CN211880300U - 一种功率因数校正电路 - Google Patents

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宋海斌
周健
傅琦
许道飞
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Abstract

一种功率因数校正电路，具有第一和第二交流端；第一和第二直流端；第一桥臂，包括第一和第二开关，其间的第一节点通过第一电感耦接至第一交流端；第二桥臂，包括第三和第四开关，其间的第二节点耦接至第二交流端；第一和第二桥臂并联连接于第一和第二直流端之间；第二电感，连接第一交流端和第一电感；第一电容及/或第二电容，第一电容一端连接第二与第一电感之间的第三节点，另一端连接第一直流端；第二电容一端连接第三节点，另一端连接第二直流端；第三电容及/或第四电容，第三电容相应于第二电容的设置而并联于第三开关两端，且第三与第二电容的容值相同；第四电容相应于第一电容的设置而并联于第四开关两端，且第四与第一电容的容值相同。

Description

一种功率因数校正电路
技术领域
本实用新型涉及功率因素校正电路。
背景技术
随着开关电源小型化的发展，对开关电源的效率要求也日益得到重视。传统的升压型功率因数校正电路(Boost PFC)，其桥臂开关损耗较大，其损耗占到开关电源整体损耗的20％以上，因此如何降低整流桥部分的损耗是提升开关电源效率的关键点之一。图腾柱升压型功率因数校正电路(Totem-pole Boost PFC)因为大大降低了整流桥部分的损耗，因此应用范围越来越广。
但是现有的图腾柱升压型功率因数校正电路的滤波电路一般设置在交流输入端，一般采用安规电容，体积较大。另外有做法将滤波电路设置在直流侧，但是该做法在电路空载或者轻载不工作时会发生输出电容上的电压远远超过正常工作时的电容电压，由此容易导致输出电容发生爆裂。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种新型的功率因数校正电路，可以解决现有技术缺陷之一。
为了实现上述目的，本实用新型提供一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特点在于，还包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关的之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；
第二电感，一端连接所述第一交流端，一端连接所述第一电感；以及
第一电容及/或第二电容，所述第一电容的一端连接所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点，另一端连接所述第一直流端；所述第二电容的一端连接所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点，另一端连接所述第二直流端；
第三电容及/或第四电容，所述第三电容相应于所述第二电容的设置而并联于所述第三开关的两端，且所述第三电容的容值与所述第二电容的容值相同；所述第四电容相应于所述第一电容的设置而并联于所述第四开关的两端，且所述第四电容的容值与所述第一电容的容值相同。
在本实用新型的一实施例中，所述功率因数校正电路还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
在本实用新型的一实施例中，所述功率因数校正电路还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
在本实用新型的一实施例中，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
在本实用新型的一实施例中，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
为了实现上述目的，本实用新型另提供一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特点在于，包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；
第二电感，一端连接所述第一交流端，一端连接所述第一电感；
第一开关元件和第一电容，所述第一开关元件与所述第一电容串联连接并电性连接于所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点和所述第一直流端之间；及/或
第二开关元件和第二电容，所述第二开关元件与所述第二电容串联连接并电性连接于所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点和所述第二直流端之间；
其中，所述第一开关元件及/或所述第二开关元件在轻载或空载时被断开。
在本实用新型的另一实施例中，所述功率因数校正电路还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
在本实用新型的另一实施例中，所述功率因数校正电路还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
在本实用新型的另一实施例中，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
在本实用新型的另一实施例中，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
为了实现上述目的，本实用新型又提供一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特点在于，还包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关的之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；以及
第二电感，所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端连接，并且连接于所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点；其中，所述第一电感和所述第二电感为耦合电感，并且所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端为同名端；
第一电容及/或第二电容，所述第一电容的一端连接所述第二电感的第二端，另一端连接所述第一直流端；所述第二电容的一端连接所述第二电感的第二端，另一端连接所述第二直流端；
第三电容及/或第四电容，所述第三电容相应于所述第二电容的设置而并联于所述第三开关的两端，且所述第三电容的容值与所述第二电容的容值相同；所述第四电容相应于所述第一电容的设置而并联于所述第四开关的两端，且所述第四电容的容值与所述第一电容的容值相同。
在本实用新型的又一实施例中，所述功率因数校正电路还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
在本实用新型的又一实施例中，所述功率因数校正电路还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
在本实用新型的又一实施例中，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
在本实用新型的又一实施例中，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
为了实现上述目的，本实用新型再提供一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特点在于，包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；
第二电感，所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端连接，并且连接于所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点；其中，所述第一电感和所述第二电感为耦合电感，并且所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端为同名端；
第一开关元件和第一电容，所述第一开关元件与所述第一电容串联连接并电性连接于所述第二电感的第二端和所述第一直流端之间；及/或
第二开关元件和第二电容，所述第二开关元件与所述第二电容串联连接并电性连接于所述第二电感的第二端和所述第二直流端之间；
其中，所述第一开关元件及/或所述第二开关元件在轻载或空载时被断开。
在本实用新型的再一实施例中，所述功率因数校正电路还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
在本实用新型的再一实施例中，所述功率因数校正电路还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
在本实用新型的再一实施例中，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
在本实用新型的再一实施例中，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
本实用新型的功率因数校正电路通过使桥臂的对角电容的容值保持相同，或者通过电容串联开关元件并在空载或轻载时使开关元件断开，从而可有效避免空载时输出电容的电压升高超过交流输入端的交流电压峰值。
本实用新型适用于图腾柱功率因数校正电路，有利于减小滤波器的体积，同时避免空载时输出电压倍压升高。
本实用新型的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本实用新型的实践而习得。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本实用新型的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本实用新型的第一较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图2是本实用新型的第二较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图3是本实用新型的第三较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图4是本实用新型的第四较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图5是本实用新型的第五较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图6是本实用新型的第六较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图7是本实用新型的第七较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图8是本实用新型的第八较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图9是本实用新型的第九较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图10是本实用新型的第十较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图11是本实用新型的第十一较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图12是本实用新型的第十二较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构示意图；
图13a是现有技术中的功率因数校正电路的输出电容电压波形示意图；
图13b是本实用新型的功率因数校正电路的输出电容电压波形示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时，用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。实施方式中可能使用相对性的用语，例如“上”或“下”以描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”侧的组件将会成为在“下”侧的组件。此外，权利要求书中的术语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数字限制。
如图1所示，示出了本实用新型的第一较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构。其中，所述功率因数校正电路具有接收交流电压的第一交流端AC1和第二交流端AC2，以及具有供应直流电压的第一直流端DC1和第二直流端DC2。所述功率因数校正电路还包括第一桥臂和第二桥臂。所述第一桥臂包括彼此串联的第一开关S1和第二开关S2，所述第一开关S1和所述第二开关S2之间的第一节点N1通过第一电感L1电性耦接至所述第一交流端AC1。所述第二桥臂包括彼此串联的第三开关S3和第四开关S4，所述第三开关S3和所述第四开关S4的之间的第二节点N2电性耦接至所述第二交流端AC2，并且所述第一桥臂和所述第二桥臂是并联连接于所述第一直流端DC1以及第二直流端DC2之间。一第二电感L2一端连接所述第一交流端AC1，一端连接所述第一电感L1。
所述功率因数校正电路还包括第一电容C1及第二电容C2。所述第一电容C1的一端连接所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3，另一端连接所述第一直流端DC1。所述第二电容C2的一端连接所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3，另一端连接所述第二直流端DC2。
所述功率因数校正电路还包括第三电容C3及第四电容C4。所述第三电容C3是相应于所述第二电容C2的设置而并联于所述第三开关S3的两端，且所述第三电容C3的容值与所述第二电容C2的容值相同。所述第四电容C4相应于所述第一电容C1的设置而并联于所述第四开关S4的两端，且所述第四电容C4的容值与所述第一电容C1的容值相同。
在本实用新型中，所述功率因数校正电路还可包括串联连接的第一浪涌二极管D1和第二浪涌二极管D2。所述第一浪涌二极管D1的阴极是连接于所述第一直流端DC1，所述第二浪涌二极管D2的阳极连接所述第二直流端DC2，所述第一浪涌二极管D1的阳极与所述第二浪涌二极管D2的阴极连接至所述第一交流端AC1。
在本实用新型中，所述功率因数校正电路还可包括输出电容Cbus，电性连接于所述第一直流端DC1和所述第二直流端DC2之间。
在图1所示的实施例中，所述第三开关S3和所述第四开关S4例如可为二极管。当然，在其他实施例中，所述第一开关S1、所述第二开关S2、第三开关S3和第四开关S4也可为半导体开关器件，例如包括但不限于MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
如图2所示，示出了本实用新型的第二较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图1所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有第二电容C2以及相应于所述第二电容C2而设置的第三电容C3。其中，所述第二电容C2的一端是连接所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3，另一端连接所述第二直流端DC2。所述第三电容C3是相应于所述第二电容C2的设置而并联于所述第三开关S3的两端，且所述第三电容C3的容值与所述第二电容C2的容值相同。
如图3所示，示出了本实用新型的第三较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图1所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有第一电容C1以及相应于所述第一电容C1而设置的第四电容C4。其中，所述第一电容C1的一端连接所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3，另一端连接所述第一直流端DC1。所述第四电容C4相应于所述第一电容C1的设置而并联于所述第四开关S4的两端，且所述第四电容C4的容值与所述第一电容C1的容值相同。
如图4所示，示出了本实用新型的第四较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图1所示的实施例的差别在于：取消了第三电容C3及第四电容C4，改为采用开关元件与电容串联，并在空载或轻载时断开开关元件。更具体地说，所述功率因数校正电路包括有串联连接的第一开关元件SW1和第一电容C1，以及串联连接的第二开关元件SW2和第二电容C2。其中，所述第一开关元件SW1与所述第一电容C1是电性连接于所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3和所述第一直流端DC1之间，所述第二开关元件SW2与所述第二电容C2是电性连接于所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3和所述第二直流端DC2之间。其中，所述第一开关元件SW1及所述第二开关元件SW2是在轻载或空载时被断开。
如图5所示，示出了本实用新型的第五较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图4所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有串联连接的第二开关元件SW2和第二电容C2。所述第二开关元件SW2与所述第二电容C2是电性连接于所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3和所述第二直流端DC2之间。其中，所述第二开关元件SW2是在轻载或空载时被断开。
如图6所示，示出了本实用新型的第六较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图4所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有串联连接的第一开关元件SW1和第一电容C1。所述第一开关元件SW1与所述第一电容C1是电性连接于所述第二电感L2与所述第一电感L1之间的第三节点N3和所述第一直流端DC1之间。其中，所述第一开关元件SW1是在轻载或空载时被断开。
在一些实施例中，当负载小于额定负载的50％可以认为是轻载状态，本申请对此不做限制。在一些实施例中，轻载可以指负载小于额定负载的30％、20％，甚至5％等。
如图7所示，示出了本实用新型的第七较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图1所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路的第一桥臂的彼此串联的第一开关S1和第二开关S2之间的第一节点N1通过一第一电感L1电性耦接至第一交流端AC1，即第一电感L1的第一端连接第一节点N1，第二端连接第一交流端AC1；第二电感L2的第一端与第一电感L1的第一端连接，并且连接于所述第一开关S1和所述第二开关S2之间的第一节点N1；而第一电容C1的一端是连接所述第二电感L2的第二端N4，另一端连接所述第一直流端DC1；第二电容C2的一端是连接所述第二电感L2的第二端N4，另一端连接所述第二直流端DC2。在图7所示的实施例中，所述功率因数校正电路还包括第三电容C3及第四电容C4。所述第三电容C3是相应于所述第二电容C2的设置而并联于所述第三开关S3的两端，且所述第三电容C3的容值与所述第二电容C2的容值相同。所述第四电容C4相应于所述第一电容C1的设置而并联于所述第四开关S4的两端，且所述第四电容C4的容值与所述第一电容C1的容值相同。其中，所述第一电感L1和所述第二电感L2为耦合电感，并且第一电感L1的第一端和所述第二电感L2的第一端为同名端。
如图8所示，示出了本实用新型的第八较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图7所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有第二电容C2以及相应于所述第二电容C2而设置的第三电容C3。其中，第二电容C2的一端是连接所述第二电感L2的第二端N4，另一端连接所述第二直流端DC2。所述第三电容C3是相应于所述第二电容C2的设置而并联于所述第三开关S3的两端，且所述第三电容C3的容值与所述第二电容C2的容值相同。
如图9所示，示出了本实用新型的第九较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图7所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有第一电容C1以及相应于所述第一电容C1而设置的第四电容C4。其中，所述第一电容C1的一端是连接所述第二电感L2的第二端N4，另一端连接所述第一直流端DC1。所述第四电容C4相应于所述第一电容C1的设置而并联于所述第四开关S4的两端，且所述第四电容C4的容值与所述第一电容C1的容值相同。
如图10所示，示出了本实用新型的第十较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图7所示的实施例的差别在于：取消了第三电容C3及第四电容C4，改为采用开关元件与电容串联，并在空载或轻载时使开关元件断开。更具体地说，所述功率因数校正电路包括有串联连接的第一开关元件SW1和第一电容C1，以及串联连接的第二开关元件SW2和第二电容C2。其中，所述第一开关元件SW1与所述第一电容C1是电性连接于所述第二电感L2的第二端N4和所述第一直流端DC1之间，所述第二开关元件SW2与所述第二电容C2是电性连接于所述第二电感L2的第二端N4和所述第二直流端DC2之间。其中，所述第一开关元件SW1及所述第二开关元件SW2是在轻载或空载时被断开。
如图11所示，示出了本实用新型的第十一较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图10所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有串联连接的第二开关元件SW2和第二电容C2。所述第二开关元件SW2与所述第二电容C2是电性连接于所述第二电感L2的第二端N4和所述第二直流端DC2之间。其中，所述第二开关元件SW2是在轻载或空载时被断开。
如图12所示，示出了本实用新型的第十二较佳实施例的功率因数校正电路的电路结构，其与图10所示的实施例的差别在于：所述功率因数校正电路仅包括有串联连接的第一开关元件SW1和第一电容C1。所述第一开关元件SW1与所述第一电容C1是电性连接于所述第二电感L2的第二端N4和所述第一直流端DC1之间。其中，所述第一开关元件SW1是在轻载或空载时被断开。
同样的，当负载小于额定负载的50％可以认为是轻载状态，本申请对此不做限制。在一些实施例中，轻载也可以指负载小于额定负载的30％、20％，甚至5％等。在上述的实施例中，所述第三开关S3和所述第四开关S4例如可为二极管。当然，在其他实施例中，所述第一开关S1、所述第二开关S2、第三开关S3和第四开关S4也可为半导体开关器件，例如包括但不限于MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
图13a是现有技术中的功率因数校正电路的输出电容电压波形示意图，图13b是本实用新型的功率因数校正电路的输出电容电压波形示意图。如图所示，现有技术中，在电路空载或者轻载时，输出电容的电压会升高，但是本实用新型的输出电容的电压不会增加，可以有效保护输出电容。本实用新型的功率因数校正电路通过使桥臂的对角电容的容值保持相同，或者通过电容串联开关并在空载或轻载时使开关断开，从而可有效避免电路空载或者轻载不工作时输出电容的电压不正常升高。
本实用新型适用于图腾柱功率因数校正电路，有利于减小滤波器的体积，同时避免空载或者轻载时输出电压倍压升高。
以上具体地示出和描述了本实用新型的示例性实施方式。应该理解，本实用新型不限于所公开的实施方式，相反，本实用新型意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (20)

1.一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特征在于，还包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关的之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；
第二电感，一端连接所述第一交流端，一端连接所述第一电感；以及
第一电容及/或第二电容，所述第一电容的一端连接所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点，另一端连接所述第一直流端；所述第二电容的一端连接所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点，另一端连接所述第二直流端；
第三电容及/或第四电容，所述第三电容相应于所述第二电容的设置而并联于所述第三开关的两端，且所述第三电容的容值与所述第二电容的容值相同；所述第四电容相应于所述第一电容的设置而并联于所述第四开关的两端，且所述第四电容的容值与所述第一电容的容值相同。
2.根据权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
3.根据权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
4.根据权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
5.根据权利要求1所述功率因数校正电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
6.一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特征在于，包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；
第二电感，一端连接所述第一交流端，一端连接所述第一电感；
第一开关元件和第一电容，所述第一开关元件与所述第一电容串联连接并电性连接于所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点和所述第一直流端之间；及/或
第二开关元件和第二电容，所述第二开关元件与所述第二电容串联连接并电性连接于所述第二电感与所述第一电感之间的第三节点和所述第二直流端之间；
其中，所述第一开关元件及/或所述第二开关元件在轻载或空载时被断开。
7.根据权利要求6所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
8.根据权利要求6所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
9.根据权利要求6所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
10.根据权利要求6所述功率因数校正电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
11.一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特征在于，还包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关的之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；以及
第二电感，所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端连接，并且连接于所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点；其中，所述第一电感和所述第二电感为耦合电感，并且所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端为同名端；
第一电容及/或第二电容，所述第一电容的一端连接所述第二电感的第二端，另一端连接所述第一直流端；所述第二电容的一端连接所述第二电感的第二端，另一端连接所述第二直流端；
第三电容及/或第四电容，所述第三电容相应于所述第二电容的设置而并联于所述第三开关的两端，且所述第三电容的容值与所述第二电容的容值相同；所述第四电容相应于所述第一电容的设置而并联于所述第四开关的两端，且所述第四电容的容值与所述第一电容的容值相同。
12.根据权利要求11所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
13.根据权利要求11所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
14.根据权利要求11所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
15.根据权利要求11所述功率因数校正电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
16.一种功率因数校正电路，具有接收交流电压的第一交流端和第二交流端；供应直流电压的第一直流端和第二直流端，其特征在于，包括：
第一桥臂，包括彼此串联的第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点通过一第一电感电性耦接至所述第一交流端；
第二桥臂，包括彼此串联的第三开关和第四开关，所述第三开关和所述第四开关之间的第二节点电性耦接至所述第二交流端；所述第一桥臂和所述第二桥臂并联连接于所述第一直流端以及第二直流端之间；
第二电感，所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端连接，并且连接于所述第一开关和所述第二开关之间的第一节点；其中，所述第一电感和所述第二电感为耦合电感，并且所述第二电感的第一端与所述第一电感的第一端为同名端；
第一开关元件和第一电容，所述第一开关元件与所述第一电容串联连接并电性连接于所述第二电感的第二端和所述第一直流端之间；及/或
第二开关元件和第二电容，所述第二开关元件与所述第二电容串联连接并电性连接于所述第二电感的第二端和所述第二直流端之间；
其中，所述第一开关元件及/或所述第二开关元件在轻载或空载时被断开。
17.根据权利要求16所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括输出电容，电性连接于所述第一直流端和所述第二直流端之间。
18.根据权利要求16所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括串联连接的第一浪涌二极管和第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接于所述第一直流端，所述第二浪涌二极管的阳极连接所述第二直流端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述第一交流端。
19.根据权利要求16所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述第三开关和所述第四开关为二极管。
20.根据权利要求16所述功率因数校正电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、第三开关和第四开关为半导体开关器件，包括MOSFET、氮化镓器件、碳化硅器件。
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