CN213212049U - 一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，包括开关管Q21～Q26、电容C21、电阻R21～R32以及电阻RS；开关管Q26的集电极C，连接低边驱动电路输入端VN；低边驱动电路输入端VN，连接接触器线圈输出端VLN；开关管Q23的基极B，连接电阻R32的第1管脚；开关管Q23的发射极E，连接接地端GND。本实用新型公开的直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，硬件电路设计科学，不占用BMS主控芯片额外的端口资源，能够在BMS主控芯片异常复位时，保证接触器线圈不会断电，实现接触器线圈控制回路的自保持功能，同时没有采用专用集成驱动芯片，即可支持多路驱动扩展，具有很强的实用价值。

Description

一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路

技术领域

本实用新型涉及电池管理技术领域，特别是涉及一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路。

背景技术

电池管理系统(Battery Management System，以下简称BMS)是电池保护装置，也是电池与负载终端的桥梁，根据在线监测的电池实际使用状态为电池提供过充、过放、过温等保护功能，确保电池被安全使用。电池管理系统BMS在电动汽车、通信基站、机器人等诸多领域，被广泛应用。

以电动汽车为例，车载动力电池系统中普遍采用直流接触器作为电池系统高压回路的开关装置，是车载动力电池系统中的关键电气部件，由BMS 或车载电子控制系统控制其通断。在实际使用中，如果直流接触器的线圈突然失去电源，断开动力电池系统高压回路，使车辆突然失去动力，严重影响了车辆的正常使用，也为行车安全带来了极大的风险。造成以上问题的原因之一是：BMS主控芯片异常复位，使直流接触器线圈控制回路的失去控制信号，导致直流接触器线圈断电而停止工作。

鉴于上述问题，现有一些技术方案，采用锁存器和专用集成驱动芯片来实现直流接触器线圈控制回路的自保持，但是锁存器需要占用BMS主控芯片过多的控制端口，而且目前的专用集成驱动芯片价格较高；

另外，专用集成驱动芯片扩展不灵活，专用集成驱动芯片一般都支持多路驱动，如果驱动较少数量的接触器，或扩展时只需要多驱动1路接触器，那也需要至少一颗专用集成驱动芯片，从而既会浪费芯片资源，又占用电路板空间，还造成材料成本偏高。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术存在的技术缺陷，提供一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路。

为此，本实用新型提供了一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，包括开关管Q21～Q26、电容C21、电阻R21～R32以及电阻RS，其中：

电阻R21的第1管脚，分别连接BMS主控芯片的控制信号端SL2和电阻R26的第1管脚；

电阻R21的第2管脚，分别连接电阻R22的第1管脚和开关管Q21的栅极G；

开关管Q21的源极S，分别连接电阻R22的第2管脚和接地端GND；

开关管Q21的漏极D，连接电阻R23的第2管脚；

电阻R23的第1管脚，分别连接开关管Q22的基极B和电阻R24的第 2管脚；

开关管Q22的发射极E，连接电阻R25的第2管脚；

开关管Q22的集电极C，分别连接开关管Q24的发射极E、开关管Q25 的集电极C、电容C21的第1管脚、电阻R28的第1管脚和电阻R29的第1 管脚；

电阻R24的第1管脚，分别连接直流电源VCC、电阻R25的第1管脚、电阻R27的第1管脚和电阻R30的第1管脚；

开关管Q24的基极B，连接电阻R26的第2管脚；

开关管Q24的集电极C，连接接地端GND；

电阻R27的第2管脚，连接开关管Q25的发射极E；

开关管Q25的基极B，分别连接电阻R31的第1管脚和电阻R30的第2 管脚；

电容C21的第2管脚和电阻R28的第2管脚，分别与接地端GND连接；

电阻R29的第2管脚，连接开关管Q26的基极B；

开关管Q26的发射极E，连接电阻RS的第1管脚和电阻R32的第2管脚；

电阻RS的第2管脚，连接接地端GND；

开关管Q26的集电极C，连接低边驱动电路输入端VN；

低边驱动电路输入端VN，连接接触器线圈输出端VLN；

电阻R31的第2管脚，连接开关管Q23的集电极C；

开关管Q23的基极B，连接电阻R32的第1管脚；

开关管Q23的发射极E，连接接地端GND。

优选地，开关管Q21为N沟增强型场效应管MOSFET；

开关管Q22、Q23、Q24和Q26，为PNP型三极管；

开关管Q25，为NPN型三极管。

由以上本实用新型提供的技术方案可见，与现有技术相比较，本实用新型提供了一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，其硬件电路设计科学，不占用BMS主控芯片额外的端口资源，能够在BMS主控芯片异常复位时，保证接触器线圈不会断电，实现接触器线圈控制回路的自保持功能，具有重大的生产实践意义。

此外，对于本实用新型提供的直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，没有采用专用集成驱动芯片，即可支持多路驱动扩展，电子元器件为普遍应用型号，易于选型，而且电路板占用空间小，设计成本很低，是一种易于器件选型且成本低廉的技术方案，因此，本实用新型的技术方案具有很强的实用价值和市场推广价值。

本实用新型提供的技术方案，还可以应用于其他领域驱动电路需要自保持功能的电子电气系统。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种直流接触器线圈的高边驱动自保持电路的电路图；

图2为本实用新型提供的一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路的电路图；

图3为直流接触器线圈，同时连接高边驱动自保持电路和底边驱动自保持电路的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段更容易理解，下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关申请，而非对该申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

参见图1，本实用新型提供了一种直流接触器线圈的高边驱动自保持电路，包括开关管Q1～Q5、电阻R1～R12、电容C1和二极管D1；

电阻R1的第1管脚，分别连接BMS主控芯片的控制信号端SL1和电阻R11的第1管脚；

电阻R1的第2管脚，分别连接电阻R2的第1管脚和开关管Q1的栅极 G；

开关管Q1的源极S，分别连接电阻R2的第2管脚和接地端GND；

开关管Q1的漏极D，连接电阻R3的第2管脚；

电阻R3的第1管脚，分别连接开关管Q2的基极B和电阻R12的第2 管脚；

开关管Q2的发射极E，连接电阻R4的第2管脚；

开关管Q2的集电极C，连接分别连接开关管Q4的发射极E、电阻R5 的第1管脚、电阻R6的第1管脚、电容C1的第1管脚和二极管D1的阴极；

电阻R4的第1管脚，分别连接电阻R8的第1管、电阻R12的第1管脚和直流电源VCC；

开关管Q4的基极B，连接电阻R11的第2管脚；

开关管Q4的集电极C，连接接地端GND；

和二极管D1的阳极，连接电阻R9的第2管脚；

电阻R9的第1管脚，连接高边驱动电路输出端VP；

电阻R5的第2管脚分别连接电容C1的第2管脚、电阻R10的第2管脚和接地端GND；

电阻R6的第2管脚，连接开关管Q3的基极B；

开关管Q3的发射极E，连接电阻R10的第1管脚；

开关管Q3的集电极C，连接电阻R7的第2管脚；

电阻R7的第1管脚，分别连接开关管Q5的栅极G和电阻R8的第2 管脚；

开关管Q5的漏极D，连接直流电源VCC；

开关管Q5的源极S，连接高边驱动电路输出端VP；

高边驱动电路输出端VP，连接接触器线圈电源输入端VLP；

在本实用新型中，具体实现上，对于高边驱动电路，开关管Q1为N沟增强型场效应管MOSFET；

开关管Q5为P沟增强型场效应管MOSFET；

开关管Q2和Q4，为PNP型三极管；

开关管Q3，为NPN型三极管。

在本实用新型中，需要说明的是，SL1为BMS主控芯片的控制信号端，利用BMS主控芯片的通用输入输出端口GPIO提供控制信号SL1，该端口应具备三种信号状态：

一、高电平输出，接通接触器线圈供电电源；

二、低电平输入，断开接触器线圈供电电源；

三、高阻态输入，接通接触器线圈供电电源；

需要说明的是，当BMS主控芯片复位时，控制信号端SL1应为高阻态输入。

在本实用新型中，具体实现上，直流电源VCC可以为12V或24V的直流电源，用于为接触器线圈供电；

为了更加清楚地理解本实用新型的技术方案，下面说明本实用新型的高边驱动电路的工作原理。

在本实用新型中，所述高边驱动电路的工作模式如下：

一、在高边驱动电路的初始状态，BMS主控芯片的控制信号端SL1为低电平或高阻态输入，开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3、开关管Q4和开关管Q5均截止，接触器线圈不工作；

二、当BMS主控芯片的控制信号端SL1变为高电平时，开关管Q4截止，开关管Q1和开关管Q2导通，导通开关管Q3和开关管Q5，使高边驱动电路输出端VP的电压等于直流电源VCC，也就是使接触器线圈电源输入端VLP的电压等于直流电源VCC，接触器线圈可正常工作；

高边驱动电路输出端VP通过电阻R9、二极管D1、电阻R5和电容C1，维持偏置电压V1为高电位状态，持续导通开关管Q3，起到驱动自保持作用；

具体实现上，当BMS主控芯片的控制信号端SL1为高电平时，具体实施例可以如下：

当BMS主控芯片的控制信号端SL1为5V高电平时，开关管Q1导通后，通过电阻R3将所述开关管Q2基极与接地端GND连接，使所述开关管Q2 饱和导通，将直流电源VCC接入所述开关管Q3的基极偏置回路；

直流电源VCC被电阻R4和电阻R5分压后，使开关管Q3基极偏置回路的偏置电压V1由0V变为高电位；

由于偏置电压V1的高电位小于控制信号端SL的高电平5V，所述开关管Q4的基极和所述电阻R11中没有电流，所述开关管Q4截止；

由于偏置电压V1为高电位，因此所述开关管Q3导通；

直流电源VCC被所述电阻R8、所述电阻R7、所述开关管Q3和所述电阻R10分压后，使所述开关管Q5的栅极G电压低于其漏极D电压，因此所述开关管Q5也导通，使高边驱动电路输出端VP的电压等于直流电源 VCC，也就是使所述接触器线圈电源输入端VLP的电压等于直流电源VCC，接触器线圈可以正常工作；

高边驱动电路输出端VP通过所述电阻R9、所述二极管D1、电阻R5 和电容C1可以维持偏置电压V1为高电位，使所述开关管Q3和开关管Q5 的保持导通状态。

三、当BMS主控芯片的控制信号端SL1由高电平变为低电平时，开关管Q1和开关管Q2由导通变为截止，高边驱动电路输出端VP通过电阻R9、二极管D1、电阻R5和电容C1，继续使偏置电压V1保持高电位不变，导通开关管Q4，使开关管Q3和开关管Q5由导通变为截止，此时，高边驱动电路输出端VP的电压变为0V，接触器线圈电源输入端VLP的电压也就随之变为0V，接触器线圈停止工作；

具体实现上，当BMS主控芯片的控制信号端SL1由高电平变为低电平时，具体实施例可以如下：

当BMS主控芯片的控制信号端SL1由5V的高电平变为0V低电平时，开关管Q1由导通变为截止，所述电阻R12将所述开关管Q2的基极电压拉高至直流电源VCC，与所述开关管Q2的发射极电压相等，使所述开关管 Q2也由导通变为截止，断开直流电源VCC；

所述电容C1维持偏置电压V1的高电位不变，保持所述开关管Q3和所述开关管Q5导通，使高边驱动电路输出端VP的电压等于直流电源VCC，可以使接触器线圈通电进入工作状态，并通过电阻R9、二极管Q1、电阻 R5和电容C1继续维持偏置电压V1的高电位不变，使所述开关管Q4的基极和所述电阻R11中有电流，所述开关管Q4由截止变为导通，将偏置电压 V1由高电位拉低为低电位，使所述开关管Q3由导通变为截止；

所述电阻R8将所述开关管Q5的栅极G拉高至直流电源VCC，与所述开关管Q5的漏极D电压相等，因此所述开关管Q5也由导通变为截止，高边驱动电路输出端VP的电压由直流电源VCC变为0V，使所述接触器线圈停止工作；

高边驱动电路输出端VP的电压由直流电源VCC变为0V后，偏置电压 V1被电阻R5由低电位拉低至0V，锁定所述开关管Q3和所述开关管Q5为截止状态，保持接触器线圈为停止状态，也使所述开关管Q4由导通变为截止。

四、在接触器线圈通电状态下，此时，如果BMS主控芯片发生复位，则其控制信号端SL1由高电平输出变为高阻态输入，所述开关管Q1和所述开关管Q2由导通变为截止，所述开关管Q4保持截止状态，所述电容C1维持偏置电压V1的高电位不变，保持所述开关管Q3和所述开关管Q5导通，使高边驱动电路输出端VP的电压等于直流电源VCC；

由于高边驱动电路输出端VP电压的存在，并通过所述电阻R9、所述二极管D1、电阻R5和电容C1继续使偏置电压V1保持高电位不变，因此使所述开关管Q3和所述开关管Q5一直保持导通状态，接触器线圈也始终保持工作状态，由此实现了接触器线圈驱动的自保持功能，直至控制信号端 SL1变为低电平。

具体实现上，当BMS主控芯片复位时，具体实施例可以如下：

当BMS主控芯片的控制信号端SL1为5V高电平时，此时BMS主控芯片复位，则其控制信号端SL1由5V高电平输出变为高阻态输入，所述开关管Q1和所述开关管Q2由导通变为截止，所述开关管Q4保持截止状态；

所述电容C1维持偏置电压V1高电位不变，保持所述开关管Q3和所述开关管Q5导通，使高边驱动电路输出端VP的电压等于直流电源VCC，并通过电阻R9、二极管Q1、电阻R5和电容C1继续维持偏置电压V1的高电位不变，使所述开关管Q3和所述开关管Q5一直保持导通状态，接触器线圈也始终保持工作状态，由此实现了接触器线圈驱动的自保持功能，直至控制信号端SL1变为低电平。

参见图2，本实用新型提供了一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，包括开关管Q21～Q26、电容C21、电阻R21～R32以及电阻RS，其中：

电阻R21的第1管脚，分别连接BMS主控芯片的控制信号端SL2和电阻R26的第1管脚；

电阻R21的第2管脚，分别连接电阻R22的第1管脚和开关管Q21的栅极G；

开关管Q21的源极S，分别连接电阻R22的第2管脚和接地端GND；

开关管Q21的漏极D，连接电阻R23的第2管脚；

电阻R23的第1管脚，分别连接开关管Q22的基极B和电阻R24的第 2管脚；

开关管Q22的发射极E，连接电阻R25的第2管脚；

开关管Q22的集电极C，分别连接开关管Q24的发射极E、开关管Q25 的集电极C、电容C21的第1管脚、电阻R28的第1管脚和电阻R29的第1 管脚；

电阻R24的第1管脚，分别连接直流电源VCC、电阻R25的第1管脚、电阻R27的第1管脚和电阻R30的第1管脚；

开关管Q24的基极B，连接电阻R26的第2管脚；

开关管Q24的集电极C，连接接地端GND；

电阻R27的第2管脚，连接开关管Q25的发射极E；

开关管Q25的基极B，分别连接电阻R31的第1管脚和电阻R30的第2 管脚；

电容C21的第2管脚和电阻R28的第2管脚分别与接地端GND连接；

电阻R29的第2管脚，连接开关管Q26的基极B；

开关管Q26的发射极E，连接电阻RS的第1管脚和电阻R32的第2管脚；

电阻RS的第2管脚，连接接地端GND；

开关管Q26的集电极C，连接低边驱动电路输入端VN；

低边驱动电路输入端VN，连接接触器线圈输出端VLN；

电阻R31的第2管脚，连接开关管Q23的集电极C；

开关管Q23的基极B，连接电阻R32的第1管脚；

开关管Q23的发射极E，连接接地端GND。

在本实用新型中，具体实现上，对于低边驱动电路，开关管Q21为N 沟增强型场效应管MOSFET；

开关管Q22、Q23、Q24和Q26，为PNP型三极管；

开关管Q25，为NPN型三极管。

在本实用新型中，具体实现上，SL2为BMS主控芯片的控制信号端，利用BMS主控芯片的通用输入输出端口GPIO提供控制信号SL2，该端口应具备三种信号状态：

一、高电平输出，接通接触器线圈供电电源；

二、低电平输入，断开接触器线圈供电电源；

三、高阻态输入，接通接触器线圈供电电源。

需要说明的是，当BMS主控芯片复位时，控制信号端SL2应为高阻态输入。

在本实用新型中，需要说明的是，低边驱动电路和高边驱动电路，所连接的接触器线圈，为同一个接触器线圈。

在本实用新型中，具体实现上，直流电源VCC为12V或24V直流电源，为接触器线圈供电；

在本实用新型中，具体实现上，VN为接触器线圈电源输出端。

为了更加清楚地理解本实用新型的技术方案，下面说明本实用新型的低边驱动电路的工作原理。

在本实用新型中，所述低边驱动电路的工作模式如下：

一、在低边驱动电路的初始状态，BMS主控芯片的控制信号端SL2为低电平或高阻态输入，所述开关管Q21、所述开关管Q22、所述开关管Q23、所述开关管Q24、所述开关管Q25和所述开关管Q26均截止，接触器线圈不工作；

二、当BMS主控芯片的控制信号端SL2变为高电平时，所述开关管Q24 截止，所述开关管Q21和所述开关管Q22导通，导通所述开关管Q26，接通直流电源VCC，接触器线圈可以正常工作。

所述开关管Q23基极偏置回路的偏置电压V3由0V变为高电位，使所述开关管Q23和所述开关管Q25导通；

直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21，使得偏置电压V2保持高电位状态，持续导通所述开关管Q26，起到驱动自保持的作用。

具体实现上，当BMS主控芯片的控制信号端SL2为高电平时，具体实施例可以如下：

当BMS主控芯片的控制信号端SL2为5V高电平时，所述开关管Q21 导通后，通过电阻R23将所述开关管Q22基极与接地端GND连接，使所述开关管Q22饱和导通，将直流电源VCC接入所述开关管Q26的基极偏置回路；

直流电源VCC被所述电阻R25和所述电阻R28分压后，使所述开关管 Q26基极偏置回路的偏置电压V2由0V变为高电位，使所述开关管Q24截止、所述开关管Q26导通，接通接触器线圈电源，接触器线圈可以正常工作；

在开关管Q26导通后，所述开关管Q23基极偏置回路的偏置电压V3由 0V变为高电位，使所述开关管Q23导通，将所述开关管Q25的基极拉低为低电位，使开关管Q25导通；

直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21来保持偏置电压V2为高电位，使所述开关管Q26保持导通状态，可实现自保持作用。

三、当BMS主控芯片的控制信号端SL2由高电平变为低电平时，所述开关管Q21和所述开关管Q22由导通变为截止，直流电源VCC通过电阻 R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21继续使偏置电压V2的电压保持高电位不变，使所述开关管Q24由截止变为导通，所述开关管Q26由导通变为截止，断开接触器线圈与直流电源VCC的连接，接触器线圈停止工作；

所述开关管Q26截止后，使所述开关管Q23和所述开关管Q25也由导通变为截止，断开所述开关管Q26基极偏置回路与直流电源VCC的连接，维持偏置电压V2为低电位状态，锁定所述开关管Q26为截止状态。

具体实现上，当BMS主控芯片的控制信号端SL2由高电平变为低电平时，具体实施例可以如下：

当BMS主控芯片控制信号端SL2为0V低电平时，所述开关管Q21由导通变为截止，所述电阻R24将所述开关管Q22的基极电压拉高至直流电源VCC，与所述开关管Q22的发射极电压相等，使所述开关管Q22也由导通变为截止，直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容 C21继续维持偏置电压V2高电位不变，使所述开关管Q24的基极、所述电阻R30中有基极电流，导通所述开关管Q24，将偏置电压V2由高电位拉低为低电位，使所述开关管Q26由导通变为截止，所述接触器线圈停止工作；

所述开关管Q26截止后，所述开关管Q23基极偏置回路的偏置电压V3 由高电位变为0V，使所述开关管Q23由导通变为截止；

所述电阻R30将所述开关管Q25的基极电压拉高至直流电源VCC，与所述开关管Q22的发射极电压相等，使所述开关管Q25也由导通变为截止，偏置电压V2的电压被所述电阻R28由低电位拉低至0V，锁定所述开关管 Q26为截止状态，保持接触器线圈为停止状态，也使所述开关管Q24由导通变为截止。

四、在接触器线圈通电状态下，此时，如果BMS主控芯片发生复位，则其控制信号端SL2由高电平输出变为高阻态输入，所述开关管Q21和所述开关管Q22由导通变为截止，所述开关管Q24保持截止状态，电容C21 维持偏置电压V2的高电位不变，保持开关管Q26导通，维持偏置电压V3 不变，从而保持开关管Q23和开关管Q25导通，持续接通直流电源VCC；

由于直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21 继续使偏置电压V2保持高电位不变，因此开关管Q26、开关管Q23和开关管Q25一直保持导通状态，接触器线圈也始终保持工作状态，由此实现了接触器线圈驱动的自保持功能，直至控制信号端SL2的电压变为低电平。

具体实现上，当BMS主控芯片复位时，具体实施例可以如下：

当BMS主控芯片的控制信号端SL2为5V高电平时，此时BMS主控芯片复位，则其控制信号端SL2由高电平输出变为高阻态输入，开关管Q21 和所述开关管Q22由导通变为截止，开关管Q24保持截止状态；

电容C21维持偏置电压V2高电位不变，保持开关管Q26导通，维持偏置电压V3不变，保持开关管Q23和开关管Q25导通，使直流电源VCC通过电阻R27、开关管Q25、电阻R28和电容C21继续维持偏置电压V2为高电位，使开关管Q26一直保持导通状态，接触器线圈也始终保持工作状态，由此实现了接触器线圈驱动的自保持功能，直至BMS主控芯片的控制信号端SL2变为低电平。

在本实用新型中，具体实现上，需要说明的是，BMS主控芯片是现有电池管理系统BMS上的控制芯片。BMS主控芯片可以应用目前普遍的品牌、系列和型号，如NXP的MC9S12系列、英飞凌的TC2系列的TC265 等，所述BMS主控芯片的型号不在本实用新型保护范围内。

在本实用新型中，具体实现上，直流接触器线圈，为现有的直流接触器具有的线圈，可以应用目前普通的品牌和型号，例如可以采用浙江宏舟新能源科技有限公司生产的宏发HFZ16-100/900直流接触器。

需要说明的是，参见图3所示，具体应用上，直流接触器线圈，可以同时连接本实用新型提供的低边驱动自保持电路和高边驱动自保持电路。

对于本实用新型，参见图3所示，高边驱动电路和低边驱动电路，可以分别与BMS主控芯片相连接，都可以在BMS主控芯片异常复位时，保证接触器线圈不会断电，实现接触器线圈控制回路的自保持功能。

在本实用新型中，需要说明的是，直流接触器线圈，如果是高低边同时驱动，高边驱动电路和低边驱动电路可以用同一个直流电源VCC。参见图3所示。

基于以上技术方案可知，对于本实用新型，其是既少占用BMS主控芯片端口资源，又支持多路驱动扩展，更易于器件选型且成本低廉的技术方案。

综上所述，与现有技术相比较，本实用新型提供的一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，其硬件电路设计科学，不占用BMS主控芯片额外的端口资源，能够在BMS主控芯片异常复位时，保证接触器线圈不会断电，实现接触器线圈控制回路的自保持功能，具有重大的生产实践意义。

此外，对于本实用新型提供的直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，没有采用专用集成驱动芯片，即可支持多路驱动扩展，电子元器件为普遍应用型号，易于选型，而且电路板占用空间小，设计成本很低，是一种易于器件选型且成本低廉的技术方案，因此，本实用新型的技术方案具有很强的实用价值和市场推广价值。

本实用新型提供的技术方案，还可以应用于其他领域驱动电路需要自保持功能的电子电气系统。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (2)

1.一种直流接触器线圈的低边驱动自保持电路，其特征在于，包括开关管Q21～Q26、电容C21、电阻R21～R32以及电阻RS，其中：

电阻R21的第1管脚，分别连接BMS主控芯片的控制信号端SL2和电阻R26的第1管脚；

电阻R21的第2管脚，分别连接电阻R22的第1管脚和开关管Q21的栅极G；

开关管Q21的源极S，分别连接电阻R22的第2管脚和接地端GND；

开关管Q21的漏极D，连接电阻R23的第2管脚；

电阻R23的第1管脚，分别连接开关管Q22的基极B和电阻R24的第2管脚；

开关管Q22的发射极E，连接电阻R25的第2管脚；

开关管Q22的集电极C，分别连接开关管Q24的发射极E、开关管Q25的集电极C、电容C21的第1管脚、电阻R28的第1管脚和电阻R29的第1管脚；

电阻R24的第1管脚，分别连接直流电源VCC、电阻R25的第1管脚、电阻R27的第1管脚和电阻R30的第1管脚；

开关管Q24的基极B，连接电阻R26的第2管脚；

开关管Q24的集电极C，连接接地端GND；

电阻R27的第2管脚，连接开关管Q25的发射极E；

开关管Q25的基极B，分别连接电阻R31的第1管脚和电阻R30的第2管脚；

电容C21的第2管脚和电阻R28的第2管脚，分别与接地端GND连接；

电阻R29的第2管脚，连接开关管Q26的基极B；

开关管Q26的发射极E，连接电阻RS的第1管脚和电阻R32的第2管脚；

电阻RS的第2管脚，连接接地端GND；

开关管Q26的集电极C，连接低边驱动电路输入端VN；

低边驱动电路输入端VN，连接接触器线圈输出端VLN；

电阻R31的第2管脚，连接开关管Q23的集电极C；

开关管Q23的基极B，连接电阻R32的第1管脚；

开关管Q23的发射极E，连接接地端GND。

2.如权利要求1所述的低边驱动自保持电路，其特征在于，开关管Q21为N沟增强型场效应管MOSFET；

开关管Q22、Q23、Q24和Q26，为PNP型三极管；

开关管Q25，为NPN型三极管。

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