CN211879366U - 一种带十字支撑块的玻封二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种带十字支撑块的玻封二极管,包括玻璃外壳、芯片、第一电极、第二电极,所述第一电极包括第一导电柱、第一侧板,所述第二电极包括第二导电柱、第二侧板,所述玻璃外壳套设在所述第一导电柱、芯片、第二导电柱外侧,所述第一侧板、第二侧板靠向所述芯片一端面均连接有条形支撑块,所述条形支撑块呈十字结构分布在所述第一侧板、第二侧板端面。本实用新型的玻封二极管,增加了呈十字结构分布的条形支撑块,利用条形支撑块的支撑作用,玻璃外壳固化后仅与条形支撑块结合,减少了两者的结合面积,避免了传统的全贴合结构出现的裂纹问题,保证了产品的密封性。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管加工技术领域,具体涉及一种带十字支撑块的玻封二极管。
背景技术
二极管是最常用的电子元件之一,其最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,二极管因此也被广泛应用于各种电子设备中。玻封二极管是二极管中的一种,由电极、玻璃外壳、晶片构成,其加工过程为:电极、玻璃外壳、晶片组装后,送入烧结炉中烧结而成。在烧结过程中,玻璃外壳会软化,软化后的玻璃外壳两端分别与二极管电极熔接,晶片密封在中间。对于传统二极管6,如图1所示,由于玻璃外壳为玻璃材质,二极管电极通常为合金材质,两者的温度特性差异较大,当玻璃外壳冷却固化后,玻璃外壳与二极管电极端面会以全贴合的方式结合,受两者温度特性影响,玻璃外壳与二极管电极的结合面会出现裂纹7,有的裂纹7会很宽,对产品的密封性造成了严重的影响。
实用新型内容
针对以上问题,本实用新型提供一种带十字支撑块的玻封二极管,增加了呈十字结构分布的条形支撑块,利用条形支撑块的支撑作用,玻璃外壳固化后仅与条形支撑块结合,减少了两者的结合面积,避免了传统的全贴合结构出现的裂纹问题,保证了产品的密封性。
为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案来解决:
一种带十字支撑块的玻封二极管,包括玻璃外壳、芯片、连接在所述芯片两端的第一电极、第二电极,所述第一电极包括与所述芯片连接的第一导电柱、连接在所述第一导电柱一端的第一侧板,所述第二电极包括与所述芯片连接的第二导电柱、连接在所述第二导电柱一端的第二侧板,所述玻璃外壳套设在所述第一导电柱、芯片、第二导电柱外侧,所述第一侧板、第二侧板靠向所述芯片一端面均连接有条形支撑块,所述条形支撑块呈十字结构分布在所述第一侧板、第二侧板端面。
具体的,所述芯片包括P区、N区,所述P区与所述第一电极连接,所述N区与所述第二电极连接。
具体的,所述第一侧板、第二侧板均为圆柱状结构。
具体的,所述玻璃外壳中部设有与所述第一导电柱、第二导电柱相匹配的通孔。
具体的,所述条形支撑块沿第一导电柱中心轴方向的高度为H,0.5mm≤H≤2mm。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型的带十字支撑块的玻封二极管,在两电极内侧增加了呈十字结构分布的条形支撑块,利用条形支撑块的支撑作用,玻璃外壳固化后仅与条形支撑块结合,减少了两者的结合面积,避免了传统的全贴合结构出现的裂纹问题,保证了产品的密封性。
附图说明
图1为传统二极管的结构示意图,玻璃外壳与电极的交接处会产生裂纹。
图2为本实用新型的一种带十字支撑块的玻封二极管的立体结构图。
图3为本实用新型的一种带十字支撑块的玻封二极管的爆炸图。
图4为本实用新型的一种带十字支撑块的玻封二极管的主视图。
图5为图4中A-A面的剖面图。
附图标记为:玻璃外壳1、通孔11、芯片2、第一电极3、第一导电柱31、第一侧板32、第二电极4、第二导电柱41、第二侧板42、条形支撑块5、传统二极管6、裂纹7。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。
如图2-5所示:
一种带十字支撑块的玻封二极管,包括玻璃外壳1、芯片2、连接在芯片2两端的第一电极3、第二电极4,第一电极3包括与芯片2连接的第一导电柱31、连接在第一导电柱31一端的第一侧板32,第二电极4包括与芯片2连接的第二导电柱41、连接在第二导电柱41一端的第二侧板42,玻璃外壳1套设在第一导电柱31、芯片2、第二导电柱41外侧,第一侧板32、第二侧板42靠向芯片2一端面均连接有条形支撑块5,条形支撑块5呈十字结构分布在第一侧板32、第二侧板42端面,在组装后烧结过程中,玻璃外壳1受热软化后主体包覆着第一导电柱31、芯片2、第二导电柱41形成一个密封体,两端则利用条形支撑块5的支撑作用,经过后续玻璃外壳1固化后,玻璃外壳1两端仅与条形支撑块5位置结合,结合面积小,产生的裂纹几乎可忽略,后续经过缝隙填胶、表面电镀上锡等工序制作成产品后,产品的整体密封性强。
优选的,芯片2包括P区、N区,P区与第一电极3连接,N区与第二电极4连接,芯片2的结构原理为:在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P区,另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N区,而在P区和N区的交界处就形成一个PN结。
优选的,第一侧板32、第二侧板42均为圆柱状结构。
优选的,玻璃外壳1中部设有与第一导电柱31、第二导电柱41相匹配的通孔11。
优选的,条形支撑块5沿第一导电柱31中心轴方向的高度为H,0.5mm≤H≤2mm。
以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种带十字支撑块的玻封二极管,其特征在于,包括玻璃外壳(1)、芯片(2)、连接在所述芯片(2)两端的第一电极(3)、第二电极(4),所述第一电极(3)包括与所述芯片(2)连接的第一导电柱(31)、连接在所述第一导电柱(31)一端的第一侧板(32),所述第二电极(4)包括与所述芯片(2)连接的第二导电柱(41)、连接在所述第二导电柱(41)一端的第二侧板(42),所述玻璃外壳(1)套设在所述第一导电柱(31)、芯片(2)、第二导电柱(41)外侧,所述第一侧板(32)、第二侧板(42)靠向所述芯片(2)一端面均连接有条形支撑块(5),所述条形支撑块(5)呈十字结构分布在所述第一侧板(32)、第二侧板(42)端面。
2.根据权利要求1所述的一种带十字支撑块的玻封二极管,其特征在于,所述芯片(2)包括P区、N区,所述P区与所述第一电极(3)连接,所述N区与所述第二电极(4)连接。
3.根据权利要求1所述的一种带十字支撑块的玻封二极管,其特征在于,所述第一侧板(32)、第二侧板(42)均为圆柱状结构。
4.根据权利要求1所述的一种带十字支撑块的玻封二极管,其特征在于,所述玻璃外壳(1)中部设有与所述第一导电柱(31)、第二导电柱(41)相匹配的通孔(11)。
5.根据权利要求1所述的一种带十字支撑块的玻封二极管,其特征在于,所述条形支撑块(5)沿第一导电柱(31)中心轴方向的高度为H,0.5mm≤H≤2mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020826961.9U CN211879366U (zh) | 2020-05-18 | 2020-05-18 | 一种带十字支撑块的玻封二极管 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020826961.9U CN211879366U (zh) | 2020-05-18 | 2020-05-18 | 一种带十字支撑块的玻封二极管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN211879366U true CN211879366U (zh) | 2020-11-06 |
Family
ID=73235420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020826961.9U Active CN211879366U (zh) | 2020-05-18 | 2020-05-18 | 一种带十字支撑块的玻封二极管 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN211879366U (zh) |
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