CN212713263U - 一种ovd法沉积松散体的烧结保护装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，包括烧结炉芯管、沉积靶棒和保护托盘；所述沉积靶棒上沉积有松散体；沉积有松散体的沉积靶棒安装于所述烧结炉芯管中；所述沉积靶棒的尾端设有安装孔，该安装孔上横向穿设有一陶瓷销子；所述保护托盘为敞口结构，其具有盘底和设置于盘底的边部上的敞口盘罩；所述保护托盘的盘底的中部具有中心孔，保护托盘利用其中心孔套装于沉积靶棒上，且保护托盘支撑于所述陶瓷销子上；所述保护托盘的敞口盘罩的直径大于松散体的直径。本实用新型可以避免出现砸伤炉芯管的现象，可以有效的保护炉芯管，减少安全隐患，提高生产效率，降低生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及光纤预制棒制造领域，特别涉及一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置。
背景技术
目前用于制备光纤预制棒松散体的方法主要有三种：改进的化学气相沉积法(MCVD)、外部气相沉积法(OVD)和轴向气相沉积法(VAD)。其中的外部气相沉积法(OVD)是采用金属灯产生的协流火焰进行火焰水解和烧结，将SiO2沉积在预制棒上；一般，如果烧结前的沉积松散体的密度较大，在烧结工序中，沉积松散体不易出现开裂、脱落现象；但是，对于掺氟的沉积松散体，由于其密度不宜过大，在烧结工序中容易出现开裂、脱落现象；目前，松散体在脱水/玻璃化阶段如果出现开裂、脱落的情况，则很难清理，且脱落的松散体容易砸伤炉芯管，造成气体泄漏；而如果更换炉芯管，则不仅增加工作量，降低生产效率，也浪费了资源；因此，有必要开发一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，可以避免出现砸伤炉芯管的现象，可以有效的保护炉芯管，减少安全隐患，提高生产效率，降低生产成本。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：
一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，包括烧结炉芯管、沉积靶棒和保护托盘；所述沉积靶棒上沉积有松散体；沉积有松散体的沉积靶棒安装于所述烧结炉芯管中；所述沉积靶棒的尾端设有安装孔，该安装孔上横向穿设有一陶瓷销子；所述保护托盘为敞口结构，其具有盘底和设置于盘底的边部上的敞口盘罩；所述保护托盘的盘底的中部具有中心孔，保护托盘利用其中心孔套装于沉积靶棒上，且保护托盘支撑于所述陶瓷销子上；所述保护托盘的敞口盘罩的直径大于松散体的直径。
作为本实用新型上述技术方案的进一步改进，所述沉积靶棒是由上靶棒和下靶棒组成，且上靶棒和下靶棒是通过等离子焊接方式焊接为一体，其中的下靶棒为待报废芯棒。
作为本实用新型上述技术方案的更进一步改进，所述沉积靶棒是通过悬挂棒安装于烧结炉芯管中。
作为本实用新型的一个优选技术方案，所述保护托盘为敞口一体结构，敞口盘罩与盘底为一体结构，且所述敞口盘罩为弧形面结构；进一步的，该保护托盘的盘底厚度为13～17mm，保护托盘的盘深为47～53mm。
作为本实用新型的另一个优选技术方案，所述保护托盘为敞口分体结构，保护托盘的盘底的边部设有环形凹槽，敞口盘罩设置于该环形凹槽中；进一步的，该保护托盘的盘底厚度为13～17mm，环形凹槽的深度为8～10mm，敞口盘罩的高度为51～59mm，敞口盘罩的厚度为3～5mm。
进一步的，所述陶瓷销子的长度为95～102mm，直径为9～11mm。
更进一步的，沉积靶棒上的安装孔的位置与沉积靶棒的最末端的距离为30～40mm。
本实用新型的有益效果：
该保护装置可以在松散体烧结过程中，对烧结炉芯管进行一定的保护；具体的，当松散体出现脱落或断裂时，沉积靶棒尾部上的保护托盘可以接住脱落的松散体粉末，防止松散体粉末砸伤烧结炉芯管，对烧结炉芯管进行有效的保护，减少安全隐患，大大减少炉芯管更换次数，延长烧结炉芯管使用寿命，提高生产效率，降低生产成本。
该保护装置中的组成部件质地较轻，安装较方便，其中的保护托盘和陶瓷销子，不会影响松散体正常烧结，且在烧结工序中也不会产生形变。
烧结结束后，如果出现大量松散体脱落，则可以通过沉积靶棒将保护托盘移出，再将保护托盘中的松散体进行清理回收；此外，也可以直接对保护托盘中的松散体进行吸粉操作，将松散体吸出。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的整体结构示意图。
图2为本实用新型实施例1中的保护托盘的结构示意图。
图3为本实用新型实施例2中的保护托盘的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1
如图1和图2所示，一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，包括烧结炉芯管1、沉积靶棒2和保护托盘3；所述沉积靶棒2上沉积有松散体5；沉积有松散体5的沉积靶棒2是通过悬挂棒6安装于所述烧结炉芯管1中；所述沉积靶棒2的尾部设有安装孔，该安装孔上横向穿设有一陶瓷销子4；所述保护托盘3为敞口结构，整体呈圆形，其具有盘底31和设置于盘底31的边部上的敞口盘罩32；所述保护托盘3的盘底31的中部具有中心孔311，保护托盘3利用其中心孔套装于沉积靶棒2上，且保护托盘3支撑于所述陶瓷销子4上；所述保护托盘3的敞口盘罩32的直径大于松散体5的直径。
沉积靶棒2是由上靶棒和下靶棒组成，且上靶棒和下靶棒是通过等离子焊接方式焊接为一体；其中的下靶棒为光学参数不合格的待报废芯棒；用于安装陶瓷销子的安装孔开设在下靶棒的尾部上。实际生产中，可以将焊接后的沉积靶棒置于1000℃中进行退火保温处理；通过等离子焊接方式焊接的沉积靶棒在烧结过程中不易产生形变。
其中的保护托盘3为石英材料；在该实施例1中，如图2所示，更具体的，保护托盘3为敞口一体结构，敞口盘罩32与盘底31为一体结构，且所述敞口盘罩32为弧形面结构；该保护托盘3的盘底厚度为15mm，保护托盘3的盘深为50mm。
其中的陶瓷销子4的长度为100mm，直径为10mm，每重复使用15次，可以更换一次；陶瓷销子4的安装位置(沉积靶棒上的安装孔的位置)与沉积靶棒2的最末端的距离为35mm。
保护托盘3与沉积靶棒2通过陶瓷销子4安装好后，在保护托盘3上放置砝码，24h后，如果整个结构无异常，则可以安排空烧，空烧过程无异常，气体流量、温度曲线也均正常，且空烧结束后，整个装置未发生形变，则可投入使用。
实施例2
该实施例2与实施例1的区别在于：如图3所示，其中的保护托盘3为敞口分体结构，保护托盘3的盘底31的边部设有环形凹槽，敞口盘罩32卡接于该环形凹槽中；在该实施例2中，保护托盘3的盘底31的厚度为15mm，环形凹槽的深度为9mm，敞口盘罩32的高度为55mm，敞口盘罩32的壁厚为4mm。
本实用新型的保护装置用于烧结工序中，其可以在松散体烧结过程中，对烧结炉芯管1进行一定的保护；具体的，当松散体出现脱落或断裂时，沉积靶棒2的尾部上的保护托盘3可以接住脱落的松散体粉末，防止松散体粉末砸伤烧结炉芯管1，对烧结炉芯管1进行有效的保护，减少安全隐患，大大减少炉芯管更换次数，延长烧结炉芯管使用寿命，提高生产效率，降低生产成本。
该保护装置中的组成部件质地较轻，安装较方便，其中的保护托盘和陶瓷销子，不会影响松散体正常烧结，且在烧结工序中也不会产生形变。
烧结结束后，如果出现大量松散体脱落，则可以通过沉积靶棒2将保护托盘3移出，再将保护托盘3中的松散体利用回收桶进行清理回收；此外，也可以直接对保护托盘3中的松散体进行吸粉操作，将松散体吸出。
该烧结保护装置投入实际使用后，极大的提高了烧结炉芯管的使用次数，减少了烧结炉芯管更换次数，降低了光纤预制棒的生产成本；实际生产中，烧结炉芯管的更换次数由原有的1年3次减少至0.5次；对于因烧结炉芯管更换引起的人工成本与加热件更换成本，单台每年可节约50万元以上。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：包括烧结炉芯管、沉积靶棒和保护托盘；所述沉积靶棒上沉积有松散体；沉积有松散体的沉积靶棒安装于所述烧结炉芯管中；所述沉积靶棒的尾端设有安装孔，该安装孔上横向穿设有一陶瓷销子；所述保护托盘为敞口结构，其具有盘底和设置于盘底的边部上的敞口盘罩；所述保护托盘的盘底的中部具有中心孔，保护托盘利用其中心孔套装于沉积靶棒上，且保护托盘支撑于所述陶瓷销子上；所述保护托盘的敞口盘罩的直径大于松散体的直径。
2.根据权利要求1所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：所述沉积靶棒由上靶棒和下靶棒组成，且上靶棒和下靶棒是通过等离子焊接方式焊接为一体，其中的下靶棒为待报废芯棒。
3.根据权利要求1所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：所述沉积靶棒是通过悬挂棒安装于烧结炉芯管中。
4.根据权利要求1所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：所述保护托盘为敞口一体结构，敞口盘罩与盘底为一体结构，且所述敞口盘罩为弧形面结构。
5.根据权利要求4所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：所述保护托盘的盘底厚度为13～17mm，保护托盘的盘深为47～53mm。
6.根据权利要求1所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：所述保护托盘为敞口分体结构，保护托盘的盘底的边部设有环形凹槽，敞口盘罩设置于该环形凹槽中。
7.根据权利要求6所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：所述保护托盘的盘底厚度为13～17mm，环形凹槽的深度为8～10mm，敞口盘罩的高度为51～59mm，敞口盘罩的厚度为3～5mm。
8.根据权利要求1所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于：所述陶瓷销子的长度为95～102mm，直径为9～11mm。
9.根据权利要求1所述的一种OVD法沉积松散体的烧结保护装置，其特征在于，沉积靶棒上的安装孔的位置与沉积靶棒的最末端的距离为30～40mm。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202022333321.7U CN212713263U (zh) | 2020-10-19 | 2020-10-19 | 一种ovd法沉积松散体的烧结保护装置 |
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| CN (1) | CN212713263U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112079562A (zh) * | 2020-10-19 | 2020-12-15 | 江苏亨通光导新材料有限公司 | 一种ovd法沉积松散体的烧结保护装置 |
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2020
- 2020-10-19 CN CN202022333321.7U patent/CN212713263U/zh active Active
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