CN211980638U

CN211980638U - 一种发光器件

Info

Publication number: CN211980638U
Application number: CN202020586392.5U
Authority: CN
Inventors: 万垂铭; 徐波; 蓝义安; 朱文敏; 林仕强; 曾照明; 肖国伟
Original assignee: APT Electronics Co Ltd
Current assignee: APT Electronics Co Ltd
Priority date: 2020-04-17
Filing date: 2020-04-17
Publication date: 2020-11-20
Anticipated expiration: 2030-04-17

Abstract

本实用新型涉及LED技术领域，具体公开一种发光器件，包括小方杯发光器件的支架，支架包括：第一金属层、第二金属层、绝缘层、反光层、LED芯片、齐纳二极管、若干导线；第一金属层的上表面设置有芯片放置银层，第二金属层的上表面设置有连接银层，芯片放置银层向外延伸有第一焊线区；齐纳二极管通过导线与第一焊线区导电连接。本实用新型利用小方杯发光器件的支架的优点，在小方杯发光器件的支架的基础上设置第一焊线区，使得在齐纳二极管焊线的过程中，瓷嘴仅接触到第一焊线区，不触碰到LED芯片、绝缘层和反光层，进而保证齐纳二极管可安装在小方杯发光器件的支架上，使得本实用新型同时具备大方杯发光器件和小方杯发光器件的优点。

Description

一种发光器件

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，特别涉及一种发光器件。

背景技术

如图1，现有发光器件的支架包括第一金属层、第二金属层、绝缘层、反光层、LED(Light Emitting Diode，发光二极管，简称LED)芯片、导线等，绝缘层将第一金属层和第二金属层隔离，LED芯片安装在第一金属层上，并通过导线分别和第一金属层上的芯片放置银层、第二金属层上的连接银层连接。现有技术中，由于芯片放置银层、连接银层的面积大，且因银层面吸收光、易硫化等特点，使得大方杯发光器件存在制造成本高、导电性能差、发光效率低等技术问题。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种发光器件，该发光器件具有银层面积小、发光效果高的优点。

为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种发光器件，包括：第一金属层、第二金属层、绝缘层、反光层、LED芯片、齐纳二极管、若干导线；

所述绝缘层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间；

所述第一金属层的上表面设置有芯片放置银层，所述第二金属层的上表面设置有连接银层；所述芯片放置银层的大小与所述LED芯片的大小相适应，所述连接银层的大小与所述齐纳二极管的大小相适应；所述芯片放置银层向外延伸有第一焊线区，所述连接银层向外延伸有第二焊线区；

所述LED芯片设置在所述芯片放置银层上，所述齐纳二极管设置在所述连接银层上，所述LED芯片通过所述导线分别与所述第一焊线区、第二焊线区导电连接，所述齐纳二极管通过所述导线与所述第一焊线区导电连接；

所述反光层设置在所述第一金属层和所述第二金属层上，且所述芯片放置银层、连接银层位于所述反光层围成的反光杯内。

作为优选，所述第一焊线区包括第一焊线分区，所述第一焊线分区设置在所述芯片放置银层的靠近所述绝缘层的一端；所述齐纳二极管与所述第一焊线分区导电连接。

作为优选，所述第一焊线分区的形状与瓷嘴的形状相适应。

作为优选，所述连接银层上设置有高反射胶层，所述齐纳二极管覆盖在所述高反射胶层下。

作为优选，所述绝缘层突出于所述芯片放置银层的一端呈圆弧形。

作为优选，所述绝缘层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的缝隙内的部分呈倒T形。

作为优选，所述绝缘层为树脂层。

作为优选，所述第一金属层的下表面设置有第一金属焊接层，所述第二金属层的下表面设置有第二金属焊接层。

本实用新型另一方面还提供如上所述的发光器件的制作方法，包括如下步骤：

采用冲压工艺形成所述第一金属层和所述第二金属层；

采用选镀工艺在所述第一金属层上形成所述芯片放置银层、在所述第二金属层上形成所述连接银层，所述芯片放置银层上设置有所述第一焊线区，所述连接银层上设置有所述第二焊线区；

采用模内注塑工艺在所述支架上制作所述反光层和所述绝缘层；将所述LED芯片和齐纳二极管固定于所述反光杯的杯底并进行打线；

向所述反光杯内注入封装胶并进行加热固化。

与现有技术相比，本实用新型具有的有益效果是：

本实用新型将芯片放置银层的面积设置成与LED芯片的大小相适应、将连接银层的面积设置成与齐纳二极管的大小相适应，再通过设置第一焊线区、第二焊线区，以预留导线与芯片放置银层、连接银层的连接区域，进而减小发光器件内的银层面积，增强发光器件的导电性能和发光效率，同时降低发光器件的制造成本。

附图说明

现结合附图与具体实施例对本实用新型作进一步说明：

图1是现有发光器件的俯视图；

图2是本实用新型发光器件的俯视图；

图3是本实用新型的剖视图；

图4是本实用新型的另一剖视图。

图中：

1、第一金属层，11、芯片放置银层，12、第一金属焊接层，13、第一焊线区，131、第一焊线分区，

2、第二金属层，21、连接银层，22、第二金属焊接层，23、第二焊线区；

3、绝缘层，4、反光层，5、LED芯片，6、齐纳二极管，7、导线，8、高反射胶，9、封装胶。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例一

如图2～4所示，本实施例公开一种发光器件，包括小方杯发光器件的支架，所述支架包括：第一金属层1、第二金属层2、绝缘层3、反光层4、LED芯片5、齐纳二极管6、若干导线7；所述绝缘层3设置在所述第一金属层1与所述第二金属层2之间；所述第一金属层1的上表面设置有芯片放置银层11，所述第二金属层2的上表面设置有连接银层21，所述芯片放置银层11的大小与所述LED芯片5的大小相适应，所述连接银层21的大小与所述齐纳二极管6的大小相适应；所述芯片放置银层11向外延伸有第一焊线区13，所述连接银层21向外延伸有第二焊线区23；所述LED芯片5设置在所述芯片放置银层11上，所述齐纳二极管6设置在所述连接银层21上，所述LED芯片5通过所述导线7分别与所述第一焊线区13、第二焊线区23导电连接，所述齐纳二极管6通过所述导线7与所述第一焊线区13导电连接；所述反光层4设置在所述第一金属层1和所述第二金属层2上，且所述芯片放置银层11、连接银层21位于所述反光层4围成的反光杯内。

与现有技术相比，本实施例将芯片放置银层11的面积设置成与LED芯片5的大小相适应、将连接银层21的面积设置成与齐纳二极管6的大小相适应，再通过设置第一焊线区13、第二焊线区23，以预留导线7与芯片放置银层11、连接银层21的连接区域，进而减小发光器件内的银层面积，增强发光器件的导电性能和发光效率，同时降低发光器件的制造成本。

一般的，发光器的芯片放置银层11的银层面积为2.21cm²，连接银层21的银层面积为0.935cm²；与现有技术相比，本实施例的芯片放置银层11的银层面积可减小至1.207cm²，连接银层21的银层面积可减小至0.264cm²，换言之，本实施例的总的银层面积现有的发光器件的减小了1.138倍。由于银层面积减小，封装亮度提升，与大方杯发光器件相比，本实施例的发光器件的封装光效提升5.3％。

本实施例中，所述第一焊线区13包括第一焊线分区131，所述第一焊线分区131设置在所述芯片放置银层11的靠近所述绝缘层3的一端；所述齐纳二极管6与所述第一焊线分区131导电连接。

具体的，用于连接LED芯片5和芯片放置银层11的导线7，其一端连接在LED芯片5上，另一端连接在第一焊线区13上；用于连接LED芯片5和连接银层21的导线7，其一端连接在LED芯片5上，另一端连接在第二焊线区23上；用于连接齐纳二极管6和芯片放置银层11的导线7，其一端连接在齐纳二极管6上，另一端连接在第一焊线分区131上。

本实施例中，所述第一焊线分区131的形状与瓷嘴的形状相适应。更进一步的，第一焊线区13和第二焊线区23包括若干个焊线分区，与导线7的一端的连接的各个焊线分区均与瓷嘴的形状相适应，进而最大化的缩小芯片放置银层11和连接银层21的面积小，提高本实施例的发光器件的发光性能。

本实施例中，所述连接银层21上设置有高反射胶8层，所述齐纳二极管6、用于连接所述齐纳二极管6与所述第一焊线区13的所述导线7的一端覆盖在所述高反射胶8层下，即在连接银层21填充高反射胶8，覆盖齐纳二极管6和部分导线7，进而可减少齐纳二极管6和导线7的吸光并可以将反光碗杯内的光线进行反射，提升发光器件的发光效率。

本实施例中，所述第一焊线分区131设置在所述芯片放置银层11的靠近所述绝缘层3的一端，进而减少导线7的长度，以减少导线7的吸光；各焊线分区的形状与瓷嘴的形状相适应，保证能顺利焊线的同时，芯片放置银层11和连接银层21的面积最小化。

进一步的，所述绝缘层3的顶端高于所述芯片放置银层11和所述连接银层21，不高于所述LED芯片5的上表面；所述第一焊线分区在发光器件俯视角度上与所述绝缘层3、所述连接银层21可以形成半圆形成、三角形、四边形或其他不规则形状。

本实施例中，所述绝缘层3突出于所述芯片放置银层11的一端呈圆弧形；所述绝缘层3位于所述第一金属层1与所述第二金属层2之间(即所述芯片放置银层11和所述连接银层21之间)的缝隙内的部分呈倒T形。

本实施例中，所述绝缘层3为树脂层；所述反光碗杯内填设有封装胶9；所述第一金属层1的下表面设置有第一金属焊接层12，所述第二金属层2的下表面设置有第二金属焊接层22。

实施例二

本实施例公开实施例一所述的发光器件的制作方法，包括如下步骤：

S1：采用冲压工艺形成所述第一金属层1和所述第二金属层2；

S2：采用选镀工艺在所述第一金属层1上形成所述芯片放置银层11、在所述第二金属层2上形成所述连接银层21，所述芯片放置银层11上设置有所述第一焊线区13，所述连接银层21上设置有所述第二焊线区23；

S3：采用模内注塑工艺在所述支架上制作所述反光层4和所述绝缘层3；将所述LED芯片5和齐纳二极管6固定于所述反光杯的杯底并进行打线；

S4：向所述反光杯内注入封装胶9并进行加热固化。

换言之：本实施例适用于具有芯片放置银层11和连接银层21的支架，其中，所述芯片放置银层11设置于所述第一金属层1的上表面，所述连接银层21设置于所述第二金属层2的上表面，其制作方法包括如下步骤：

采用冲压工艺形成所述第一金属层1和所述第二金属层2；

采用选镀工艺在所述第一金属层1上形成芯片放置银层11和第一焊金属接层、在所述第二金属层2上形成连接银层21和第二焊金属接层；

采用模内注塑工艺在所述支架上制作反光层4以形成反光碗杯和绝缘层3；将LED芯片5和齐纳二极管6固定于所述反光碗杯的底部并进行打线；

向所述反光碗杯内注入封装胶9并进行加热固化。

采用选镀工艺在所述第一金属层1上形成芯片放置银层11和第一焊金属接层、在所述第二金属层2上表面形成连接银层21和第二焊金属接层，包括如下步骤：

所述第一金属层1的上表面选镀形成芯片放置银层11，所述芯片放置银层11靠近所述绝缘层3的一端设置有第一焊线分区131；所述第二金属层2的上表面选镀形成连接银层21；

所述第一焊线分区131在发光器件俯视角度上与所述绝缘层3、所述连接银层21可以形成半圆形成、三角形、四边形或其他不规则形状；

采用模内注塑工艺在所述支架上制作反光层4以形成反光碗杯和绝缘层3，包括如下步骤：

所述绝缘层3注塑形成倒T形，所述绝缘层3呈倒T形，所述倒T形的顶端高于所述芯片放置银层11和所述连接银层21，且所述倒T形的顶端不高于所述至少一个LED芯片5的上表面。

本实用新型并不局限于上述实施方式，如果对本实用新型的各种改动或变型不脱离本实用新型的精神和范围，倘若这些改动和变型属于本实用新型的权利要求和等同技术范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变动。

Claims

1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一金属层、第二金属层、绝缘层、反光层、LED芯片、齐纳二极管、若干导线；

所述绝缘层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间；

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一焊线区包括第一焊线分区，所述第一焊线分区设置在所述芯片放置银层的靠近所述绝缘层的一端；所述齐纳二极管与所述第一焊线分区导电连接。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一焊线分区的形状与瓷嘴的形状相适应。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述连接银层上设置有高反射胶层，所述齐纳二极管覆盖在所述高反射胶层下。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层突出于所述芯片放置银层的一端呈圆弧形。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的缝隙内的部分呈倒T形。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层为树脂层。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一金属层的下表面设置有第一金属焊接层，所述第二金属层的下表面设置有第二金属焊接层。