新型的电流采样电路。

背景技术

锂电保护板是对串联锂电池组的充放电保护；在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值(一般±20mV)，实现电池组各单体电池的均充，有效地改善了串联充电方式下的充电效果；同时检测电池组中各个单体电池的过压、欠压、过流、短路、过温状态，保护并延长电池使用寿命；欠压保护使每一单节电池在放电使用时避免电池因过放电而损坏。

目前市场上锂电保护板一般使用采样电阻或康铜丝来串联在供电主回路上，电流流过这些器件时产生一定的压降，通过采样此压降电压来判断流过的电流大小，另外还有诸如使用其它方案利用MOS管的内阻来代替采样电阻等方案，这些方案各有利弊，有的成本较高需要多个合金电阻，有的精度太低MOS管内阻变化大，康铜丝受焊接工艺影响阻值不稳定，同时散热能力不佳，因此我们需要提出一种锂电保护板新型的电流采样电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种锂电保护板新型的电流采样电路，使用PCB上的采样铜箔来代替传统采样器件，通过合理设计铜箔的长度宽度和走线方式，可以得到一个较为精确的走线电阻，利用此走线电阻流过电流后的压降来检测流过的电流大小，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种锂电保护板新型的电流采样电路，包括控制模块、集成电路、电容、电阻、采样铜箔以及电源，所述集成电路与电源电性连接，所述控制模块与集成电路电性连接，所述集成电路上分别设置有CHG FET晶体管和DSG FET晶体管，且所述CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口电性连接，所述CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口之间设置有510K电阻，所述DSG FET晶体管与控制模块的NDDRV端口电性连接，所述DSG FET晶体管与控制模块的NDDRV端口之间设置有5.1K电阻，所述采样铜箔安装于集成电路的负极。

优选的，所述控制模块包括VCC端口、VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口，所述VCC端口、VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口分别通过五组第一连接线与集成电路的正极电性连接。

优选的，所述VCC端口与集成电路的正极之间串联有100R电阻和1N4148二极管，所述VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口与集成电路的正极之间分别串联有1K电阻。

优选的，五组所述连接线上分别电性连接有五组第二连接线，五组所述第二连接线的一端与集成电路的负极电性连接，且所述第二连接线上分别串联有电容。

优选的，与所述VCC端口第一连接线电性连接的第二连接线上串联的电容为4.7nF电容，与所述VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口第一连接线电性连接的第二连接线上串联的电容为47-470nF。

优选的，所述DSG FET晶体管与集成电路之间并联有10M电阻，所述CHG FET晶体管与集成电路之间并联有1.2M电阻。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过使用PCB上的采样铜箔来代替传统采样器件，通过合理设计铜箔的长度宽度和走线方式，可以得到一个较为精确的走线电阻，利用此走线电阻流过电流后的压降来检测流过的电流大小，降低了成本，提高了精度，使用时，电流流过较大面积铜箔，发热分散在整个铜箔上，提高了散热效果件成本。

附图说明

图1为本实用新型的锂电保护板新型的电流采样电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：

一种锂电保护板新型的电流采样电路，包括控制模块、集成电路、电容、电阻、采样铜箔以及电源，其特征在于：集成电路与电源电性连接，控制模块与集成电路电性连接，集成电路上分别设置有CHG FET晶体管和DSG FET晶体管，且CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口电性连接，CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口之间设置有510K电阻，DSGFET晶体管与控制模块的NDDRV端口电性连接，DSG FET晶体管与控制模块的NDDRV端口之间设置有5.1K电阻，采样铜箔安装于集成电路的负极；

其中，主控模块采用TSSOP16芯片；

控制模块包括VCC端口、VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口，VCC端口、VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口分别通过五组第一连接线与集成电路的正极电性连接，VCC端口与集成电路的正极之间串联有100R电阻和1N4148二极管，VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口与集成电路的正极之间分别串联有1K电阻；

五组连接线上分别电性连接有五组第二连接线，五组第二连接线的一端与集成电路的负极电性连接，且第二连接线上分别串联有电容，与VCC端口第一连接线电性连接的第二连接线上串联的电容为4.7nF电容，与VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口第一连接线电性连接的第二连接线上串联的电容为47-470nF；

主控模块还包括CUTV端口和COTV端口，且CUTV端口和COTV端口分别与集成电路的负极电性连接，CUTV端口和COTV端口与集成电路的负极之间设置有100nF电容；

主控模块还包括VM端口和CS端口，且VM端口和CS端口分别与集成电路的负极电性连接，VM端口与集成电路的负极之间设置有5.1K电阻，CS端口与集成电路的负极之间设置有100R电阻；

DSG FET晶体管与集成电路之间并联有10M电阻，CHG FET晶体管与集成电路之间并联有1.2M电阻。

工作原理：此方案通过合理的布板能带来较大面积的散热效果，原先电流流过合金电阻发热集中在电阻本体上，散热面积受电阻本体尺寸限制，本方案电流流过较大面积铜箔，发热分散在整个铜箔上，由于不需要安装合金电阻，节约器件成本。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种锂电保护板新型的电流采样电路，包括控制模块、集成电路、电容、电阻、采样铜箔以及电源，其特征在于：所述集成电路与电源电性连接，所述控制模块与集成电路电性连接，所述集成电路上分别设置有CHG FET晶体管和DSG FET晶体管，且所述CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口电性连接，所述CHG FET晶体管与控制模块的NCDRV端口之间设置有510K电阻，所述DSG FET晶体管与控制模块的NDDRV端口电性连接，所述DSG FET晶体管与控制模块的NDDRV端口之间设置有5.1K电阻，所述采样铜箔安装于集成电路的负极。

2.根据权利要求1所述的一种锂电保护板新型的电流采样电路，其特征在于：所述控制模块包括VCC端口、VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口，所述VCC端口、VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口分别通过五组第一连接线与集成电路的正极电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种锂电保护板新型的电流采样电路，其特征在于：所述VCC端口与集成电路的正极之间串联有100R电阻和1N4148二极管，所述VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口与集成电路的正极之间分别串联有1K电阻。

4.根据权利要求2所述的一种锂电保护板新型的电流采样电路，其特征在于：五组所述连接线上分别电性连接有五组第二连接线，五组所述第二连接线的一端与集成电路的负极电性连接，且所述第二连接线上分别串联有电容。

5.根据权利要求4所述的一种锂电保护板新型的电流采样电路，其特征在于：与所述VCC端口第一连接线电性连接的第二连接线上串联的电容为4.7nF电容，与所述VC1端口、VC2端口、VC3端口、VC4端口第一连接线电性连接的第二连接线上串联的电容为47-470nF。

6.根据权利要求1所述的一种锂电保护板新型的电流采样电路，其特征在于：所述DSGFET晶体管与集成电路之间并联有10M电阻，所述CHG FET晶体管与集成电路之间并联有1.2M电阻。

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