CN111484640B - 电磁屏蔽材料的制作方法、电磁屏蔽材料及电子产品 - Google Patents

电磁屏蔽材料的制作方法、电磁屏蔽材料及电子产品 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种电磁屏蔽材料的制作方法、由该制作方法制得的电磁屏蔽材料、及应用该电磁屏蔽材料的电子产品，其中，电磁屏蔽材料的制作方法包括：提供一双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于0.8微米小于或者等于12微米；对聚合物薄膜层进行粗化处理，使聚合物薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通；本发明的技术方案提供一种厚度非常薄的双面导通的电磁屏蔽材料。

Description

电磁屏蔽材料的制作方法、电磁屏蔽材料及电子产品
技术领域
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别涉及一种电磁屏蔽材料的制作方法、由该方法制得的电磁屏蔽材料、及应用该电磁屏蔽材料的电子产品。
背景技术
导电布是一种电磁屏蔽材料，具有良好的导电性及电磁波屏蔽效果。电磁屏蔽导电布以其优良的垂直导通和屏蔽效能广泛应用在电子、仪表等行业，能防止由于静电所造成的电子元器件损坏、老化。然而，现有的导电布的生产工艺流程长，经几道化学镀或电镀工艺，环境污染大，金属层附着力也不甚理想。且，由于工艺的要求，导电布的厚度很难做薄，其厚度通常是18微米以上；另外由于导电布生产过程中难以精确控制，导致产品合格率较低，成本偏高。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种电磁屏蔽材料的制作方法，旨在获得一种能实现导电布功能的具有更好柔性的电磁屏蔽材料。
为实现上述目的，本发明提出的电磁屏蔽材料的制作方法，包括：
提供一双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米；
对聚合物薄膜层进行粗化处理，使聚合物薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；
在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通。
可选地，所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.5微米，且小于或等于1.5微米。
可选地，双面导通的聚合物薄膜层具有供电离子通过的微孔通道，所述微孔通道的孔径为0.001微米至0.01微米，相邻微孔通道的距离范围为0.001微米至0.01微米。
可选地，双面导通的聚合物薄膜层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯以及聚丙烯中的一种或者多种制成。
可选地，所述金属屏蔽层以真空镀膜的方式形成，所述金属屏蔽层是由铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的任意一种金属形成的金属层，或者任意两种和两种以上的金属形成的合金层；
所述金属屏蔽层以溅射的方式形成，其工艺条件为真空度0.01Pa-0.5Pa，连续卷绕式镀速为0.01-300米/分钟，电流为1A-50A，电压为200V-700V。
可选地，在粗化后的表面上形成至少一可焊接金属层的具体步骤包括：
对粗化后的表面进行真空电镀，真空电镀的金属层的厚度大于或者等于0.1微米，且小于或者等于1微米；
对真空电镀后的材料进行水电镀，水电镀的金属层的厚度大于或者等于1微米，且小于或者等于10微米。
可选地，对聚合物薄膜层进行打孔处理，使聚合物薄膜层形成若干通孔，通孔的孔径范围为0.1微米-100微米，孔距范围为0.1微米-100微米；若干通孔的孔壁上形成有连接聚合物薄膜层两个侧面上的金属屏蔽的金属连接层。
可选地，对聚合物薄膜层进行打孔处理的方式为激光打孔，所述若干通孔的孔径范围为0.1微米-3微米，孔距范围为0.1微米-10微米。
本发明还提供一种电磁屏蔽材料，该电子屏蔽材料由电磁屏蔽材料的制造方法制得，
电磁屏蔽材料的制作方法，包括：
提供一双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米；
对聚合物薄膜层进行粗化处理，使聚合物薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；
在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通。
可选地，形成于聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层的层数为1-3层，不同层金属屏蔽层的厚度相同或不相同，不同层金属屏蔽层的材质相同或不相同。
本发明还提供一种电子产品，包括电子产品本体，该电子产品本体被包覆有如上所述的电磁屏蔽材料。
本发明的电磁屏蔽材料的制作方法，通过对聚合物薄膜层的表面进行粗化，提升了聚合物薄膜层表面的达因值，即提升了聚合物薄膜层表面的能量，进而在镀金属层时更容易接受沉积的金属层，在聚合物薄膜层的厚度降低至1.5微米时仍能获得很好的镀覆效果，从而可在聚合物薄膜层的表面形成具有良好电磁屏蔽效果的金属屏蔽层；由于本发明中的聚合物薄膜层非常薄，内部具有供导电离子通过的微孔通道，使得其自身具有导电效果，也即，双面导通的聚合物薄膜层的两个侧面在其自身属性下导通；当在其两侧覆盖金属屏蔽层时，聚合物导通两个金属屏蔽层。
在一些实施例中，又由于聚合物薄膜层的厚度很小，通过对聚合物薄膜层进行打孔，在形成的若干通孔的孔壁能很好地沉积金属屏蔽层，将聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层导通，从而满足垂直电阻的要求，实现导电布的屏蔽功能。相较于导电布，本发明的电磁屏蔽材料非常薄，相较于导电布具有更好的柔性，进而提升了电磁屏蔽材料在应用到电子产品时的使用效果及使用的灵活性，可以代替导电布填补12微米以下柔性双面导通屏蔽材料的空白。且，本发明的电磁屏蔽材料无需电镀或化学镀，工艺简单，环保，成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明电磁屏蔽材料第一实施例的剖视结构示意图；
图2为本发明电磁屏蔽材料第二实施例的剖视结构示意图；
图3为本发明电磁屏蔽材料第三实施例的剖视结构示意图；
图4为本发明电磁屏蔽材料另一施例的剖视结构示意图；
图5为本发明电磁屏蔽材料还一实施例的剖视结构示意图；
图6为本实用新型电磁屏蔽材料又一实施例的剖视结构示意图；
图7为本实用新型电磁屏蔽材料再一实施例的剖视结构示意图。
附图标号说明：
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中如涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供一种电磁屏蔽材料的制作方法，其包括如下步骤：
提供一聚合物薄膜层。
该聚合物薄膜层的材质可为双面导通的聚合物薄膜层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯以及聚丙烯中的一种或者多种制成等。该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于0.8微米小于或者等于12微米。
对该聚合物薄膜层进行前处理。该前处理包括对所述聚合物薄膜层进行烘烤，使聚合物薄膜层的表面干燥。烘烤的温度范围为45摄氏度至80摄氏度，烘烤时间可为1小时至24小时。可以理解的，所述前处理并非必须，可根据产品的实际情况和实际需求而选择。
对经前处理的聚合物薄膜层进行打孔处理，使聚合物薄膜层形成若干通孔。若干通孔的孔径范围为0.1微米-100微米，优选为0.1微米-3微米；若干通孔的孔距范围为0.1微米-100微米，优选为0.1微米-10微米。所述通孔的形状可以是任意形状，如圆形，三角形，四边形，或其他不规则形状。所述若干通孔的排列方式亦可以是任意排列方式。
对打孔后的聚合物薄膜层进行粗化处理，使聚合物薄膜层两个表面的达因值大于或者等于44小于或者等于70。所述表面粗化处理可为电晕处理、等离子体处理、或离子束处理。
以电晕处理为例，利用高频率高电压在聚合物薄膜层的表面进行电晕放电，高频交流电压可为5000-15000V/m2，产生的低温等离子体使聚合物薄膜层表面产生游离基反应而使聚合物发生交联，从而实现表面粗化的效果。电晕处理时间可为1秒钟至10秒钟。
由于聚合物薄膜层的厚度极小，本发明的电磁屏蔽材料的制作方法在对聚合物薄膜层进行打孔后再进行粗化处理，提高了粗化处理时的难度，因为如此薄的聚合物薄膜层在打孔后被牵引行进进行粗化时很容易被拉断。但是，如果先粗化后打孔，打孔后孔壁边缘形成的毛刺就会影响后续的金属屏蔽层的沉积效果，如果要保证金属屏蔽层的沉积效果，则需要额外增加一道工序来消除毛刺，费时费力。而先打孔后粗化虽然增加了粗化处理时的难度，但却能在粗化处理的同时，如电晕处理的同时，通过电极轰击聚合物薄膜层的表面，即能有效的消融或者击掉孔壁边缘形成的毛刺，在粗化处理后可直接进行金属屏蔽层的沉积，且不影响金属屏蔽层的沉积效果。
关于双面导通的聚合物薄膜层，具有空间非常小的微孔通道，其径向尺寸为0.001微米至0.01微米，相邻微孔通道的距离范围为0.001微米至0.01微米。微孔通道的形成方式有很多，以其在生产过程中自然形成为例。微孔通道的横截面形状可以是任意形状，如圆形，三角形，四边形，或其他不规则形状。在任意一侧的金属屏蔽层通电时，电离子可以穿过微孔通道，进入到另一侧的金属屏蔽层，实现两侧金属屏蔽层的导通。因此，由于本实施例中的聚合物薄膜层非常薄，内部具有供导电离子通过的微孔通道，使得其自身具有导电效果，也即，双面导通的聚合物薄膜层的两个侧面在其自身属性下导通；当在其两侧覆盖金属屏蔽层时，聚合物导通两个金属屏蔽层。
本发明对聚合物薄膜层进行粗化处理并控制聚合物薄膜层表面的达因值在44-70的范围区间，优选为50-56的范围区间，以实现较佳的金属屏蔽层镀覆效果。达因值低于44则聚合物薄膜层的表面能较低，在沉积金属屏蔽层时聚合物薄膜层容易发生卷积现象，导致沉积的金属屏蔽层容易脱落；达因值高于70则增大了接触面积，镀覆时聚合物薄膜层容易被击穿。
在聚合物薄膜层粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面及若干通孔的孔壁上形成至少一金属屏蔽层。沉积金属屏蔽层的方式可以是真空镀膜，如溅射，蒸发镀膜，或其他已知的真空镀膜方式。以溅射为例，所使用的金属靶材可为铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的一种或几种，或上述金属的任意两种或两种以上的合金靶材。镀膜工艺条件可为：真空度0.01Pa-0.5Pa，连续卷绕式镀速为0.01-300米/分钟(m/min)，电流为1A-50A，电压为200V-700V。所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.5微米小于或者等于1.5微米，优选地，金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.5微米，且小于或者等于1微米。可以理解的，金属屏蔽层的厚度还可以根据产品的实际需求选择。值得说明的是，本实施例中的金属屏蔽层的厚度不宜过厚，也不宜过薄。当金属屏蔽层的厚度大于1.5微米时，将使得电磁屏蔽材料的厚度增加，同时，1.5微米的厚度已经可以起到较佳的屏蔽效果，再继续增厚，屏蔽效果的增幅不大，浪费金属屏蔽层的材料，增加成本；同时，由于厚度太厚将增加电阻，并且影响聚合物表面的物理属性，使得金属离子将无法通过微孔通道，无法实现两个侧面上屏蔽层的导通。当金属屏蔽层的厚度小于0.5微米时，屏蔽效果较弱，不能很好的起到屏蔽的作用，同时，由于厚度太薄，容易被外界剐蹭和损坏，不利于电磁屏蔽材料的稳定可靠性。
由于本发明聚合物薄膜层的厚度很小，在沉积金属屏蔽层后，若干通孔的孔壁亦能很好地被金属屏蔽层覆盖，从而将聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层导通，使得垂直电阻小于0.1Ω，从而实现导电布的屏蔽功能。相较于导电布，本发明的电磁屏蔽材料无需电镀或化学镀，工艺简单，环保，成本低。
可以理解的，还可以在聚合物薄膜层的每个表面镀覆多层金属屏蔽层，比如2-6层，优选为2-3层。镀覆于聚合物薄膜层同一表面的不同层金属屏蔽层的材质可以相同也可以不同，不同层金属屏蔽层的厚度可以相同也可以不同；镀覆于聚合物薄膜层不同表面的金属屏蔽层的材质可以相同也可以不同，镀覆于不同表面的金属屏蔽层的厚度可以相同也可以不同；镀覆于不同表面的金属屏蔽层的层数可以相同也可以不同。上述均可依据产品的实际需求选择。
可以理解的，在真空镀膜结束后，还可以对金属屏蔽层进行后处理。所述后处理包括使用过氧保护剂对金属屏蔽层进行防氧化处理，以增强电磁屏蔽材料的抗氧化性。
值得说明的是，在一些实施例中，为了节约材质的制造成本，在粗化后的表面上形成至少一可焊接金属层的具体步骤包括：
对粗化后的表面进行真空电镀，真空电镀的金属层的厚度大于或者等于0.1微米，且小于或者等于1微米；
对真空电镀后的材料进行水电镀，水电镀的金属层的厚度大于或者等于1微米，且小于或者等于10微米。
具体地，本实施例中，主要目的在于使得聚合物薄膜层双面导通、具有焊接性的同时，通过组合镀来实现成本的降低。在聚合物薄膜层上镀不同金属和不同厚度，可以提高材料的屏蔽性能，可以镀耐酸碱金属，可以过盐雾试验。可以在聚合物表面镀导电性好的金属提高到电性。聚合物薄膜层的表面，无法直接通过常规的电镀方式进行镀层处理，所以，首先在聚合物薄膜层的表面上进行真空电镀，真空电镀的最小厚度范围为大于0且小于或者等于0.1微米(0-0.1um)，最大值为1微米。在聚合物薄膜层的表面进行真空电镀后，可以进行常规电镀方式，常规电镀的最小厚度范围为0.1～1微米，常规电镀的最大厚度值为10微米。如此，先通过真空电镀(薄的镀层)使得聚合物薄膜层具有常规电镀的能力，在通过常规的电镀方式对镀层加厚，如此，既可以满足镀层的厚度要求，又可以通过组合镀的方式，大幅的降低材料的生产成本，有利于基于铝箔的可焊接材料的生产制造和推广使用。
参见图5，聚合物薄膜层700的相对两侧面，先通过真空镀的方式形成相对设置的真空镀金属层710，再在真空镀金属层710的外侧进行传统的普通电镀，形成水电镀金属层720。其中，聚合物薄膜层700的厚度以4微米为例，真空镀金属层710的厚度以0.01～0.1微米为例，水电镀的厚度以3～4微米为例。如此，可以通过先进行真空镀使得材料可以进行传统的电镀方式，大幅的降低了材料的制造成本。
参见图6和图7，关于金属屏蔽层的层数和材质，不同的金属屏蔽层，可以得到不同物理属性的电磁屏蔽材料。下面举几个例子进行说明，所述金属屏蔽层包括第一金属层610和第二金属层620，第一金属层610覆盖在聚合物薄膜层600的表面，第二金属层620位于第一金属层610背对聚合物薄膜层600的一侧；第一金属层610由铜材质或者铜合金材质制成，第二金属层620由镍材质制成。聚合物薄膜层600无法直接进行焊接，通过真空镀上由铜或者铜合金材质制成的第一金属层610后，在使得材料具有可焊接性之外，还提高了材料的导电性(铜和铜合金的电阻率低于铝的电阻率)和强度(在厚度和宽度等尺寸相同的情况下，铜的强度高于铝的强度)。通过在第一金属层610的外侧设置由镍材质制成的第二金属层620，以保护第一金属层610和聚合物薄膜层600不被氧化。也即，通过同时设置第一金属层610和第二金属层620后，不仅仅使得电磁屏蔽材料具有可焊接性，还大幅提高了材料的导电性、强度和抗氧化能力。
在一些实施例中，为了进一步的提高可焊接性，所述金属屏蔽层还包括第三金属层630，所述第三金属层630位于第一金属层610和第二金属层620之间，所述第三金属层630由锡材质制成。通过在第一金属层610和第二金属层620之间设置由锡材质制成的第三金属层630，由于锡材质的高焊接性，大幅的提高材料进行焊接的便捷性和焊接后的可靠性。
以下通过具体的实施例对本发明电磁屏蔽材料的制作方法进行说明。
实施例一
提供一聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度为1.5微米，材质为聚对苯二甲酸乙二酯。
对该聚合物薄膜层进行烘烤，烘烤温度为45摄氏度，烘烤时间为24小时。
对经烘烤处理的聚合物薄膜层进行激光打孔，使聚合物薄膜层形成若干通孔，若干通孔的孔径为0.1微米，孔距为0.1微米，若干通孔的形状为圆形。
对打孔后的聚合物薄膜层的两个表面进行电晕处理，电晕处理时间为1秒钟。电晕处理后该两个表面的达因值为56。
在电晕处理后的聚合物薄膜层的两个表面及若干通孔的孔壁分别溅射一层金属屏蔽层，以铜为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为15m/min，镀膜电流为6A，镀膜电压为350V。聚合物薄膜层的两个表面形成的金属屏蔽层的厚度为0.6微米。
使用过氧保护剂对所述金属屏蔽进行防氧化处理。
实施例二
提供一聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度为6微米，材质为聚碳酸酯。
对该聚合物薄膜层进行烘烤，烘烤温度为80摄氏度，烘烤时间为1小时。
对经烘烤处理的聚合物薄膜层进行激光打孔，使聚合物薄膜层形成若干通孔，若干通孔的孔径为100微米，孔距为100微米。若干通孔的形状为三角形。
对打孔后的聚合物薄膜层的两个表面进行电晕处理，电晕处理时间分别为10秒钟。电晕处理后该两个表面的达因值为54。
在经电晕处理后的聚合物薄膜层的两个表面及若干通孔的孔壁分别溅射第一层金属屏蔽层，以锌为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.02Pa，连续卷绕式镀速为30m/min，镀膜电流为30A，镀膜电压为680V。聚合物薄膜层的两个表面形成的第一层金属屏蔽层的厚度为1微米。
在两个第一层金属屏蔽层的表面及若干通孔的孔壁分别溅射第二层金属屏蔽层，以铜为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.02Pa，连续卷绕式镀速为0.01m/min，镀膜电流为10A，镀膜电压为500V。形成于聚合物薄膜层两个表面的第二层金属屏蔽层的厚度为0.3微米。
实施例三
提供一聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度为2微米，材质为聚丙烯。
对聚合物薄膜层进行激光打孔，使聚合物薄膜层形成若干通孔，若干通孔的孔径为10微米，孔距为10微米，若干通孔的形状为四边形。
对聚合物薄膜层的两个表面进行电晕处理，电晕处理时间分别为5秒钟。电晕处理后该两个表面的达因值分别为40。
在经电晕处理后的聚合物薄膜层的两个表面及若干通孔的孔壁分别溅射一层金属屏蔽层，以钛为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为295m/min，镀膜电流为30A，镀膜电压为700V。形成于聚合物薄膜层两个表面的每一层金属屏蔽层的厚度为0.5微米；或其中一层金属屏蔽层的厚度为1微米，另一层金属屏蔽层的厚度为0.5微米。
实施例四
提供一聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度为3.8微米，材质为聚丁烯。
对该聚合物薄膜层进行烘烤，烘烤温度为60摄氏度，烘烤时间为20小时。
对经烘烤处理的聚合物薄膜层进行激光打孔，使聚合物薄膜层形成若干通孔，若干通孔的孔径为60微米，孔距为60微米，若干通孔的形状为圆形。
对聚合物薄膜层的两个表面进行离子束处理，在0.3Pa的压力下进行，处理时间为10分钟。离子束处理后该两个表面的达因值为53。
在经离子束处理后的聚合物薄膜层的两个表面及若干通孔的孔壁分别真空蒸镀第一层金属屏蔽层，以锡为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.3Pa，连续卷绕式镀速为15m/min，镀膜电流为25A，镀膜电压为350V。形成于聚合物薄膜层两个表面的第一层金属屏蔽层的厚度为2.3微米。
在两个第一层金属屏蔽层的表面分别真空蒸镀第二层金属屏蔽层，以铜为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为15m/min，镀膜电流为22A，镀膜电压为650V。形成于聚合物薄膜层两个表面的第二层金属屏蔽层的厚度为1.3微米。
在两个第二层金属屏蔽层的表面分别真空蒸镀第三层金属屏蔽层，以铜镍合金为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为0.5m/min，镀膜电流为4A，镀膜电压为380V。形成于聚合物薄膜层两个表面的第三层金属屏蔽层的厚度为1微米。
实施例五
提供一聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度为1.5微米，材质为聚酰亚胺。
对聚合物薄膜层进行激光打孔，使聚合物薄膜层形成若干通孔，若干通孔的孔径为3微米，孔距为3微米，若干通孔的形状为圆形。
对聚合物薄膜层的两个表面进行等离子体处理，在0.2Pa条件下轰击1min，等离子体处理后该两个表面的达因值为65。
在聚合物薄膜层的两个表面及若干通孔的孔壁分别溅镀第一层金属屏蔽层，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：
第一层金属屏蔽层，以镍为靶材，真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为1.2m/min，镀膜电流为16A，镀膜电压为480V。所得第一层金属屏蔽层的厚度为0.6微米；
在其中一第一金属屏蔽层的表面依次溅镀五层金属屏蔽层，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件分别为：
第二层金属屏蔽层，以铜为靶材，真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为0.3m/min，镀膜电流为1A，镀膜电压为300V。所得第二层金属屏蔽层的厚度为0.3微米；
第三层金属屏蔽层，以银为靶材，真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为3m/min，镀膜电流为25A，镀膜电压为480V。所得第三层金属屏蔽层的厚度为0.1微米；；
第四层金属屏蔽层，以锡为靶材，真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为6m/min，镀膜电流为2A，镀膜电压为680V。所得第四层金属屏蔽层的厚度为0.2微米；
第五层金属屏蔽层，以铟锡合金为靶材，真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为2m/min，镀膜电流为22A，镀膜电压为420V。所得第五层金属屏蔽层的厚度为0.2微米；
第六层金属屏蔽层，以铜镍合金为靶材，真空度0.2Pa，连续卷绕式镀速为10m/min，镀膜电流为1A，镀膜电压为380V。所得第六层金属屏蔽层的厚度为0.1微米。
本发明还提出一种由所述电磁屏蔽材料的制作方法制得的电磁屏蔽材料100。
请参照图1，该电磁屏蔽材料100包括聚合物薄膜层10，该聚合物薄膜层10形成有若干通孔101。若干通孔的孔径范围为0.1微米-100微米，优选为0.1微米-3微米；若干通孔的孔距范围为0.1微米-100微米，优选为0.1微米-10微米。聚合物薄膜层10的两个表面分别形成有金属屏蔽层12、14，若干通孔101的孔壁形成有金属屏蔽层103。
当然，可以理解的是，参照图4，在一些实施例中，为了进一步的提高屏蔽材料的导电性，可以在通孔内填充导电屏蔽材料105，如此，有利于提高导电的可靠性。当然，在一些实施例中，为了提高屏蔽材料的可焊接性，可以在通孔内填充可焊接材料105，如此，在一些位置，增加可焊接的位置，有利于提高屏蔽材料的可焊接性和焊接后的可靠性。
双面导通的聚合物薄膜层10的材质可为双面导通的聚合物薄膜层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯以及聚丙烯中的一种或者多种制成。可以理解的，以上仅为列举，该聚合物薄膜层10的材质还可以是其他类别的高分子聚合物。
所述聚合物薄膜层10的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米，该厚度相较于现有技术的聚合物薄膜层的厚度最大下降了75％，可极大地提升电磁屏蔽材料的柔性，同时大大降低了材料成本。
该聚合物薄膜层10的两个表面经粗化处理，其表面的达因值位于44至70这个范围区间。被粗化后的聚合物薄膜层10的表面能被提升，进而在气相沉积金属屏蔽层12、14时更容易接受沉积的金属，实现较佳的镀覆效果，从而克服了现有技术中因降低聚合物薄膜的厚度而导致金属层镀覆不佳的现象，比如聚合物薄膜在镀覆过程中发生卷积，金属屏蔽层无法均匀镀覆至聚合物薄膜等现象。
又由于本发明聚合物薄膜层10的厚度很小，镀覆时若干通孔101的孔壁亦能很好地被镀覆，形成金属屏蔽层103，并将聚合物薄膜层10两个表面的金属屏蔽层12、14导通，使得垂直电阻小于0.1Ω，从而实现导电布的屏蔽功能。因此，本发明通过在聚合物薄膜层10的表面进行真空镀膜形成金属屏蔽层的方式即可得到具有导电布屏蔽功能的电磁屏蔽材料，相较于导电布，本发明的电磁屏蔽材料无需电镀或化学镀，其工艺简单，环保，成本低。
所述金属屏蔽层12、14、103是由铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的任意一种金属形成的金属层，或者任意两种和两种以上的金属形成的合金层。可以理解的，以上仅为列举，该金属材质还可以是其他能导电的金属或合金。该金属屏蔽层12、14的厚度大于或者等于0.5微米且小于或者等于1.5微米，该金属屏蔽层103的厚度大于或者等于0.6微米，且小于或者等于1微米。优选地，金属屏蔽层12、14、103的厚度大于或者等于0.6微米且小于或者等于1.5微米。可以理解的，金属屏蔽层12、14的厚度还可以根据产品的实际需求选择。金属屏蔽层12和金属屏蔽层14的材质可以相同，也可以不同；金属屏蔽层12和金属屏蔽层14的厚度可以相同，也可以不同。金属屏蔽层103在沉积金属屏蔽层12和14的过程中形成。
可以理解的，聚合物薄膜层10两个表面的金属屏蔽层的层数还可以是一层以上的多层，比如2-6层，优选为2-3层。图2示出了聚合物薄膜层其中一表面的金属屏蔽层为3层的电磁屏蔽材料200，该电磁屏蔽材料200包括聚合物薄膜层20，在聚合物薄膜层20的一表面上依次形成有第一金属屏蔽层22、第二金属屏蔽层24、及第三金属屏蔽层26，在聚合物薄膜层20的另一表面上形成有第四金属屏蔽层28。第一金属屏蔽层22，第二金属屏蔽层24，第三金属屏蔽层26，及第四金属屏蔽层28的材质及厚度可参照金属屏蔽层12或14的材质及厚度。第一金属屏蔽层22，第二金属屏蔽层24，第三金属屏蔽层26、及第四金属屏蔽层28的材质可以相同，也可以不同；第一金属屏蔽层22，第二金属屏蔽层24，第三金属屏蔽层26，及第四金属屏蔽层28的厚度可以相同，也可以不同。聚合物薄膜层20形成有若干通孔201，若干通孔201的孔径范围为0.1微米-100微米，优选为0.1微米-3微米；若干通孔201的孔距范围为0.1微米-100微米，优选为0.1-10微米。若干通孔201的孔壁沉积有金属屏蔽层203，该金属屏蔽层203在沉积第一、第二、第三、及第四金属屏蔽层时形成。聚合物薄膜层20与第一金属屏蔽层22及第四金属屏蔽层28直接接触的表面为粗化表面。
可以理解的，在第四金属层28的表面还可以再沉积一层或多层金属屏蔽层，可依据产品的实际需求选择。
图3示出了聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层分别为2层的电磁屏蔽材料300，该电磁屏蔽材料300包括聚合物薄膜层30，在聚合物薄膜层20的一表面上依次形成有第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34，在聚合物薄膜层30的另一表面上依次形成有第七金属屏蔽层36、第八金属屏蔽层38。第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34、第七金属屏蔽层36、及第八金属屏蔽层38的材质及厚度可参照金属屏蔽层12或14的材质及厚度。第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34、第七金属屏蔽层36、及第八金属屏蔽层38的材质可以相同，也可以不同；第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34、第七金属屏蔽层36、及第八金属屏蔽层38的厚度可以相同，也可以不同。聚合物薄膜层30形成有若干通孔301，若干通孔301的孔径范围为0.1微米-100微米，优选为0.1微米-3微米；若干通孔301的孔距范围为0.1微米-100微米，优选为0.1-10微米。若干通孔301的孔壁沉积有金属屏蔽层303，该金属屏蔽层303在沉积第五、第六、第七、及第八金属屏蔽层时形成。聚合物薄膜层30与第五金属屏蔽层32及第七金属屏蔽层36直接接触的表面为粗化表面。
可以理解的，在第六金属屏蔽层36及第八金属屏蔽层38的表面还可以再沉积一层或多层金属屏蔽层，可依据产品的实际需求选择。
本发明还提供一种电子产品(未图示)，其包括电子产品本体，电子产品本体上覆盖有如上所述的电磁屏蔽材料。所述电子产品可为电脑、手机、电线、电缆等。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，包括：
提供一双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于0 .8微米小于或者等于12微米；
对聚合物薄膜层进行粗化处理，使聚合物薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；
在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通；
所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0 .5微米，且小于或等于1 .5微米；
双面导通的聚合物薄膜层具有供电离子通过的微孔通道，所述微孔通道的孔径为0.001微米至0 .01微米，相邻微孔通道的距离范围为0 .001微米至0 .01微米；
双面导通的聚合物薄膜层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯以及聚丙烯中的一种或者多种制成；
所述金属屏蔽层以真空镀膜的方式形成，所述金属屏蔽层是由铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的任意一种金属形成的金属层，或者任意两种和两种以上的金属形成的合金层；
所述金属屏蔽层以溅射的方式形成，其工艺条件为真空度0 .01Pa-0 .5Pa，连续卷绕式镀速为0 .01-300米/分钟，电流为1A-50A，电压为200V-700V；
在粗化后的表面上形成至少一可焊接金属层的具体步骤包括：
对粗化后的表面进行真空电镀，真空电镀的金属层的厚度大于或者等于0 .1微米，且小于或者等于1微米；
对真空电镀后的材料进行水电镀，水电镀的金属层的厚度大于或者等于1微米，且小于或者等于10微米；
对聚合物薄膜层进行粗化处理前，对聚合物薄膜层进行打孔处理，使聚合物薄膜层形成若干通孔；
在真空镀膜结束后，对金属屏蔽层进行后处理，所述后处理包括使用过氧保护剂对金属屏蔽层进行防氧化处理。
2.一种由权利要求1中所述的方法制得的电磁屏蔽材料。
3.如权利要求2所述的电磁屏蔽材料，其特征在于，形成于聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层的层数为1-3层，不同层金属屏蔽层的厚度相同或不相同，不同层金属屏蔽层的材质相同或不相同。
4.一种电子产品，包括电子产品本体，其特征在于，所述电子产品本体被安装有如权利要求2-3任意一项所述的电磁屏蔽材料。
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