CN213172681U - 一种用于金刚石生长的组合式基片台 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种用于金刚石生长的组合式基片台，包括底座以及上盖板，所述底座的上表面具有至少一凸台，所述上盖板上贯穿设有与所述凸台一一对应的通孔，所述凸台适于插入所述通孔内，所述通孔的深度大于所述凸台的厚度，以使得所述上盖板盖设于所述底座的上表面且所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的顶面以及所述通孔的内表面界定一生长槽，其结构简单、设计巧妙，底座和上盖板之间进行任意组合，以使得凸台和通孔之间可组合成不同厚度的生长槽，以满足不同厚度金刚石的生长需求。

Description

一种用于金刚石生长的组合式基片台

技术领域

本申请涉及金刚石制备领域，尤其涉及一种用于金刚石生长的组合式基片台。

背景技术

微波等离子体化学气相法(MPVCD)是一种成本低、质量高、易操控的人工制备金刚石的方法。其基本原理是使用微波在低分子碳烃气体(比如甲烷)与氢气的混合气体中激发等离子体。在这等离子体的高温环境中，碳离子将会沉积到放置在基片台的籽晶上，从而实现单晶金刚石的人工生长。其中，基片台的结构设计时影响单晶金刚石生产质量的一个重要因素。现有技术中的基片台是在一块厚钼片上用精雕机雕出不同深度的槽，根据不同厚度的金刚石选用不同深度槽的基片台。

但是，这种基片台会存在以下缺陷：1、单晶金刚石的种类繁多，导致生产一种类型的金刚石就需要用精雕机在基片台上雕出与单晶金刚石生长厚度相匹配的凹槽，导致整个生产成本增大、实用性不强；

2、采用精雕机雕出的凹槽，其底面粗糙度不好、无法打磨，使得单晶金刚石在生长过程中其底面易形成石墨或者其他碳氢化合物导致金刚石的温度快速升高，影响其生长。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本申请的一个目的在于提供一种用于金刚石生长的组合式基片台，底座和上盖板可进行任意组合，通过不同高度的凸台的顶面以及不同深度的通孔的内表面界定不同深度的生长槽，以满足不同厚度金刚石的生长需求。

为达到以上目的，本申请采用的技术方案为：一种用于金刚石生长的组合式基片台，包括底座以及上盖板，所述底座的上表面具有至少一凸台，所述上盖板上贯穿设有与所述凸台一一对应的通孔，所述凸台适于插入所述通孔内，所述通孔的深度大于所述凸台的厚度，以使得所述上盖板盖设于所述底座的上表面且所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的顶面以及所述通孔的内表面界定一生长槽。

进一步地，所述凸台的外径与所述通孔的内径相匹配，以使得所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的外壁与所述通孔的内壁贴合。

进一步地，所述上盖板的上表面以及下表面均为平坦的平面。

进一步地，所述组合式基片台包括多个所述上盖板，各个所述上盖板的厚度不同，从而各个所述上盖板具有不同深度的所述通孔。

进一步地，所述底座的上表面具有多个所述凸台，多个所述凸台相互间隔地设置，各个所述凸台的高度相同。

进一步地，所述组合式基片台包括多个所述底座，不同的所述底座具有不同高度的所述凸台。

进一步地，所述凸台的数量为多个，多个所述凸台对称地设置于所述底座上。

与现有技术相比，本申请的有益效果在于：

(1)其底座和上盖板之间可以可组成不同的组合，得以满足不同厚度的金刚石的生长需求，有效地节约生产成本，提高其实用性；

(2)其设有凸台，能够实现快速地对凸台表面进行打磨，使得金刚石在生长时能够与底面更好的接触，减少积碳在金刚石底面生成的几率，更好地传递走热量，提高金刚石生长环境的稳定性和金刚石的品质。

(3)其设有通孔，能够根据金刚石的生长厚度，更换不同厚度的上盖板，使得通孔的深度不同，将不同厚度的上盖板和底座之间进行组合，能够满足不同厚度金刚石的生长需求，从而得以实现底座规格的标准化，有效地降低生产成本，节约资源。

附图说明

图1为本申请中组合式基片台的立体图。

图2为本申请中组合式基片台的俯视图。

图3为本申请的图2中沿A-A处的剖视图。

图4为本申请中底座和上盖板分离状态下的示意图。

图中：1、组合式基片台；10、底座；11、凸台；12、生长槽；20、上盖板；21、通孔。

具体实施方式

下面，结合具体实施方式，对本申请做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

在本申请的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”、“横向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本申请的具体保护范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

如图1-4所示的一种用于金刚石生长的组合式基片台1，包括底座10以及上盖板20，上盖板20可拆卸地安装于底座10上，可拆卸地方式便于其快速地更换不同厚度的上盖板20，从而与底座10组成不同的组合，得以适配于不同厚度的金刚石的生长。底座10的上表面具有至少一凸台11，凸台11的设置便于对其上表面进行打磨，能够实现快速地对凸台11表面进行打磨，使得金刚石在生长时能够与底面更好的接触，减少积碳在金刚石底面生成的几率，更好地传递走热量，提高金刚石生长环境的稳定性和金刚石的品质。上盖板20上贯穿设有与凸台11一一对应的通孔21，凸台11适于插入通孔21内，通孔21的深度大于凸台11的厚度，以使得上盖板20盖设于底座10的上表面且凸台11插入通孔21时，凸台11的顶面以及通孔21的内表面界定一生长槽12，得以将金刚石籽晶放入生长槽12内进行生长。

其中，凸台11的外径与通孔21的内径相匹配，以使得凸台11插入通孔21时，凸台11的外壁与通孔21的内壁贴合，保证了金刚石籽晶在生长槽12内生长过程中的稳定性，使得生长出来的金刚石晶体外观更加美观。

其中，上盖板20的上表面以及下表面均为平坦的表面，从而使得上盖板20盖合于底座10时，其能够完整地贴合于底座10，提高了生长出来的金刚石的品质。

其中，组合式基片台1包括多个上盖板20，各个上盖板20的厚度不同，从而各个上盖板20具有不同深度的通孔21，在进行组合时，不同厚度的上盖板20和底座10得以组成不同的组合，得以形成不同深度的生长槽12，从而可根据所需要生长不同厚度的金刚石来选取不同的厚度的上盖板20，来满足不同厚度的金刚石的生长需求。

其中，底座10的上表面具有多个凸台11，多个凸台11相互间隔地设置，各个凸台11的高度相同，多个凸台11的设置，能够提高整个组合式基片台1的利用率，加快其生产效率。

其中，组合式基片台1包括多个底座10，在组合时也可根据实际生长金刚石的厚度来选取不同的底座10，使得底座10和上盖板20之间能够组成不同的组合形式，来满足不同厚度金刚石的生长需求。不同的底座10具有不同高度的凸台11，使得上盖板20盖合于底座10时，由于其凸台11的高度不同，得以形成不同厚度的生长槽12，一满足不同厚度金刚石的需求。同一底座10上能够设有不同高度的凸台11，由此以使得同一底座10上能够生长出不同厚度的金刚石，从而提高了其实用性。

其中，多个凸台11对称地设置于底座10上，多个凸台11的设置得以提高对组合式基片台1的利用率，同时也能加快生产金刚石的效率。

其中，如图1所示，生长槽12可为正方形槽，但不限于正方形槽，其可为任意形状，如圆形槽、正多边形槽等。

以上描述了本申请的基本原理、主要特征和本申请的优点。本行业的技术人员应该了解，本申请不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本申请的原理，在不脱离本申请精神和范围的前提下本申请还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本申请的范围内。本申请要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (7)

1.一种用于金刚石生长的组合式基片台，其特征在于：包括底座以及上盖板，所述底座的上表面具有至少一凸台，所述上盖板上贯穿设有与所述凸台一一对应的通孔，所述凸台适于插入所述通孔内，所述通孔的深度大于所述凸台的厚度，以使得所述上盖板盖设于所述底座的上表面且所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的顶面以及所述通孔的内表面界定一生长槽。

2.如权利要求1所述的用于金刚石生长的组合式基片台，其特征在于：所述凸台的外径与所述通孔的内径相匹配，以使得所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的外壁与所述通孔的内壁贴合。

3.如权利要求2所述的用于金刚石生长的组合式基片台，其特征在于：所述上盖板的上表面以及下表面均为平坦的平面。

4.如权利要求3所述的用于金刚石生长的组合式基片台，其特征在于：包括多个所述上盖板，各个所述上盖板的厚度不同，从而各个所述上盖板具有不同深度的所述通孔。

5.如权利要求4所述的用于金刚石生长的组合式基片台，其特征在于，所述底座的上表面具有多个所述凸台，多个所述凸台相互间隔地设置，各个所述凸台的高度相同。

6.如权利要求3所述的用于金刚石生长的组合式基片台，其特征在于：包括多个底座，不同的所述底座具有不同高度的所述凸台。

7.如权利要求6所述的金刚石生长的组合式基片台，其特征在于：所述凸台的数量为多个，多个所述凸台对称地设置于所述底座上。

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