CN213401167U - 一种高稳定性的半导体晶体管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高稳定性的半导体晶体管,涉及半导体器件技术领域。包括塑封壳、硅芯片、第一铜夹带、漏极散热板、漏级引脚、第二铜夹带、源极散热板及源极引脚,所述硅芯片与第一铜夹带和第二铜夹带依次封装于塑封壳中,且第一铜夹带和第二铜夹带与硅芯片相互粘连。该高稳定性的半导体晶体管,在塑封壳的上、下两面均设计了散热板,这样封装内部不易蓄热,能够有效提高工作电流的电流密度,且提供了更多的散热接触面积,把热量从硅芯片上带走,极大地改善了散热,并且占用空间更小,同时改进封装内部的互连方式,用铜夹带代替焊线,以降低封装电阻、电感和热阻,保障了半导体晶体管功能的稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体为一种高稳定性的半导体晶体管。
背景技术
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等,晶体管有时多指晶体三极管,晶体管主要分为双极性晶体管和场效应晶体管,晶体管有N型跟P型组成发射极、和集电极三个极,因为有三种极性,所以也有三种使用方式,分别是发射极接地、基极接地及电极接地。
电路板上由于整合了大量的电子元件,工作时会释放大量热量,造成电路板温度升高,局部区域温度过高会影响电子元件的工作稳定性,因此需要提高电路板的散热效果,常见的散热方式是在电路板上加装散热片,并将需要重点散热的电子元件安装在散热片上,通过散热片将电路板及电子元件的热量快速吸收,并通过其散热面将热量传递出去,从而达到降温效果,但传统的散热片形状仅为一个整片的平面,其散热效果有限。
实用新型内容
本实用新型提供了一种高稳定性的半导体晶体管,具备极大地改善了散热,改进封装内部互连方式,降低封装电阻、电感和热阻,保障了稳定性的优点,以解决上述背景技术中存在的问题。
为实现极大地改善了散热,改进封装内部互连方式,降低封装电阻、电感和热阻,保障了稳定性的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高稳定性的半导体晶体管,包括塑封壳、硅芯片、第一铜夹带、漏极散热板、漏级引脚、第二铜夹带、源极散热板及源极引脚,所述硅芯片与第一铜夹带和第二铜夹带依次封装于塑封壳中,且第一铜夹带和第二铜夹带与硅芯片相互粘连,所述漏极散热板嵌装于塑封壳的一面,并与第一铜夹带相粘连,所述漏级引脚粘连于漏极散热板上,所述源极散热板嵌装于塑封壳的另一面上,并与第二铜夹带相粘连,所述源极引脚粘连于源极散热板上。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述塑封壳的左右两侧设有耳柄,且耳柄上开设有定位孔。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述硅芯片的两面均涂覆有环氧树脂粘合剂,且通过环氧树脂粘合剂与第一铜夹带和第二铜夹带相粘连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述塑封壳内灌有树脂填充剂,且树脂填充剂包括于硅芯片外。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述塑封壳的一面设有第一嵌槽,所述漏极散热板与漏级引脚均位于第一嵌槽中。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述塑封壳的另一面设有第二嵌槽,所述源极散热板与源极引脚均位于第二嵌槽中。
与现有技术相比,本实用新型提供了一种高稳定性的半导体晶体管,具备以下有益效果:
该高稳定性的半导体晶体管,在塑封壳的上、下两面均设计了散热板,这样封装内部不易蓄热,能够有效提高工作电流的电流密度,且提供了更多的散热接触面积,把热量从硅芯片上带走,极大地改善了散热,并且占用空间更小,同时改进封装内部的互连方式,用铜夹带代替焊线,以降低封装电阻、电感和热阻,保障了半导体晶体管功能的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的右视图;
图3为本实用新型的左视图。
图中:1、塑封壳;2、硅芯片;3、第一铜夹带;4、漏极散热板;5、漏级引脚;6、第二铜夹带;7、源极散热板;8、源极引脚;9、耳柄;10、定位孔;11、环氧树脂粘合剂;12、树脂填充剂;13、第一嵌槽;14、第二嵌槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-图3,本实用新型公开了一种高稳定性的半导体晶体管,包括塑封壳1、硅芯片2、第一铜夹带3、漏极散热板4、漏级引脚5、第二铜夹带6、源极散热板7及源极引脚8,所述硅芯片2与第一铜夹带3和第二铜夹带6依次封装于塑封壳1中,且第一铜夹带3和第二铜夹带6与硅芯片2相互粘连,所述漏极散热板4嵌装于塑封壳1的一面,并与第一铜夹带3相粘连,所述漏级引脚5粘连于漏极散热板4上,所述源极散热板7嵌装于塑封壳1的另一面上,并与第二铜夹带6相粘连,所述源极引脚8粘连于源极散热板7上,在塑封壳1的上、下两面均设计了散热板,这样封装内部不易蓄热,能够有效提高工作电流的电流密度,且提供了更多的散热接触面积,把热量从硅芯片2上带走,极大地改善了散热,并且占用空间更小,同时改进封装内部的互连方式,用铜夹带代替焊线,以降低封装电阻、电感和热阻,保障了半导体晶体管功能的稳定性。
具体的,所述塑封壳1的左右两侧设有耳柄9,且耳柄9上开设有定位孔10。
本实施方案中,在与其他电器件进行连接安装时,塑封壳1通过定位孔10进行定位、固定。
具体的,所述硅芯片2的两面均涂覆有环氧树脂粘合剂11,且通过环氧树脂粘合剂11与第一铜夹带3和第二铜夹带6相粘连接。
本实施方案中,环氧树脂粘合剂11具有粘接性能好、功能性好、粘接工艺简便的特点,通过环氧树脂粘合剂11可保障第一铜夹带3和第二铜夹带6与硅芯片2的连接性。
具体的,所述塑封壳1内灌有树脂填充剂12,且树脂填充剂12包括于硅芯片2外。
本实施方案中,树脂填充剂12可起到绝缘的作用。
具体的,所述塑封壳1的一面设有第一嵌槽13,所述漏极散热板4与漏级引脚5均位于第一嵌槽13中。
本实施方案中,漏极散热板4与漏级引脚5均通过第一嵌槽13安装于塑封壳1的一面上。
具体的,所述塑封壳1的另一面设有第二嵌槽14,所述源极散热板7与源极引脚8均位于第二嵌槽14中。
本实施方案中,源极散热板7与源极引脚8均通过第二嵌槽14安装于塑封壳1的另一面上。
本实用新型的工作原理及使用流程:在使用时,在塑封壳1的上、下两面均设计了散热板,这样封装内部不易蓄热,能够有效提高工作电流的电流密度,且提供了更多的散热接触面积,把热量从硅芯片2上带走,极大地改善了散热,同时改进封装内部的互连方式,用铜夹带代替焊线,以降低封装电阻、电感和热阻,保障半导体晶体管功能的稳定性。
综上所述,该高稳定性的半导体晶体管,在塑封壳1的上、下两面均设计了散热板,这样封装内部不易蓄热,能够有效提高工作电流的电流密度,且提供了更多的散热接触面积,把热量从硅芯片2上带走,极大地改善了散热,并且占用空间更小,同时改进封装内部的互连方式,用铜夹带代替焊线,以降低封装电阻、电感和热阻,保障了半导体晶体管功能的稳定性。
需要说明的是,在本文中,诸如术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种高稳定性的半导体晶体管,包括塑封壳(1)、硅芯片(2)、第一铜夹带(3)、漏极散热板(4)、漏级引脚(5)、第二铜夹带(6)、源极散热板(7)及源极引脚(8),其特征在于:所述硅芯片(2)与第一铜夹带(3)和第二铜夹带(6)依次封装于塑封壳(1)中,且第一铜夹带(3)和第二铜夹带(6)与硅芯片(2)相互粘连,所述漏极散热板(4)嵌装于塑封壳(1)的一面,并与第一铜夹带(3)相粘连,所述漏级引脚(5)粘连于漏极散热板(4)上,所述源极散热板(7)嵌装于塑封壳(1)的另一面上,并与第二铜夹带(6)相粘连,所述源极引脚(8)粘连于源极散热板(7)上。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定性的半导体晶体管,其特征在于:所述塑封壳(1)的左右两侧设有耳柄(9),且耳柄(9)上开设有定位孔(10)。
3.根据权利要求1所述的一种高稳定性的半导体晶体管,其特征在于:所述硅芯片(2)的两面均涂覆有环氧树脂粘合剂(11),且通过环氧树脂粘合剂(11)与第一铜夹带(3)和第二铜夹带(6)相粘连接。
4.根据权利要求1所述的一种高稳定性的半导体晶体管,其特征在于:所述塑封壳(1)内灌有树脂填充剂(12),且树脂填充剂(12)包括于硅芯片(2)外。
5.根据权利要求1所述的一种高稳定性的半导体晶体管,其特征在于:所述塑封壳(1)的一面设有第一嵌槽(13),所述漏极散热板(4)与漏级引脚(5)均位于第一嵌槽(13)中。
6.根据权利要求1所述的一种高稳定性的半导体晶体管,其特征在于:所述塑封壳(1)的另一面设有第二嵌槽(14),所述源极散热板(7)与源极引脚(8)均位于第二嵌槽(14)中。
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CN202022765912.1U CN213401167U (zh) | 2020-11-25 | 2020-11-25 | 一种高稳定性的半导体晶体管 |
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Publications (1)
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CN202022765912.1U Active CN213401167U (zh) | 2020-11-25 | 2020-11-25 | 一种高稳定性的半导体晶体管 |
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