CN213347837U - 一种养晶型真空降温结晶器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种养晶型真空降温结晶器，属于结晶装置技术领域。包括结晶器；结晶器内部按从上到下的顺序依次划分为闪蒸室、澄清室和结晶室；结晶器内部设置竖直方向的导流筒并且在导流筒内设置使溶液由上到下流动的轴流推进式搅拌器；结晶室所在的结晶器的侧壁上设置进料口和出料口；澄清室所在的结晶器的侧壁上设置清液出口；结晶器的顶端设置二次汽出口。该装置在工作时，进入导流筒参与循环的溶液中含有少量晶体甚至不含晶体，避免了叶轮对晶体的破碎，减少了二次成核。

Description

一种养晶型真空降温结晶器

技术领域

本实用新型涉及一种养晶型真空降温结晶器，属于结晶装置技术领域。

背景技术

目前真空降温结晶器为内循环和外循环两种形式。

内循环均为搅拌驱动全混流形式，即母液和晶体均匀混合参与循环过程。晶体运动强度大，机械破碎严重，二次成核速率高，产品粒度小。

外循环型结晶器需要配置大流量循环泵，循环泵转速高，对晶体破碎更严重。虽然结晶器可设计为清液循环型，但设备直径较大，投资较高。若设计为半清液循环型(即循环液在结晶器内澄清不充分，含有少量晶体)，但由于循环泵转速较高，仍然存在晶体破碎的问题。

外循环型结晶器配置了循环管道等附属设施，循环阻力增大，增加了电耗。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种养晶型真空降温结晶器。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种养晶型真空降温结晶器，包括结晶器；结晶器内部按从上到下的顺序依次划分为闪蒸室、澄清室和结晶室；结晶器内部设置竖直方向的导流筒并且在导流筒内设置使溶液由上到下流动的轴流推进式搅拌器；结晶室所在的结晶器的侧壁上设置进料口和出料口；澄清室所在的结晶器的侧壁上设置清液出口；结晶器的顶端设置二次汽出口。

进一步的改进为，导流筒从澄清室向下延伸至结晶室下部。

进一步的改进为，出料口设置若干个并且位于不同的高度。

进一步的改进为，轴流推进式搅拌器设置在导流筒的上端口内侧或者下端口的内侧。

进一步的改进为，闪蒸室内设置气液分离器，所述气液分离器的气体出口与二次汽出口相连通。

由于采用了上述技术方案，本实用新型取得的技术效果有：

1、该装置在工作时，进入导流筒参与循环的溶液中含有少量晶体甚至不含晶体，避免了叶轮对晶体的破碎，减少了二次成核。

2、结晶室内晶体分级悬浮，晶体粒度大而且均一。

3、在结晶器内部设置导流筒和轴流推进式搅拌，循环流量大，可通过调节搅拌转速控制设备内部流场状态和物料过饱和度。

4、该装置中设置的轴流推进式搅拌器的搅拌直径达，转速低，与高转速的外置轴流泵相比，对晶体的破坏更小。

5、在结晶室不同高度设置出料口，可取出不同粒度要求的晶体。

6、设备无换热面，不易结垢，生产效率高。

附图说明

图1是本实用新型轴流推进式搅拌器位于下方的结构示意图；

图2是本实用新型轴流推进式搅拌器位于上方的结构示意图；

其中，1、二次汽出口，2、闪蒸室，3、澄清室，4、结晶室，5、进料口， 6、轴流推进式搅拌器，7、出料口，8、清液出口，9、结晶器，10、导流筒。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型做进一步详细说明：

本实用新型公开了一种养晶型真空降温结晶器，是一种结晶装置。

如图1、图2所示，首先包括结晶器9。结晶器9为封闭的罐状结构，结晶器9的内部空间按从上到下的顺序依次划分为闪蒸室2、澄清室3和结晶室4。即，结晶器9的上部为闪蒸室2，中部为澄清室3，下部为结晶室4，但是，三个区域并不是平均划分的。结晶室4所占用的空间较大。

在结晶器9内部设置竖直方向的导流筒10，所述导流筒10一般为圆筒结构用于对溶液进行流动导向。如图1、图2所示，导流筒10从澄清室3向下延伸至结晶室4下部。进一步的，在导流筒10内设置能够促使溶液由上到下流动的轴流推进式搅拌器6。通常，轴流推进式搅拌器6为由电机驱动转动的涡轮，电机的转速可以调节，例如可以为电机设置变频器。轴流推进式搅拌器6可以设置在导流筒10的上端口内侧，也可以设置在导流筒10的下端口的内侧。通常设备较大时，设计为底部搅拌的形式。无论设置在哪一位置，轴流推进式搅拌器6需要能够使导向筒10内的溶液由上到下流动。

如图1、图2所示，在结晶室4所在的结晶器9的侧壁上设置进料口5和出料口7。进料口5实际上是进料管道，进料口5向内延伸至导流筒10的内部。原料自进料口5进入导流筒10的内部，与循环液充分混合后进入结晶室4底部。在具体的实施中，出料口7设置若干个，并且将若干个出料口设置在结晶器9 侧壁上的不同高度，可取出不同粒度要求的晶体。

在澄清室3所在的结晶器9的侧壁上设置清液出口8，部分清液能够从清液出口排出设备。在结晶器9的顶端设置二次汽出口1，二次蒸汽在闪蒸室2内进行气液分离后从设备顶部的二次汽出口排出。

进一步的，可以在闪蒸室2内设置气液分离器，所述气液分离器的气体出口与二次汽出口1相连通。

该结晶器的工作原理如下：

原料自进料口5进入导流筒10内部，与循环液充分混合后进入结晶室4底部，在轴流推进式搅拌器6的推动下转而向上流动。晶体悬浮于结晶室4形成流态化晶体床层，同时形成了粒度梯度分布，上部晶体粒度小，下部晶体粒度大。上升母液低速穿过晶体床层，释放过饱和，晶体长大。母液上升至澄清室3 液面处闪蒸出二次蒸汽，温度降低，产生过饱和，而后又进入中央的导流筒10，在搅拌的带动下开始下一次循环。部分清液从清液出口排出设备。二次蒸汽在闪蒸室2进行气液分离后从设备顶部的二次汽出口1排出。装置运行时，液面位于导流筒上部。图1和图2中箭头的方向为液体的流向。

该结晶器可以配置液位计、密度计、温度计等仪表，提高自动化水平，使操作更加简单。

该装置可连续操作，也可用于间歇操作。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。

Claims (5)

1.一种养晶型真空降温结晶器，其特征在于：包括结晶器(9)；结晶器(9)内部按从上到下的顺序依次划分为闪蒸室(2)、澄清室(3)和结晶室(4)；结晶器(9)内部设置竖直方向的导流筒(10)并且在导流筒(10)内设置使溶液由上到下流动的轴流推进式搅拌器(6)；结晶室(4)所在的结晶器(9)的侧壁上设置进料口(5)和出料口(7)；澄清室(3)所在的结晶器(9)的侧壁上设置清液出口(8)；结晶器(9)的顶端设置二次汽出口(1)。

2.根据权利要求1所述的一种养晶型真空降温结晶器，其特征在于：导流筒(10)从澄清室(3)向下延伸至结晶室(4)下部。

3.根据权利要求1所述的一种养晶型真空降温结晶器，其特征在于：出料口(7)设置若干个并且位于不同的高度。

4.根据权利要求1～3任一项所述的一种养晶型真空降温结晶器，其特征在于：轴流推进式搅拌器(6)设置在导流筒(10)的上端口内侧或者下端口的内侧。

5.根据权利要求1～3任一项所述的一种养晶型真空降温结晶器，其特征在于：闪蒸室(2)内设置气液分离器，所述气液分离器的气体出口与二次汽出口(1)相连通。

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