CN212610866U - 纳米合金材料及电子产品 - Google Patents

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夏祥国
李林军
任诗举
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Abstract

本实用新型公开一种纳米合金材料及应用该纳米合金材料的电子产品。纳米合金材料包括:铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度大于或者等于1微米,且小于或者等于100微米,该铝箔薄膜层具有焊接面;可焊接金属层,该可焊接金属层通过气相沉积形成于铝箔薄膜层的焊接面上,该可焊接金属层的厚度大于或者等于0.05微米,且小于或者等于15微米;可焊接金属层是由铜,或者铜镍合金、铜锌合金、铜铟合金、铜锡合金、铜银合金、铜金合金以及铜镁合金中任意一种形成的金属层。

Description

纳米合金材料及电子产品
技术领域
本实用新型涉及纳米合金材料技术领域,特别涉及一种纳米合金材料及应用该纳米合金材料的电子产品。
背景技术
灯带为灯的连接,提供焊接位置,是一种导电且需要可焊接的材料。具有良好的导电性及可焊接性。灯带因为使用寿命长(一般正常寿命在8~10万小时),又非常节能和绿色环保而逐渐在各种装饰行业中崭露头角。然而,现有的灯带都由铜材质制成,使得灯带的成本较高。同时,由于需要可焊接,使得其不能由价格便宜的铝箔代替,灯带的高成本,阻碍了灯带发展。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种纳米合金材料,旨在获得一种能实现灯带功能的具有更好柔性的纳米合金材料。
为实现上述目的,本实用新型提出的纳米合金材料包括:
铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度大于或者等于1微米,且小于或者等于100微米,该铝箔薄膜层具有焊接面;
可焊接金属层,该可焊接金属层通过气相沉积形成于铝箔薄膜层的焊接面上,该可焊接金属层的厚度大于或者等于0.05微米,且小于或者等于15微米;可焊接金属层是由铜,或者铜镍合金、铜锌合金、铜铟合金、铜锡合金、铜银合金、铜金合金以及铜镁合金中任意一种形成的金属层。
可选地,所述可焊接金属层的层数为1-3层,不同层可焊接金属层的厚度相同或不相同,不同层可焊接金属层的材质相同或不相同。
可选地,可焊接金属层的表面设置有防氧化层。
可选地,所述可焊接金属层的厚度与铝箔薄膜层的厚度比为3/200~1/20。
可选地,所述可焊接金属层包括第一金属层和第二金属层,第一金属层覆盖在铝箔薄膜层的表面,第二金属层位于第一金属层背对铝箔薄膜层的一侧;第一金属层由铜材质或者铜合金材质制成,第二金属层由镍材质制成。
可选地,所述可焊接金属层还包括第三金属层,所述第三金属层位于第一金属层和第二金属层之间,所述第三金属层由锡材质制成。
可选地,所述纳米合金材料还具有蚀刻结构,蚀刻结构穿透所述纳米合金材料。
可选地,对铝箔薄膜层进行打孔处理,使铝箔薄膜层形成若干通孔,通孔的孔径范围为0.1微米-100微米,孔距范围为0.1微米-100微米;在铝箔薄膜层若干通孔的孔壁上形成可焊接金属层。
可选地,所述若干通孔的孔径范围为0.1微米-3微米,孔距范围为0.1微米-10微米。
可选地,所述通孔内填充有可焊接金属。
本实用新型还提供一种电子产品,包括电子产品本体,安装于该电子产品本体上的纳米合金材料,包括:
铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度大于或者等于1微米,且小于或者等于100微米,该铝箔薄膜层具有焊接面;
可焊接金属层,该可焊接金属层通过气相沉积形成于铝箔薄膜层的焊接面上,该可焊接金属层的厚度大于或者等于0.05微米,且小于或者等于15微米;可焊接金属层是由铜,或者铜镍合金、铜锌合金、铜铟合金、铜锡合金、铜银合金、铜金合金以及铜镁合金中任意一种形成的金属层。
本实用新型的纳米合金材料,通过在铝箔薄膜层的厚度降低至10微米时仍能获得很好的镀覆效果,从而可在铝箔薄膜层的表面形成具有良好可焊接性能的金属层;如此,形成的纳米合金材料既可以满足灯带的可焊接要求,又大幅降低了灯带的制造成本。可焊接金属层的厚度不宜过小,如果小于0.05 微米,则将由于厚度太薄,无法提供足够的连接深度,难以实现其焊接功能。可焊接金属层的厚度也不宜过大,当大于15微米时,将使得灯带厚度和重量增加的同时,还提高了灯带的成本。又由于铝箔薄膜层的厚度很小,通过对铝箔薄膜层进行打孔,在形成的若干通孔的孔壁能很好地沉积金属层,将可焊接金属层与通孔内的可焊接金属层导通,为灯带的焊接提供了更可靠的焊点,有利于提高焊接效果。相较于传统的灯带,本实用新型的纳米合金材料非常薄,相较于灯带具有更好的柔性,进而提升了纳米合金材料在应用到电子产品时的使用效果及使用的灵活性,可以代替传统灯带填补100微米以下柔性可焊接材料的空白。且,本实用新型的纳米合金材料无需电镀或化学镀,工艺简单,环保,成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型纳米合金材料第一实施例的剖视结构示意图;
图2为本实用新型纳米合金材料第二实施例的剖视结构示意图;
图3为本实用新型纳米合金材料第三实施例的剖视结构示意图;
图4为本实用新型纳米合金材料另一施例的剖视结构示意图;
图5为本实用新型纳米合金材料又一实施例的剖视结构示意图;
图6为本实用新型纳米合金材料再一实施例的剖视结构示意图。
附图标号说明:
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本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明,本实用新型实施例中如涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“固定”等应做广义理解,例如,“固定”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
另外,在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
本实用新型提供一种纳米合金材料的制作方法,其包括如下步骤:
提供一铝箔薄膜层。
该铝箔薄膜层的材质为铝箔或者合金铝箔(铝合金箔),也即该铝箔薄膜层的材质不仅仅可以为铝箔,也可以为以为基添加少量其他合金化元素的合金铝箔,也可以为以为基添加少量其他合金化元素的合金铝箔。铝箔可以根据需求形成硬态、中态和软态三种状态,本实施例中的铝箔薄膜层,也可以根据不同的具体工况需求使用特定的状态。该铝箔薄膜层的厚度大于或者等于10微米小于或者等于100微米。铝箔薄膜层的厚度,不宜过大,当铝箔薄膜层的厚度大于100微米时,其重量增加,柔韧性降低,不利于灯带的弯折。铝箔薄膜层的厚度也不宜太薄,小于10微米时,在其焊接过程中容易损坏,不利于灯带的使用。
对该铝箔薄膜层进行前处理。该前处理包括对所述铝箔薄膜层进行烘烤,使铝箔薄膜层的表面干燥。烘烤的温度范围为45摄氏度至80摄氏度,烘烤时间可为1小时至24小时。可以理解的,所述前处理并非必须,可根据产品的实际情况和实际需求而选择。
对经前处理的铝箔薄膜层进行打孔处理,使铝箔薄膜层形成若干通孔。若干通孔的孔径范围为0.1微米-100微米,优选为0.1微米-3微米;若干通孔的孔距范围为0.1微米-100微米,优选为0.1微米-10微米。所述通孔的形状可以是任意形状,如圆形,三角形,四边形,或其他不规则形状。所述若干通孔的排列方式亦可以是任意排列方式。
在铝箔薄膜层的表面上分别进行气相沉积,分别在每个表面及若干通孔的孔壁上形成至少一金属层。沉积金属层的方式可以是真空镀膜,如溅射,蒸发镀膜,或其他已知的真空镀膜方式。以溅射为例,所使用的金属靶材可为铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的一种或几种,或上述金属的任意两种或两种以上的合金靶材。镀膜工艺条件可为:真空度 0.01Pa-0.5Pa,连续卷绕式镀速为0.01-300米/分钟(m/min),电流为1A-50A,电压为200V-700V。所述可焊接金属层的厚度大于或者等于0.05微米小于或者等于15微米,优选地,金属层的厚度大于或者等于0.1微米且小于或者等于1微米。可以理解的,可焊接金属层的厚度还可以根据产品的实际需求选择。值得说明的是,可焊接金属层的厚度不宜过小,如果小于0.05微米,则将由于厚度太薄,无法提供足够的连接深度,难以实现其焊接功能。可焊接金属层的厚度也不宜过大,当大于15微米时,将使得灯带厚度和重量增加的同时,还提高了灯带的成本。其中,可焊接金属层是由铜,或者铜镍合金、铜锌合金、铜铟合金、铜锡合金、铜银合金、铜金合金以及铜镁合金中任意一种形成的金属层。
由于本实用新型铝箔薄膜层的厚度很小,在沉积可焊接金属层后,若干通孔的孔壁亦能很好地被可焊接金属层覆盖,使得通孔内和铝箔薄膜层上的可焊接金属层导通,有利于灯带的焊接。相较于传统的灯带,本实用新型的纳米合金材料工艺简单,环保,成本低。
可以理解的,还可以在铝箔薄膜层的每个表面镀覆多层可焊接金属层,比如2-6层,优选为2-3层。镀覆于铝箔薄膜层同一表面的不同层金属层的材质可以相同也可以不同,不同层金属层的厚度可以相同也可以不同;镀覆于铝箔薄膜层不同表面的金属层的材质可以相同也可以不同,镀覆于不同表面的金属层的厚度可以相同也可以不同;镀覆于不同表面的金属层的层数可以相同也可以不同。上述均可依据产品的实际需求选择。
关于可焊接金属层的层数和材质,不同的可焊接金属层,可以得到不同物理属性的纳米合金材料。下面举几个例子进行说明,所述可焊接金属层包括第一金属层610和第二金属层620,第一金属层610覆盖在铝箔薄膜层600 的表面,第二金属层620位于第一金属层610背对铝箔薄膜层600的一侧;第一金属层610由铜材质或者铜合金材质制成,第二金属层620由镍材质制成。铝箔薄膜层600无法直接进行焊接,通过真空镀上由铜或者铜合金材质制成的第一金属层610后,在使得材料具有可焊接性之外,还提高了材料的导电性(铜和铜合金的电阻率低于铝的电阻率)和强度(在厚度和宽度等尺寸相同的情况下,铜的强度高于铝的强度)。通过在第一金属层610的外侧设置由镍材质制成的第二金属层620,以保护第一金属层610和铝箔薄膜层 600不被氧化。也即,通过同时设置第一金属层610和第二金属层620后,不仅仅使得纳米合金材料具有可焊接性,还大幅提高了材料的导电性、强度和抗氧化能力。
在一些实施例中,为了进一步的提高可焊接性,所述可焊接金属层还包括第三金属层630,所述第三金属层630位于第一金属层610和第二金属层 620之间,所述第三金属层630由锡材质制成。通过在第一金属层610和第二金属层620之间设置由锡材质制成的第三金属层630,由于锡材质的高焊接性,大幅的提高材料进行焊接的便捷性和焊接后的可靠性。
在一些实施例中,为了提高纳米合金材料的使用便捷性,所述纳米合金材料还具有蚀刻结构,蚀刻结构穿透所述纳米合金材料。蚀刻的图案可以有很多,如花纹、电路等,可以根据实际情况确定。例如,当纳米合金材料用于制作灯带时,可以在其上蚀刻用于为灯珠供电和安装的电路。
可以理解的,在真空镀膜结束后,还可以对金属层进行后处理。所述后处理包括使用过氧保护剂对金属层进行防氧化处理,以增强纳米合金材料的抗氧化性。
在一些实施例中,为了保证纳米合金材料的基本性能的同时,得到较高的经济效率,所述可焊接金属层的厚度与铝箔薄膜层的厚度比为3/200~1/20。也即,可焊接金属层的厚度,相较于铝箔薄膜层的厚度,不能太厚,也不能太薄,当二者的比例小于3/200时,由于二者的比例太小,在需要较大尺寸的电子器件进行焊接时,纳米合金材料的焊接可靠性和焊接后的稳定性得不到有效的保障;当二者的比例大于1/20时,导致可焊接金属层的厚度较厚,在增加纳米合金材料的整体重量的同时,也将浪费较多的可焊接金属层,导致成本增加。
以下通过具体的实施例对本实用新型纳米合金材料的制作方法进行说明。
实施例一
提供一铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度为10微米。
对该铝箔薄膜层进行烘烤,烘烤温度为45摄氏度,烘烤时间为24小时。
对经烘烤处理的铝箔薄膜层进行激光打孔,使铝箔薄膜层形成若干通孔,若干通孔的孔径为0.1微米,孔距为0.1微米,若干通孔的形状为圆形。
对打孔后的铝箔薄膜层的表面进行电晕处理,电晕处理时间为1秒钟。电晕处理后该表面的达因值为56。
在电晕处理后的铝箔薄膜层的一个表面及若干通孔的孔壁分别溅射一层可焊接金属层,以铜为靶材,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为15m/min,镀膜电流为6A,镀膜电压为350V。铝箔薄膜层的表面形成的金属层的厚度为0.5微米。
使用过氧保护剂对所述金属层进行防氧化处理。
实施例二
提供一铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度为100微米。
对该铝箔薄膜层进行烘烤,烘烤温度为80摄氏度,烘烤时间为1小时。
对经烘烤处理的铝箔薄膜层进行激光打孔,使铝箔薄膜层形成若干通孔,若干通孔的孔径为100微米,孔距为100微米。若干通孔的形状为三角形。
对打孔后的铝箔薄膜层的表面进行电晕处理,电晕处理时间分别为10秒钟。电晕处理后该表面的达因值为54。
在经电晕处理后的铝箔薄膜层的表面及若干通孔的孔壁分别溅射第一层金属层,以锌为靶材,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:真空度0.02Pa,连续卷绕式镀速为30m/min,镀膜电流为30A,镀膜电压为680V。铝箔薄膜层的表面形成的第一层金属层的厚度为1微米。
在第一层金属层的表面及若干通孔的孔壁分别溅射第二层金属层,以铜为靶材,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:真空度0.02Pa,连续卷绕式镀速为0.01m/min,镀膜电流为10A,镀膜电压为500V。形成于铝箔薄膜层两表面的第二层金属层的厚度为0.5微米。
实施例三
提供一铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度为20微米。
对铝箔薄膜层进行激光打孔,使铝箔薄膜层形成若干通孔,若干通孔的孔径为10微米,孔距为10微米,若干通孔的形状为四边形。
对铝箔薄膜层的表面进行电晕处理,电晕处理时间分别为5秒钟。电晕处理后该表面的达因值分别为40。
在经电晕处理后的铝箔薄膜层的表面及若干通孔的孔壁分别溅射一层金属层,以钛为靶材,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为295m/min,镀膜电流为30A,镀膜电压为700V。形成于铝箔薄膜层表面的每一层金属层的厚度为0.5微米。
实施例四
提供一铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度为38微米。
对该铝箔薄膜层进行烘烤,烘烤温度为60摄氏度,烘烤时间为20小时。
对经烘烤处理的铝箔薄膜层进行激光打孔,使铝箔薄膜层形成若干通孔,若干通孔的孔径为60微米,孔距为60微米,若干通孔的形状为圆形。
对铝箔薄膜层的表面进行离子束处理,在0.3Pa的压力下进行,处理时间为10分钟。离子束处理后该表面的达因值为53。
在经离子束处理后的铝箔薄膜层的表面及若干通孔的孔壁分别真空蒸镀第一层金属层,以锡为靶材,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:真空度0.3Pa,连续卷绕式镀速为15m/min,镀膜电流为25A,镀膜电压为350V。形成于铝箔薄膜层表面的第一层金属层的厚度为1.2微米。
在第一层金属层的表面真空蒸镀第二层金属层,以铜为靶材,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为15m/min,镀膜电流为22A,镀膜电压为650V。形成于铝箔薄膜层表面的第二层金属层的厚度为0.2微米。
在两个第二层金属层的表面分别真空蒸镀第三层金属层,以铜镍合金为靶材,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为0.5m/min,镀膜电流为4A,镀膜电压为380V。形成于铝箔薄膜层表面的第三层金属层的厚度为0.2微米。
实施例五
提供一铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度为15微米。
对铝箔薄膜层进行激光打孔,使铝箔薄膜层形成若干通孔,若干通孔的孔径为3微米,孔距为3微米,若干通孔的形状为圆形。
对铝箔薄膜层的表面进行等离子体处理,在0.2Pa条件下轰击1min,等离子体处理后该表面的达因值为65。
在铝箔薄膜层的表面及若干通孔的孔壁分别溅镀第一层金属层,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件为:
第一层金属层,以铜为靶材,真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为1.2m/min,镀膜电流为16A,镀膜电压为480V。所得第一层金属层的厚度为1.0微米;
在其中一第一金属层的表面依次溅镀五层金属层,采用连续卷绕式镀膜,镀膜工艺条件分别为:
第二层金属层,以铜为靶材,真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为0.3m/min,镀膜电流为1A,镀膜电压为300V。所得第二层金属层的厚度为0.2微米;
第三层金属层,以银为靶材,真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为3m/min,镀膜电流为25A,镀膜电压为480V。所得第三层金属层的厚度为0.5纳米;
第四层金属层,以锡为靶材,真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为6m/min,镀膜电流为2A,镀膜电压为680V。所得第四层金属层的厚度为0.3纳米;
第五层金属层,以铟锡合金为靶材,真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为 2m/min,镀膜电流为22A,镀膜电压为420V。所得第五层金属层的厚度为0.1 微米;
第六层金属层,以铜镍合金为靶材,真空度0.2Pa,连续卷绕式镀速为10m/min,镀膜电流为1A,镀膜电压为380V。所得第六层金属层的厚度为0.12。
本实用新型还提出一种由所述纳米合金材料的制作方法制得的纳米合金材料100。
请参照图1,该纳米合金材料100包括铝箔薄膜层10,该铝箔薄膜层10 形成有若干通孔101。若干通孔的孔径范围为0.1微米-100微米,优选为0.1 微米-3微米;若干通孔的孔距范围为0.1微米-100微米,优选为0.1微米-10 微米。铝箔薄膜层10的表面形成有金属层12和/或金属层14,若干通孔101 的孔壁形成有金属层103。
当然,可以理解的是,参照图4,在一些实施例中,为了进一步的提高纳米合金材料100的焊接可靠形性,可以在通孔内填充可焊接材料105,如此,在一些位置,以进一步的增加可焊接金属层的厚度,有利于提高纳米合金材料的可焊接性和焊接后的可靠性。
所述铝箔薄膜层10的厚度大于或者等于10微米小于或者等于100微米,该厚度相较于现有技术的铝箔薄膜层的厚度最大下降了75%,可极大地提升纳米合金材料的柔性,同时大大降低了材料成本。
又由于本实用新型铝箔薄膜层10的厚度很小,镀覆时若干通孔101的孔壁亦能很好地被镀覆,形成金属层103,并与铝箔薄膜层10表面的金属层12 或金属层14导通,有利好焊接时可以利用通孔的空间以及内部的可焊接金属层材料,有利于提高焊接的便捷性和焊接后的可靠性。因此,本实用新型通过在铝箔薄膜层10的表面进行真空镀膜形成金属层的方式即可得到具有灯带可焊接功能的纳米合金材料,相较于传统的灯带,本实用新型的纳米合金材料无需电镀或化学镀,其工艺简单,环保,成本低。
所述可焊接金属层12、14、103是由铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的任意一种金属形成的金属层,或者任意两种和两种以上的金属形成的合金层。可以理解的,以上仅为列举,该金属材质还可以是其他能导电的金属或合金。该可焊接金属层12、14的厚度大于或者等于0.05 微米小于或者等于15微米,可焊接金属层103的厚度大于或者等于0.5微米小于或者等于1微米可以理解的,可焊接金属层12、14的厚度还可以根据产品的实际需求选择。金属层12和金属层14的材质可以相同,也可以不同;金属层12和金属层14的厚度可以相同,也可以不同。金属层103在沉积金属层12和14的过程中形成。
可以理解的,铝箔薄膜层10表面的金属层的层数还可以是一层以上的多层,比如2-6层,优选为2-3层。图2示出了铝箔薄膜层其中一表面的金属层为3层的纳米合金材料200,该纳米合金材料200包括铝箔薄膜层20,在铝箔薄膜层20的一表面上依次形成有第一金属层22、第二金属层24、及第三金属层26,在铝箔薄膜层20的另一表面上形成有第四金属层28。第一金属层22,第二金属层24,第三金属层26,及第四金属层28的材质及厚度可参照金属层12或14的材质及厚度。第一金属层22,第二金属层24,第三金属层26、及第四金属层28的材质可以相同,也可以不同;第一金属层22,第二金属层24,第三金属层26,及第四金属层28的厚度可以相同,也可以不同。铝箔薄膜层20形成有若干通孔201,若干通孔201的孔径范围为0.1微米-100微米,优选为0.1微米-3微米;若干通孔201的孔距范围为0.1微米-100微米,优选为0.1-10微米。若干通孔201的孔壁沉积有金属层203,该金属层 203在沉积第一、第二、第三、及第四金属层时形成。铝箔薄膜层20与第一金属层22及第四金属层28直接接触的表面。
可以理解的,在第四金属层28的表面还可以再沉积一层或多层金属层,可依据产品的实际需求选择。
图3示出了铝箔薄膜层表面的金属层为2层的纳米合金材料300,该纳米合金材料300包括铝箔薄膜层30,在铝箔薄膜层20的一表面上依次形成有第五金属层32、第六金属层34,在铝箔薄膜层30的另一表面上依次形成有第七金属层36、第八金属层38。第五金属层32、第六金属层34、第七金属层 36、及第八金属层38的材质及厚度可参照金属层12或14的材质及厚度。第五金属层32、第六金属层34、第七金属层36、及第八金属层38的材质可以相同,也可以不同;第五金属层32、第六金属层34、第七金属层36、及第八金属层38的厚度可以相同,也可以不同。铝箔薄膜层30形成有若干通孔301,若干通孔301的孔径范围为0.1微米-100微米,优选为0.1微米-3微米;若干通孔301的孔距范围为0.1微米-100微米,优选为0.1-10微米。若干通孔301 的孔壁沉积有金属层303,该金属层303在沉积第五、第六、第七、及第八金属层时形成。铝箔薄膜层30与第五金属层32及第七金属层36直接接触的表面。
可以理解的,在第六金属层36及第八金属层38的表面还可以再沉积一层或多层金属层,可依据产品的实际需求选择。
本实用新型还提供一种电子产品(未图示),其包括电子产品本体,电子产品本体上覆盖有如上所述的纳米合金材料。所述电子产品可为电脑、手机等。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的实用新型构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种纳米合金材料,其特征在于,包括:
铝箔薄膜层,该铝箔薄膜层的厚度大于或者等于1微米,且小于或者等于100微米,该铝箔薄膜层具有焊接面;
可焊接金属层,该可焊接金属层通过气相沉积形成于铝箔薄膜层的焊接面上,该可焊接金属层的厚度大于或者等于0.05微米,且小于或者等于15微米;可焊接金属层是由铜,或者铜镍合金、铜锌合金、铜铟合金、铜锡合金、铜银合金、铜金合金以及铜镁合金中任意一种形成的金属层。
2.如权利要求1所述的纳米合金材料,其特征在于,所述可焊接金属层的层数为1-3层,不同层可焊接金属层的厚度相同或不相同,不同层可焊接金属层的材质相同或不相同。
3.如权利要求1所述的纳米合金材料,其特征在于,可焊接金属层的表面设置有防氧化层。
4.如权利要求1所述的纳米合金材料,其特征在于,所述可焊接金属层的厚度与铝箔薄膜层的厚度比为3/200~1/20。
5.如权利要求2所述的纳米合金材料,其特征在于,所述可焊接金属层包括第一金属层和第二金属层,第一金属层覆盖在铝箔薄膜层的表面,第二金属层位于第一金属层背对铝箔薄膜层的一侧;第一金属层由铜材质或者铜合金材质制成,第二金属层由镍材质制成。
6.如权利要求5所述的纳米合金材料,其特征在于,所述可焊接金属层还包括第三金属层,所述第三金属层位于第一金属层和第二金属层之间,所述第三金属层由锡材质制成。
7.如权利要求1所述的纳米合金材料,其特征在于,所述纳米合金材料还具有蚀刻结构,蚀刻结构穿透所述纳米合金材料。
8.一种电子产品,包括电子产品本体,其特征在于,所述电子产品本体被覆盖有如权利要求1-7任意一项所述的纳米合金材料。
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