CN213280193U - 高频高速软硬结合5g线路板产品结构 - Google Patents

高频高速软硬结合5g线路板产品结构 Download PDF

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洪俊杰
廖道福
姚国庆
彭华伟
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Abstract

本实用新型公开了一种高频高速软硬结合5G线路板产品结构,包括有软板、第一硬板、第二硬板、第三硬板和第四硬板;该软板包括有PI基层,其中PI基层为高频高速FPC材料基板;该第一硬板内第一半固化片为低流胶半固化片;该第二硬板内第二半固化片为低流胶半固化片;该第三硬板内第一FR4层为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板;该第四硬板内第二FR4层为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板。通过软板采用高频高速FPC材料基板,第一硬板和第二硬板均采用低流胶半固化片,第三硬板和第四硬板均采用BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板,使DK值和DF值的变化更小,能有效控制产品阻抗的精度,同时还能降低信号的损耗,可以满足5G产品性能的需求。

Description

高频高速软硬结合5G线路板产品结构
技术领域
本实用新型涉及线路板领域技术,尤其是指一种高频高速软硬结合5G线路板产品结构。
背景技术
随着信息技术的快速发展,5G的浪潮滚滚而来,信息传输的速度越来越快,频率越来越高,对电子产品也提出了更高的要求。目前,线路板采用软硬结合板,将软板层和硬板层通过半固化片或纯胶压合而成,再通过钻孔、电镀、蚀刻等工序做出成品。
现有的软硬结合线路板采用一般型基板材料,一般型基板材料在帧率变化的条件下,表现出DK值(介电常数)、DF值(介质损失因子)变化较大的规律。特别是在l MHz到l GHz的频率内,它们的DK、DF值的变化更加明显,一般型基板材料的DF值在受到频率变化(特别是在高频范围内变化)的影响,而产生的变化要比DK还要大,其变化规律为趋于增大。基板材料高的DK值(介电常数)、DF值(介质损失因子)对特性阻抗高精度难以做控制、电子器件信号传输会出现高损耗、高延迟效应,无法达到5G产品性能需求,因此有必要对现有的软硬结合线路板作出进一步改进。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其能有效解决现有之软硬结合线路板频率变化的条件下DK值和DF值变化大、产品阻抗精度难控制、信号传输时损耗大、延迟变化大,无法达到5G产品性能需求的问题。
为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:
一种高频高速软硬结合5G线路板产品结构,包括有软板、第一硬板、第二硬板、第三硬板和第四硬板;该软板包括有PI基层、第一铜箔层和第二铜箔层,其中PI基层为高频高速FPC材料基板,该第一铜箔层和第二铜箔层分别覆盖在PI基层的上下表面,该第一铜箔层的上表面局部覆盖有第一粘结层,该第一粘结层的表面粘接覆盖有第一PI覆盖膜,该第二铜箔层的下表面局部覆盖有第二粘结层,该第二粘结层的表面粘接覆盖有第二PI覆盖膜,且该第二PI覆盖膜、第二粘结层、第一PI覆盖膜和第一粘结层上下对应设置;该第一硬板叠设于第一铜箔层的上表面,且前述第一粘结层和第一PI覆盖膜埋于第一硬板内,其中第一硬板内设置有第一半固化片,且第一半固化片为低流胶半固化片;该第二硬板叠设于第二铜箔层的下表面,且前述第二粘结层和第二PI覆盖膜埋于第二硬板内,其中第二硬板内设置有第二半固化片,且第二半固化片为低流胶半固化片;该第三硬板叠设于第一硬板的上表面,第三硬板的上表面凹设有第一凹槽,第一凹槽向下贯穿至第一PI覆盖膜的上表面,其中第三硬板内设置有第一FR4层,且第一FR4层为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板;该第四硬板叠设于第二硬板的下表面,该第四硬板的下表面凹设有第二凹槽,第二凹槽与前述第一凹槽对应并向上贯穿至第二PI覆盖膜的下表面,其中第四硬板内设置有第二FR4层,且第二FR4层为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板。
作为一种优选方案,所述第一硬板还包括有第一覆盖膜层,该第一覆盖膜层覆盖于第一铜箔层的上表面,前述第一半固化片覆盖于第一覆盖膜层的上表面。
作为一种优选方案,所述第二硬板还包括有第二覆盖膜层,该第二覆盖膜层覆盖于第二铜箔层的下表面,第二半固化片覆盖于第二覆盖膜层的下表面。
作为一种优选方案,所述第三硬板还包括有第三铜箔层、第四铜箔层、第一镀铜层和第一阻焊层,该第三铜箔层覆盖于第一FR4层的下表面,且第三铜箔层覆盖于第一硬板的上表面,该第四铜箔层覆盖于第一FR4层的上表面,该第一镀铜层覆盖于第四铜箔层的上表面,该第一阻焊层覆盖于第一镀铜层的上表面。
作为一种优选方案,所述第四硬板还包括有第五铜箔层、第六铜箔层、第二镀铜层和第二阻焊层,该第五铜箔层覆盖于第二FR4层的上表面,且第五铜箔层覆盖于第二硬板的下表面,该第六铜箔层覆盖于第二FR4层的下表面,该第二镀铜层覆盖于第六铜箔层的下表面,该第二阻焊层覆盖于第二镀铜层的下表面。
根作为一种优选方案,所述低流胶半固化片为腾辉电子(江阴)有限公司生产的低流胶半固化片。
作为一种优选方案,所述高频高速FPC材料基板为杜邦公司生产的高频高速FPC材料基板。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:
通过由软板、第一硬板、第二硬板、第三硬板和第四硬板组成5G线路板,并配合软板的PI基层采用高频高速FPC材料基板,第一硬板内第一半固化片和第二硬板内第二半固化片均采用低流胶半固化片,第三硬板内第一FR4层和第四硬板内第二FR4层均采用BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板,使软硬结合线路板在频率变化的条件下DK值和DF值的变化更小,能有效控制产品阻抗的精度,同时还能降低制成产品在信号传输时信号的损耗,延迟也会更低,可以满足5G产品性能的需求。
为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
图1是本实用新型之较佳实施例的截面示意图。
附图标识说明:
10、软板 11、PI基层
12、第一铜箔层 13、第二铜箔层
14、第一粘结层 15、第一PI覆盖膜
16、第二粘结层 17、第二PI覆盖膜
20、第一硬板 21、第一半固化片
22、第一覆盖膜层 30、第二硬板
31、第二半固化片 32、第二覆盖膜层
40、第三硬板 401、第一凹槽
41、第一FR4层 42、第三铜箔层
43、第四铜箔层 44、第一镀铜层
45、第一阻焊层 50、第四硬板
501、第二凹槽 51、第二FR4层
52、第五铜箔层 53、第六铜箔层
54、第二镀铜层 55、第二阻焊层。
具体实施方式
请参照图1所示,其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构,其中包括有软板10、第一硬板20、第二硬板30、第三硬板40和第四硬板50。
该软板10包括有PI基层11、第一铜箔层12和第二铜箔层13,其中PI基层11为高频高速FPC材料基板,该第一铜箔层12和第二铜箔层13分别覆盖在PI基层11的上下表面,该第一铜箔层12的上表面局部覆盖有第一粘结层14,该第一粘结层14的表面粘接覆盖有第一PI覆盖膜15,该第二铜箔层13的下表面局部覆盖有第二粘结层16,该第二粘结层16的表面粘接覆盖有第二PI覆盖膜17,且该第二PI覆盖膜17、第二粘结层16、第一PI覆盖膜15和第一粘结层14上下对应设置;在本实施例中,所述高频高速FPC材料基板为杜邦公司生产的高频高速FPC材料基板。
该第一硬板20叠设于第一铜箔层12的上表面,且前述第一粘结层14和第一PI覆盖膜15埋于第一硬板内20,其中第一硬板20内设置有第一半固化片21,且第一半固化片21为低流胶半固化片;在本实施例中,所述第一硬板20还包括有第一覆盖膜层22,该第一覆盖膜层22覆盖于第一铜箔层12的上表面,前述第一半固化片21覆盖于第一覆盖膜层22的上表面;所述低流胶半固化片为腾辉电子(江阴)有限公司生产的低流胶半固化片。
该第二硬板30叠设于第二铜箔层13的下表面,且前述第二粘结层16和第二PI覆盖膜17埋于第二硬板内30,其中第二硬板30内设置有第二半固化片31,且第二半固化片31为低流胶半固化片;在本实施例中,所述第二硬板30还包括有第二覆盖膜层32,该第二覆盖膜层32覆盖于第二铜箔层13的下表面,第二半固化片31覆盖于第二覆盖膜层32的下表面;所述低流胶半固化片为腾辉电子(江阴)有限公司生产的低流胶半固化片。
该第三硬板40叠设于第一硬板20的上表面,第三硬板40的上表面凹设有第一凹槽401,第一凹槽401向下贯穿至第一PI覆盖膜15的上表面,其中第三硬板40内设置有第一FR4层41,且第一FR4层41为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板;在本实施例中,所述第三硬板40还包括有第三铜箔层42、第四铜箔层43、第一镀铜层44和第一阻焊层45,该第三铜箔层42覆盖于第一FR4层41的下表面,且第三铜箔层42覆盖于第一硬板20的上表面,该第四铜箔层43覆盖于第一FR4层41的上表面,该第一镀铜层44覆盖于第四铜箔层43的上表面,该第一阻焊层45覆盖于第一镀铜层44的上表面。
该第四硬板50叠设于第二硬板30的下表面,该第四硬板50的下表面凹设有第二凹槽501,第二凹槽501与前述第一凹槽401对应并向上贯穿至第二PI覆盖膜17的下表面,其中第四硬板50内设置有第二FR4层51,且第二FR4层51为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板;在本实施例中,所述第四硬板50还包括有第五铜箔层52、第六铜箔层53、第二镀铜层54和第二阻焊层55,该第五铜箔层52覆盖于第二FR4层51的上表面,且第五铜箔层52覆盖于第二硬板30的下表面,该第六铜箔层53覆盖于第二FR4层51的下表面,该第二镀铜层54覆盖于第六铜箔层53的下表面,该第二阻焊层55覆盖于第二镀铜层54的下表面。
本实用新型的设计重点在于:通过由软板、第一硬板、第二硬板、第三硬板和第四硬板组成5G线路板,并配合软板的PI基层采用高频高速FPC材料基板,第一硬板内第一半固化片和第二硬板内第二半固化片均采用低流胶半固化片,第三硬板内第一FR4层和第四硬板内第二FR4层均采用BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板,使软硬结合线路板在频率变化的条件下DK值和DF值的变化更小,能有效控制产品阻抗的精度,同时还能降低制成产品在信号传输时信号的损耗,延迟也会更低,可以满足5G产品性能的需求。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型的技术范围作任何限制,故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其特征在于:包括有软板、第一硬板、第二硬板、第三硬板和第四硬板;该软板包括有PI基层、第一铜箔层和第二铜箔层,其中PI基层为高频高速FPC材料基板,该第一铜箔层和第二铜箔层分别覆盖在PI基层的上下表面,该第一铜箔层的上表面局部覆盖有第一粘结层,该第一粘结层的表面粘接覆盖有第一PI覆盖膜,该第二铜箔层的下表面局部覆盖有第二粘结层,该第二粘结层的表面粘接覆盖有第二PI覆盖膜,且该第二PI覆盖膜、第二粘结层、第一PI覆盖膜和第一粘结层上下对应设置;该第一硬板叠设于第一铜箔层的上表面,且前述第一粘结层和第一PI覆盖膜埋于第一硬板内,其中第一硬板内设置有第一半固化片,且第一半固化片为低流胶半固化片;该第二硬板叠设于第二铜箔层的下表面,且前述第二粘结层和第二PI覆盖膜埋于第二硬板内,其中第二硬板内设置有第二半固化片,且第二半固化片为低流胶半固化片;该第三硬板叠设于第一硬板的上表面,第三硬板的上表面凹设有第一凹槽,第一凹槽向下贯穿至第一PI覆盖膜的上表面,其中第三硬板内设置有第一FR4层,且第一FR4层为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板;该第四硬板叠设于第二硬板的下表面,该第四硬板的下表面凹设有第二凹槽,第二凹槽与前述第一凹槽对应并向上贯穿至第二PI覆盖膜的下表面,其中第四硬板内设置有第二FR4层,且第二FR4层为BT树脂混合玻纤布的高频高速FR4材料基板。
2.根据权利要求1所述的高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其特征在于,所述第一硬板还包括有第一覆盖膜层,该第一覆盖膜层覆盖于第一铜箔层的上表面,前述第一半固化片覆盖于第一覆盖膜层的上表面。
3.根据权利要求1所述的高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其特征在于,所述第二硬板还包括有第二覆盖膜层,该第二覆盖膜层覆盖于第二铜箔层的下表面,第二半固化片覆盖于第二覆盖膜层的下表面。
4.根据权利要求1所述的高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其特征在于,所述第三硬板还包括有第三铜箔层、第四铜箔层、第一镀铜层和第一阻焊层,该第三铜箔层覆盖于第一FR4层的下表面,且第三铜箔层覆盖于第一硬板的上表面,该第四铜箔层覆盖于第一FR4层的上表面,该第一镀铜层覆盖于第四铜箔层的上表面,该第一阻焊层覆盖于第一镀铜层的上表面。
5.根据权利要求1所述的高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其特征在于,所述第四硬板还包括有第五铜箔层、第六铜箔层、第二镀铜层和第二阻焊层,该第五铜箔层覆盖于第二FR4层的上表面,且第五铜箔层覆盖于第二硬板的下表面,该第六铜箔层覆盖于第二FR4层的下表面,该第二镀铜层覆盖于第六铜箔层的下表面,该第二阻焊层覆盖于第二镀铜层的下表面。
6.根据权利要求1所述的高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其特征在于,所述低流胶半固化片为腾辉电子(江阴)有限公司生产的低流胶半固化片。
7.根据权利要求1所述的高频高速软硬结合5G线路板产品结构,其特征在于,所述高频高速FPC材料基板为杜邦公司生产的高频高速FPC材料基板。
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