CN212658849U - 一种用于5g网络dwdm系统的滤光片及光模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出一种用于5G网络DWDM系统的滤光片，包括玻璃基板，玻璃基板的一侧面镀设有增透膜，玻璃基板的另一侧面镀设有高反膜；高反膜由高折射率介质层与低折射率介质层交替堆积组成，且高反膜中介质层的层数大于或等于186层。此外，本实用新型还提出了一种用于5G网络DWDM系统的光模块，其上搭载有上述滤光片。本实用新型的用于5G网络DWDM系统的滤光片能够更好地解决相邻信道之间信号相互影响，从而提高5G网络光纤通信的传输容量和最大传输距离。
Description
技术领域
本实用新型涉及光学器件领域，更具体地，涉及一种用于5G网络DWDM系统的滤光片及光模块。
背景技术
随着5G网络的研发及800G光传输技术的发展，光纤通信也将在5G网络系统中得到更为全面、广泛的应用。密集波分复用(DWDM)技术是目前光纤通信中应用非常成熟的新技术，可以实现一根光纤同时传输两个以上不同波段的光载波通信(张明.光纤通信在5G系统中的应用分析及展望[J].通讯世界,2020.)。
然而，目前应用于5G网络光模块的滤光片的光学指标参数仍不满足5G网络DWDM系统的应用需求，普遍存在相邻信道之间信号相互影响的问题。
实用新型内容
本实用新型为克服上述现有技术所述的用于5G网络光模块的滤光片的光学指标参数仍不满足5G网络DWDM系统的应用需求的缺陷，提供一种用于5G网络DWDM系统的滤光片，以及一种用于5G网络DWDM系统的光模块。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下：
一种用于5G网络DWDM系统的滤光片，包括玻璃基板，玻璃基板的一侧面镀设有增透膜，玻璃基板的另一侧面镀设有高反膜；高反膜由高折射率介质层与低折射率介质层交替堆积组成，且高反膜中介质层的层数大于或等于186层。
优选地，高折射率介质层由Ta2O5材料制成。
优选地，低折射率介质层由SiO2材料制成。
优选地，高反膜中介质层的层数为186层，其中各膜层厚度如下：
第11层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第25层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第26层SiO2低折射率介质层厚度为33.41nm；
第27层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第48层SiO2低折射率介质层厚度为22.7nm；
第49层Ta2O5高折射率介质层厚度为67.87nm；
第65层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第83层Ta2O5高折射率介质层厚度为457.36nm；
第91层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第99层Ta2O5高折射率介质层厚度为457.36nm；
第117层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第145层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第155层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第156层SiO2低折射率介质层厚度为33.41nm；
第157层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第183层Ta2O5高折射率介质层厚度为288.35nm；
第184层SiO2低折射率介质层厚度为356.3nm；
第185层Ta2O5高折射率介质层厚度为424.25nm；
第186层SiO2低折射率介质层厚度为492.2nm；
其余奇数膜层为Ta2O5高折射率介质层，其厚度为152.45nm；偶数膜层为SiO2低折射率介质层，其厚度为220.4nm。
优选地，增透膜由高折射率介质层与低折射率介质层交替堆积组成。
优选地，增透膜中高折射率介质层采用Ta2O5材料。
优选地，增透膜中低折射率介质层采用SiO2材料。
优选地，增透膜中介质层的层数为2层。
优选地，增透膜中各膜层厚度如下：第1层为Ta2O5高折射率介质层，其厚度为36.6nm；第2层为SiO2低折射率介质层，其厚度为185.5nm。
本实用新型还提出了一种用于5G网络DWDM系统的光模块，其上搭载有由上述任一技术方案或多种技术方案组合得到的滤光片。
与现有技术相比，本实用新型技术方案的有益效果是：本实用新型的用于5G网络DWDM系统的滤光片的光学指标如下：Center Wavelength Tolerance为±0.2nm，PassBandWidth(PB)@-0.2dB大于3nm，Adjacent Isolation>27dB，Reflection Isolation>15dB；能够更好地解决相邻信道之间信号相互影响，从而提高5G网络光纤通信的传输容量和最大传输距离。
附图说明
图1为实施例中用于5G网络DWDM系统的滤光片的结构示意图。
图2为实施例中用于5G网络DWDM系统的滤光片的产品曲线。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；
对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案做进一步的说明。
本实施例提出一种用于5G网络DWDM系统的滤光片，如图1所示，为本实施例的用于5G网络DWDM系统的滤光片的结构示意图。
本实施例提出的用于5G网络DWDM系统的滤光片中，包括玻璃基板1，玻璃基板1的一侧面镀设有增透膜3，玻璃基板1的另一侧面镀设有高反膜2。
本实施例中的高反膜2由Ta2O5高折射率介质层与SiO2低折射率介质层交替堆积组成，且高反膜2中介质层的层数为186层，其中，高反膜2中各膜层厚度如下：
第11层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第25层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第26层SiO2低折射率介质层厚度为33.41nm；
第27层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第48层SiO2低折射率介质层厚度为22.7nm；
第49层Ta2O5高折射率介质层厚度为67.87nm；
第65层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第83层Ta2O5高折射率介质层厚度为457.36nm；
第91层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第99层Ta2O5高折射率介质层厚度为457.36nm；
第117层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第145层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第155层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第156层SiO2低折射率介质层厚度为33.41nm；
第157层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第183层Ta2O5高折射率介质层厚度为288.35nm；
第184层SiO2低折射率介质层厚度为356.3nm；
第185层Ta2O5高折射率介质层厚度为424.25nm；
第186层SiO2低折射率介质层厚度为492.2nm；
其余奇数膜层为Ta2O5高折射率介质层，其厚度为152.45nm；偶数膜层为SiO2低折射率介质层，其厚度为220.4nm。
具体地，高反膜2中各膜层厚度如下表所示。
表1高反膜中膜层厚度(单位：nm)
而本实施例中的增透膜3同样由Ta2O5高折射率介质层和SiO2低折射率介质层交替堆积组成，其中，增透膜3中介质层的层数为2层，第1层为Ta2O5高折射率介质层，其厚度为36.6nm；第2层为SiO2低折射率介质层，其厚度为185.5nm。
在具体实施过程中，可采用高精度溅射镀膜机，用高速粒子轰击膜料表面，通过动量传递，将分子或原子获得足够的动能而从靶材表面溢出，在玻璃基板1表面凝聚成膜，得到镀设在玻璃基板1两侧面的增透膜3和高反膜2，具有膜层附着力强、绕镀性好、膜层致密、成膜速率高等特点。
本实施例中的用于5G网络DWDM系统的滤光片的光学指标如下：CenterWavelength Tolerance为±0.2nm，PassBand Width(PB)@-0.2dB大于3nm，AdjacentIsolation>27dB，Reflection Isolation>15dB。具体地，如表2、表3所示，为本实施例的用于5G网络DWDM系统的滤光片应用于800G DWDM系统中的光学指标。
表2
表3
此外，如图2所示，为本实施例的用于5G网络DWDM系统的滤光片应用于800G DWDM系统中的产品曲线。从上述光学指标及产品曲线可知，本实施例的滤光片能够更好地解决相邻信道之间信号相互影响，从而提高5G网络光纤通信的传输容量和最大传输距离。
进一步地，将本实施例的滤光片搭载在光模块器件上，可得到用于5G网络DWDM系统的光模块。
相同或相似的标号对应相同或相似的部件；
附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面镀设有增透膜，所述玻璃基板的另一侧面镀设有高反膜；所述高反膜由高折射率介质层与低折射率介质层交替堆积组成，且所述高反膜中介质层的层数大于或等于186层。
2.根据权利要求1所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述高折射率介质层由Ta2O5材料制成。
3.根据权利要求2所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述低折射率介质层由SiO2材料制成。
4.根据权利要求3所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述高反膜中介质层的层数为186层，其中各膜层厚度如下：
第11层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第25层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第26层SiO2低折射率介质层厚度为33.41nm；
第27层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第48层SiO2低折射率介质层厚度为22.7nm；
第49层Ta2O5高折射率介质层厚度为67.87nm；
第65层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第83层Ta2O5高折射率介质层厚度为457.36nm；
第91层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第99层Ta2O5高折射率介质层厚度为457.36nm；
第117层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第145层Ta2O5高折射率介质层厚度为304.91nm；
第155层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第156层SiO2低折射率介质层厚度为33.41nm；
第157层Ta2O5高折射率介质层厚度为63.95nm；
第183层Ta2O5高折射率介质层厚度为288.35nm；
第184层SiO2低折射率介质层厚度为356.3nm；
第185层Ta2O5高折射率介质层厚度为424.25nm；
第186层SiO2低折射率介质层厚度为492.2nm；
其余奇数膜层为Ta2O5高折射率介质层，其厚度为152.45nm；偶数膜层为SiO2低折射率介质层，其厚度为220.4nm。
5.根据权利要求1～4任一项所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述增透膜由高折射率介质层与低折射率介质层交替堆积组成。
6.根据权利要求5所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述增透膜中高折射率介质层采用Ta2O5材料。
7.根据权利要求6所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述增透膜中低折射率介质层采用SiO2材料。
8.根据权利要求7所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述增透膜中介质层的层数为2层。
9.根据权利要求8所述的用于5G网络DWDM系统的滤光片，其特征在于：所述增透膜中各膜层厚度如下：
第1层为Ta2O5高折射率介质层，其厚度为36.6nm；
第2层为SiO2低折射率介质层，其厚度为185.5nm。
10.一种用于5G网络DWDM系统的光模块，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的滤光片。
Priority Applications (1)
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| CN202021493081.0U CN212658849U (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 一种用于5g网络dwdm系统的滤光片及光模块 |
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