CN213061027U - 半导体退锡装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种半导体退锡装置，包括：上料机构、设在上料机构下游用于对上料机构提供的待退锡料片进行清洗的第一清洗槽、设在第一清洗槽下游用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理的蚀刻槽、设在蚀刻槽下游用于对蚀刻后的待退锡料片进行清洗的第二清洗槽、设在第二清洗槽下游用于对清洗后的待退锡料片进行退锡处理的退锡槽、设在退锡槽下游用于对退锡后的料片进行清洗的第三清洗槽、设在第三清洗槽下游用于对清洗后的料片进行烘干的烘干槽、设在烘干槽下游用于承接所述烘干槽输出的料片的下料机构。本实用新型的半导体退锡装置可实现半导体封装产品的自动化退锡操作，退锡良率和效率较高。

Description

半导体退锡装置

技术领域

本实用新型涉及金属镀层的退除技术领域，具体涉及一种半导体退锡装置。

背景技术

半导体封装产品在塑封工艺完成后，需要对裸露的中央散热焊盘及引脚进行电镀锡层。电镀锡层大体具有两方面的作用：一方面可提高封装元器件的可焊性，使之后续与其他零部件可焊性更好；另一方面对裸露的金属引脚提供保护。

通常锡层厚度为7um-25um。在实际生产中，不可避免的会发生电镀锡层大面积的品质异常，如厚度超出规格范围尤其是锡层厚度过薄、上一工序中塑封料残留在金属引脚表面、电镀后制程工艺中作业不当引起材料锡层划伤使引脚铜层裸露及锡层被污染等。这时候就需要将锡层剥离去除，重新进行电镀，以确保产品品质。

为去除不良品锡层，现有技术通常是采用人工的方式，将不良品置于装载治具中，再将装载治具浸泡到清洗试剂中，手动清洗不良品表面。由于需要人工手动介入，退锡操作难以实现自动化，退锡良率和效率低下。

实用新型内容

基于前述的现有技术缺陷，本实用新型实施例提供一种半导体退锡装置，可实现包括半导体封装产品在内的待退锡料片的自动化退锡操作，退锡良率和效率较高。

为了实现上述目的，本实用新型提供了如下的技术方案。

一种半导体退锡装置，用于对待退锡料片执行退锡操作；包括：沿所述待退锡料片的传输方向依次设置的上料机构、工艺槽和下料机构；所述上料机构用于向所述工艺槽提供所述待退锡料片，所述下料机构用于承接经所述工艺槽执行退锡操作后的料片；

其中：

所述工艺槽包括：沿所述待退锡料片的传输方向依次设置的退锡槽、第三清洗槽和烘干槽；所述退锡槽用于对所述待退锡料片进行退锡处理，所述第三清洗槽用于对退锡后的料片进行清洗，所述烘干槽用于对清洗后的料片进行烘干；

所述工艺槽还包括：沿所述待退锡料片的传输方向设在所述退锡槽上游的前序清洗槽和蚀刻槽；所述前序清洗槽用于对所述待退锡料片进行退镀前清洗，所述蚀刻槽用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理。

优选地，所述前序清洗槽包括：第一清洗槽和第二清洗槽；所述蚀刻槽设在所述第一清洗槽和第二清洗槽之间，所述第一清洗槽用于对所述上料机构提供的待退锡料片进行清洗，所述第二清洗槽用于对蚀刻后的待退锡料片进行清洗。

优选地，所述第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽、蚀刻槽、退锡槽和烘干槽中均设有传送组件，料片被所述传送组件带动沿输运面传输。

优选地，所述传送组件包括多个沿料片传送方向间隔排布的传送件；所述传送件包括：转动设在槽内壁上的传送转轴、设在所述传送转轴上并沿所述传送转轴的轴向排布的多个滚轮；多个所述传送转轴通过动力传递组件被动力机构驱动旋转。

优选地，多个所述传送转轴位于同一侧的端部贯穿槽的侧壁并延伸至槽的外侧；

所述动力传递组件包括：设在多个所述传送转轴位于槽外侧的端部的被动锥齿轮、转动设在槽外壁并沿料片传送方向延伸的传动轴、设在所述传动轴上并与多个所述被动锥齿轮啮合的主动锥齿轮；所述传动轴被所述动力机构驱动旋转。

优选地，所述第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽、蚀刻槽、退锡槽和烘干槽中均包含位于所述传送组件上方的保持组件；所述保持组件包括多个沿料片传送方向间隔排布的保持件；

所述保持件包括：转动设在清洗槽内壁上的保持转轴、设在所述保持转轴上并沿所述保持转轴的轴向排布的多个压轮；多个所述压轮用于限制料片的向上运动。

优选地，所述第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽中均包含清洗组件；所述清洗组件包括：分别位于所述输运面上方和下方的上喷淋管和下喷淋头。

优选地，所述蚀刻槽和退锡槽中均设有位于所述输运面下方的下喷淋头，所述蚀刻槽和退锡槽中的下喷淋头分别向料片喷射蚀刻和退锡用药液。

优选地，所述蚀刻槽和退锡槽中均设有液位传感器，所述液位传感器通过控制器与警示单元连接；所述控制器在所述液位传感器检测到槽中药液的液位低于预设值时控制所述警示单元操作。

优选地，所述第一清洗槽包括：内清洗槽、位于所述内清洗槽外侧的外溢流槽；所述内清洗槽的至少一个侧壁的高度低于所述外溢流槽的侧壁高度；所述外溢流槽与所述第二清洗槽连通。

优选地，所述第三清洗槽的数量为至少两个；沿料片的传送方向，位于上游的第三清洗槽的内清洗槽与位于下游的第三清洗槽的外溢流槽连通。

一种半导体退锡装置，包括：

上料机构，用于提供待退锡料片；

第一清洗槽，设在所述上料机构的下游，用于对所述上料机构提供的待退锡料片进行清洗；

蚀刻槽，设在所述第一清洗槽的下游，用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理；

第二清洗槽，设在所述蚀刻槽的下游，用于对蚀刻后的待退锡料片进行清洗；

退锡槽，设在所述第二清洗槽的下游，用于对清洗后的待退锡料片进行退锡处理；

第三清洗槽，设在所述退锡槽的下游，用于对退锡后的料片进行清洗；

烘干槽，设在所述第三清洗槽的下游，用于对清洗后的料片进行烘干；

下料机构，设在所述烘干槽的下游，用于承接所述烘干槽输出的料片。

通过在工艺槽的前端和后端设置上料机构和下料机构，配合工艺槽，可实现待退锡料片的自动化退锡处理，退锡良率和效率较高。

此外，通过在退锡槽之前设置用于清洗的前序清洗槽和用于对待退锡料片的锡层进行除锈、除氧化层处理的蚀刻槽，使得待退锡料片的锡层充分的裸露出来，保证后续执行退锡操作时，锡层能与退锡液充分接触，进而提高退锡良率和效率。

参照后文的说明和附图，详细公开了本实用新型的特定实施例，指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解，本实用新型的实施例在范围上并不因而受到限制。

针对一种实施例描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施例中使用，与其它实施例中的特征相组合，或替代其它实施例中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本实用新型公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本实用新型的理解，并不是具体限定本实用新型各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本实用新型的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本实用新型。在附图中：

图1为本实用新型实施例的半导体退锡装置的功能模块图；

图2为图1中第一清洗槽/第二清洗槽/第三清洗槽的结构示意图；

图3为图1中蚀刻槽去除传送组件后的结构示意图；

图4为图1中退锡槽的结构示意图；

图5为图1中烘干槽的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施例。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

事实上，利用退锡液或退锡剂对包括半导体封装产品、PCB板、各种电子元器件的封装模组等电镀有锡层的料片进行退锡处理，是比较常见的现有技术。通常，退锡工艺不仅只包含退锡这一道工序，在料片完成退锡操作后，一般还包含对料片进行清洗和烘干等工序。不过，值得注意的是，对料片在退锡前的操作相对缺乏。

在某些情况下，待退锡料片表面粘附有油脂或其他粘附物，并且料片的锡层可能出现锈迹和氧化层。这些附着物的存在，一定程度上对退锡液与锡层的接触产生隔离，进而影响退锡良率和效率。

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种半导体退锡装置，在退锡之前，对料片进行预处理，使锡层充分裸露出来，以便在后续执行退锡操作时，锡层能与退锡液充分接触，进而提高退锡良率和效率。

本实用新型实施例的半导体退锡装置大体包括三大部分：上料部分、工艺处理部分和下料部分，分别对应图1中的上料机构、工艺槽和下料机构。

上料机构用于向工艺槽提供待退锡料片。在一个可选的实施例中，上料机构包括上料机10和前端移载机20。在本实施例中，上料机10和前端移载机20可采用任意合适的现有构造，本实施例对此不作唯一限定。

与之相对的，下料机构包括下料机100和后端移载机90。其中，下料机100与上料机10结构相同，后端移载机90与前端移载机20结构相同，下料机100和后端移载机90与上料机10和前端移载机20采用对称设置。具体的，后端移载机90和前端移载机20功能正好相反，分别在四个位置承接退锡后的料片，然后传送至下料机100。

当然，上料机构和下料机构并不限于上述实施例。在其他可选的实施例中，只要能实现料片的自动供应和取下的构造，均应涵盖在本实用新型实施例的保护范围内。例如，在一个可行的实施例中，上料机构和下料机构可采用工业机械手臂，由工业机械手臂来抓取料片，实现料片的逐片供给和取下。

继续参阅图1，工艺槽包括沿处理流程依次设置的退锡槽60、第三清洗槽70和烘干槽80。其中，退锡槽60用于对待退锡料片进行退锡处理。第三清洗槽70设在退锡槽60的下游，用于对退锡后的料片进行清洗。烘干槽80设在第三清洗槽70的下游，用于对清洗后的料片进行烘干。

下料机构设在烘干槽80的下游，用于承接烘干槽80输出的料片。

进一步地，工艺槽还包括沿待退锡料片的传输方向设在退锡槽60上游的前序清洗槽和蚀刻槽40。前序清洗槽用于对待退锡料片进行退镀前清洗，蚀刻槽40用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理。

在本实施例中，前序清洗槽和蚀刻槽40均设置在退锡槽60的上游或前端，即待退锡料片先在前序清洗槽和蚀刻槽40中完成清洗和除锈、除氧化层处理后，再进入到退锡槽60中进行退锡处理。

因此，前序清洗槽和蚀刻槽40只要位于退锡槽60的上游或前端即可，至于前序清洗槽和蚀刻槽40两者之间的位置关系，本实施例对此可以不作唯一的限定。

例如，在某些实施例中，可以为前序清洗槽位于蚀刻槽40的前端。即：待退锡料片先在前序清洗槽中完成清洗工序后，再在蚀刻槽40中完成除锈、除氧化层处理。

或者，在另一些实施例中，可以为前序清洗槽位于蚀刻槽40的后端。即：待退锡料片先在蚀刻槽40中完成除锈、除氧化层处理后，再在前序清洗槽中完成清洗工序。

亦或者，在再一些实施例中，前序清洗槽和蚀刻槽40互相检交错布置。具体的，前序清洗槽可包括第一清洗槽30和第二清洗槽50，蚀刻槽40设在第一清洗槽30和第二清洗槽50之间。在该实施例中，第一清洗槽30设在上料机构的下游，用于对上料机构提供的待退锡料片进行清洗。蚀刻槽40设在第一清洗槽30的下游，用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理。第二清洗槽50设在蚀刻槽40的下游，用于对蚀刻后的待退锡料片进行清洗。

这样，待退锡料片在第一清洗槽30中完成一道清洗工序后，再在蚀刻槽40中完成除锈、除氧化层处理，然后再在第二清洗槽50中完成二道清洗工序，以洗净待退锡料片表面残留的蚀刻液。

由此，通过在退锡槽60之前设置用于清洗的前序清洗槽和用于对待退锡料片的锡层进行除锈、除氧化层处理的蚀刻槽40，使得待退锡料片的锡层充分的裸露出来，保证后续执行退锡操作时，锡层能与退锡液充分接触，进而提高退锡良率和效率。

此外，通过在工艺槽的前端和后端设置上料机构和下料机构，配合工艺槽，可实现待退锡料片的自动化退锡处理，退锡良率和效率较高。

在本实施例中，第一清洗槽30、第二清洗槽50和第三清洗槽70的结构大体相同。则下文对第一清洗槽30的描述，同样适用于第二清洗槽50和第三清洗槽70。

如图2、图3、图4和图5所示，事实上，本实用新型实施例中所有的工艺槽的大体结构基本相同或相似，均包括大体上端开口的槽体以及设在槽体内的传送组件。区别在于：第一清洗槽30、第二清洗槽50和第三清洗槽70中还设有清洗组件，蚀刻槽40和退锡槽60中还设有上喷淋管51和下喷淋头52，烘干槽80中设有烘干组件。

也就是说，所有工艺槽中设置的传送组件的结构可以相同，所有清洗槽(第一清洗槽30、第二清洗槽50和第三清洗槽70)中设置的清洗组件可以相同，而蚀刻槽40和退锡槽60中设置的上喷淋管51和下喷淋头52也相同，区别在于喷淋的药液不同。

如图2所示，料片被传送组件带动沿输运面传输。在本实施例中，输运面大致水平，这样料片在工艺槽中传送过程中大致成水平状态。具体实施时，料片可放置在传送组件上，由传送组件将其向前传送。通过在各个槽中设置传送组件，可实现料片的自运动，进而实现各个工序环节的自动衔接。

在本说明书中，仅用附图2所示的第一清洗槽30/第二清洗槽50/第三清洗槽70来示意说明其他工艺槽中所包含的传送组件。不过，基于上文的描述可知，其他工艺槽中的传送组件，可参照上述及图2的描述，在此不作赘述。

如图2至图5所示，在一个实施例中，传送组件包括多个沿料片传送方向间隔排布的传送件31。传送件31包括转动设在槽内壁上的传送转轴311、设在传送转轴311上并沿传送转轴311的轴向排布的多个滚轮312。多个传送转轴311通过动力传递组件被动力机构驱动旋转。

传送转轴311沿垂直料片传送方向延伸，其两端转动连接在各个工艺槽两相对的侧壁上，设在传送转轴311上的多个滚轮312用于支撑放置在其上的待退锡料片。这样，传送转轴311带动滚轮312旋转，即可借助摩擦力带动放置在滚轮312上的待退锡料片向前运动。

为方便与动力机构的传动连接，多个传送转轴311位于同一侧的端部贯穿槽的侧壁并延伸至槽的外侧。动力传递组件包括设在多个传送转轴311位于槽外侧的端部的被动锥齿轮32、转动设在槽外壁并沿料片传送方向延伸的传动轴33、设在传动轴33上并与多个被动锥齿轮32啮合的主动锥齿轮；传动轴33被动力机构驱动旋转。

借助锥齿轮的改向传递效应，使得传动轴33的延伸方向大致垂直于传送转轴311，或大致平行于料片的传送方向。藉此，可缩小动力传递组件的体积，减小各工艺槽的占地面积。

在本实施例中，传动轴33可通过外置在槽外壁上的支架34，实现与槽的转动设置。动力机构具体可以包括电机或马达，进一步可包括减速机构，其将旋转传递给传动轴33，再借助主被动锥齿轮32的啮合作用，驱动传送转轴311以及滚轮312旋转。

进一步地，如下文描述，第一清洗槽30、第二清洗槽50和第三清洗槽70中设有清洗组件，蚀刻槽40和退锡槽60中设有下喷淋头，而烘干槽80中设有烘干组件(例如可以为风扇)。这样，料片在各个工艺槽之间传送的过程中，将受到外力作用。

继续参阅图2至图5所示，为避免料片发生非期望的移动(例如向上移动)，第一清洗槽30、第二清洗槽50、第三清洗槽70、蚀刻槽40、退锡槽60和烘干槽80中均包含位于传送组件上方的保持组件。保持组件包括多个沿料片传送方向间隔排布的保持件35。保持件35包括转动设在清洗槽内壁上的保持转轴351、设在保持转轴351上并沿保持转轴351的轴向排布的多个压轮352；多个压轮352用于限制料片的向上运动。

在本实施例中，压轮352与滚轮312可以一一对应设置，也可以互相错开设置。压轮352最低点与滚轮312最高点之间的距离等于或略大于料片的厚度。这样，料片在滚轮312上向前传送过程中，压轮352可限制其向上移动，继而避免料片在清洗、喷淋(包括蚀刻和退镀)、烘干过程中发生非期望的位移。

由于料片放置在传送组件上，其随传送组件的旋转而持续向前传送。因此，传送组件为有动力组件，通过动力传递组件被动力机构旋转。而保持组件的作用是避免料片出现非期望的位移，因此其为无动力组件，无需动力机构驱动其旋转。

承接上文描述，清洗组件包括分别位于输运面上方和下方的上喷淋管51和下喷淋头52。具体的，上喷淋管51为多个，沿料片的传送方向排布，每个上喷淋管51均匀开设开口朝下的多个开孔，从而用于向料片的上表面喷淋清洗液。同样的，下喷淋头52可以设在下喷淋管上，下喷淋管为多个，沿料片的传送方向排布，下喷淋头52向上喷射清洗液，对料片的下表面进行清洗。

喷淋时，压力及流量均可通过管道球阀进行调整，清洗所用的清洗液(例如纯水)由厂务提供，清洗槽自带压力泵，用于对清洗液进行增压，保证充足的清洗压力和速度，提高清洗效果。

此外，通过控制每个清洗槽中的传送组件的传送速度，来达到料片在各个清洗槽中的停留时间，继而达到清洗时间的精确控制。如此，料片在每个清洗槽中的清洗时间可以得到较佳的统一，克服了现有技术采用人工清洗和浸泡所存在的作业时间上的主观误差，保证清洗效率。

进一步地，为实现清洗用水的循环利用，第一清洗槽30包括内清洗槽36、位于内清洗槽36外侧的外溢流槽37；内清洗槽36的至少一个侧壁的高度低于外溢流槽37的侧壁高度。外溢流槽37与第二清洗槽50连通。这样，清洗过程中汇集在内清洗槽36的清洗液在超过内清洗槽36的侧壁高度后，溢流至外溢流槽37，并进一步通过管路或堰板流至第二清洗槽50中，由第二清洗槽50中的增压泵抽吸后再次利用，待第二清洗槽50使用溢流后，排出。

由于退锡后的料片后续将重新电镀，因此，为保证电镀效果和产品品质，退锡后的料片避免应尽量洁净。为提高退锡后料片的洁净度，第三清洗槽70的数量为至少两个，例如可以为二个、三个、四个或更多个，以实现对退锡后的料片的多次或多级清洗。

同样的，为实现节水目的，沿料片的传送方向，位于上游的第三清洗槽70的内清洗槽36与位于下游的第三清洗槽70的外溢流槽37连通。具体的，以三个第三清洗槽70为例，沿料片的传送方向，三个清洗槽依次为清洗槽1、清洗槽2、清洗槽3。则清洗槽3使用的清洗液溢流后进入清洗槽2，清洗槽2使用的清洗液溢流后进入清洗槽1，清洗槽1溢流后排出。

借助上述结构设计可以看出，沿料片的传送方向，至少两个第三清洗槽70中容置的清洗液的洁净度越来越好。这样，料片越往下游传送，清洗用的清洗液越干净，在实现多级清洗的同时，也实现了逐级深度清洗，清洗效果较佳。

如图3所示，蚀刻槽40设有位于输运面下方的下喷淋头41，退锡槽60中也设有位于输运面下方的下喷淋头(未示出)，蚀刻槽40和退锡槽60中的下喷淋头分别向料片喷射蚀刻和退锡用药液。蚀刻槽40采用下喷淋头52喷射药液，用于对料片下部进行蚀刻。具体而言，蚀刻槽40中的的药液为铜活化剂，主要对引线框架铜基材合金产品进行除锈和去氧化工艺，其主要成分为去离子水、过硫酸钠和甲基磺酸。退锡槽60中的药液为纯锡退镀液，主要成分为去离子水、甲基磺酸和硫酸氢钾。

同样的，蚀刻和退锡用药液的喷淋压力及流量均可通过管道球阀进行调整。此外，料片在蚀刻槽40和退锡槽60中的停留时间，即料片的蚀刻和退镀作业时间，可通过各自的传送组件的传送速度来控制，具体可参见上文描述，在此不作赘述。

进一步低，蚀刻槽40和退锡槽60中均设有液位传感器，液位传感器通过控制器与警示单元连接，控制器在液位传感器检测到槽中药液的液位低于预设值时控制警示单元操作。藉此，通过液位传感器实时监控药液液位，当达到药液液位下限时，报警并提示补充。

在本实施例中，控制器可以按任何适当的方式实现。具体的，例如，控制器可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该微处理器或处理器执行的计算机可读程序代码(例如软件或固件)的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuit，ASIC)、可编程逻辑控制器(Programmable LogicController，PLC)和嵌入微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)的形式，上述模块的例子包括但不限于以下微控制单元：ARC 625D、Atmel AT91SAM、Microchip PIC18F26K20以及Silicone Labs C8051F320。本领域技术人员也应当知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现所述控制器的功能以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得控制单元以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器和嵌入微控制单元等形式来实现相同功能。

承接上文描述，料片被传送至烘干槽80中时，由下动力滚轮312提供动力，上无动力压轮352将料片压住，以免在烘干过程中，料片发生相对位移。烘干槽80可采用上下风扇对吹的形式，风扇可加热，加快烘干。另根据工艺要求，可选离子风加热，有效保护产品。

在一个可选的实施例中，烘干槽80的加热风干方向与料片的运行方向垂直。如此，可最大的限度的增大热风与料片之间的交流接触面积，从而提高烘干效率。

需要说明的是，在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以上所述仅为本实用新型的几个实施例，本领域的技术人员依据申请文件公开的内容，可以对本实用新型实施例进行各种改动或变型而不脱离本实用新型的精神和范围。

Claims (12)

1.一种半导体退锡装置，用于对待退锡料片执行退锡操作；其特征在于，所述半导体退锡装置包括：沿所述待退锡料片的传输方向依次设置的上料机构、工艺槽和下料机构；所述上料机构用于向所述工艺槽提供所述待退锡料片，所述下料机构用于承接经所述工艺槽执行退锡操作后的料片；

其中：

所述工艺槽包括：沿所述待退锡料片的传输方向依次设置的退锡槽、第三清洗槽和烘干槽；所述退锡槽用于对所述待退锡料片进行退锡处理，所述第三清洗槽用于对退锡后的料片进行清洗，所述烘干槽用于对清洗后的料片进行烘干；

所述工艺槽还包括：沿所述待退锡料片的传输方向设在所述退锡槽上游的前序清洗槽和蚀刻槽；所述前序清洗槽用于对所述待退锡料片进行退镀前清洗，所述蚀刻槽用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理。

2.如权利要求1所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述前序清洗槽包括：第一清洗槽和第二清洗槽；所述蚀刻槽设在所述第一清洗槽和第二清洗槽之间，所述第一清洗槽用于对所述上料机构提供的待退锡料片进行清洗，所述第二清洗槽用于对蚀刻后的待退锡料片进行清洗。

3.如权利要求2所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽、蚀刻槽、退锡槽和烘干槽中均设有传送组件，料片被所述传送组件带动沿输运面传输。

4.如权利要求3所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述传送组件包括多个沿料片传送方向间隔排布的传送件；所述传送件包括：转动设在槽内壁上的传送转轴、设在所述传送转轴上并沿所述传送转轴的轴向排布的多个滚轮；多个所述传送转轴通过动力传递组件被动力机构驱动旋转。

5.如权利要求4所述的半导体退锡装置，其特征在于，多个所述传送转轴位于同一侧的端部贯穿槽的侧壁并延伸至槽的外侧；

所述动力传递组件包括：设在多个所述传送转轴位于槽外侧的端部的被动锥齿轮、转动设在槽外壁并沿料片传送方向延伸的传动轴、设在所述传动轴上并与多个所述被动锥齿轮啮合的主动锥齿轮；所述传动轴被所述动力机构驱动旋转。

6.如权利要求4所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽、蚀刻槽、退锡槽和烘干槽中均包含位于所述传送组件上方的保持组件；所述保持组件包括多个沿料片传送方向间隔排布的保持件；

所述保持件包括：转动设在清洗槽内壁上的保持转轴、设在所述保持转轴上并沿所述保持转轴的轴向排布的多个压轮；多个所述压轮用于限制料片的向上运动。

7.如权利要求3所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽中均包含清洗组件；所述清洗组件包括：分别位于所述输运面上方和下方的上喷淋管和下喷淋头。

8.如权利要求3所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述蚀刻槽和退锡槽中均设有位于所述输运面下方的下喷淋头，所述蚀刻槽和退锡槽中的下喷淋头分别向料片喷射蚀刻和退锡用药液。

9.如权利要求8所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述蚀刻槽和退锡槽中均设有液位传感器，所述液位传感器通过控制器与警示单元连接；所述控制器在所述液位传感器检测到槽中药液的液位低于预设值时控制所述警示单元操作。

10.如权利要求2所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述第一清洗槽包括：内清洗槽、位于所述内清洗槽外侧的外溢流槽；所述内清洗槽的至少一个侧壁的高度低于所述外溢流槽的侧壁高度；所述外溢流槽与所述第二清洗槽连通。

11.如权利要求1所述的半导体退锡装置，其特征在于，所述第三清洗槽的数量为至少两个；沿料片的传送方向，位于上游的第三清洗槽的内清洗槽与位于下游的第三清洗槽的外溢流槽连通。

12.一种半导体退锡装置，其特征在于，包括：

上料机构，用于提供待退锡料片；

第一清洗槽，设在所述上料机构的下游，用于对所述上料机构提供的待退锡料片进行清洗；

蚀刻槽，设在所述第一清洗槽的下游，用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理；

第二清洗槽，设在所述蚀刻槽的下游，用于对蚀刻后的待退锡料片进行清洗；

退锡槽，设在所述第二清洗槽的下游，用于对清洗后的待退锡料片进行退锡处理；

第三清洗槽，设在所述退锡槽的下游，用于对退锡后的料片进行清洗；

烘干槽，设在所述第三清洗槽的下游，用于对清洗后的料片进行烘干；

下料机构，设在所述烘干槽的下游，用于承接所述烘干槽输出的料片。

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