CN211727804U - 一种静态热处理共晶封装装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种静态热处理共晶封装装置，具体涉及共晶封装装置领域，包括箱体，所述箱体内部设有共晶室，且共晶室竖直方向设置若干组，所述共晶室侧面设有箱门，且箱门铰链连接于箱体外侧，所述共晶室内部贯穿有连接轴，且连接轴呈竖直设置，所述连接轴侧面活动设有放置板，所述共晶室远离箱门的侧面设有真空室和排气室，且真空室和排气室均位于箱体内部，所述排气室位于真空室远离共晶室的侧面，所述共晶室远离连接轴的侧面贯穿有安装架，所述安装架侧面嵌设有发热器。本实用新型通过设有共晶室、连接轴和放置板，便于对单个或多个晶片进行共晶工作，多个共晶室及放置板工作时互不干扰，使用更加灵活方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及共晶封装装置领域，更具体地说，本实用涉及一种静态热处理共晶封装装置。
背景技术
真空共晶炉是一种针对高端产品的工艺焊接炉，例如激光器件、航空航天，电动汽车等行业，和传统链式炉相比，具有较大的技术优势，真空共晶炉系统主要构成包括：真空系统，还原气氛系统，加热/冷却系统，气体流量控制系统，安全系统，控制系统等，真空焊接系统相对于传统的回流焊系统，主要使用真空在锡膏/焊片在液相线以上帮助空洞排出，从而降低空洞率，因为真空系统的存在，可以将空气气氛变成氮气气氛，减少氧化，同时真空的存在也使得增加还原性气氛可能性。
现有的热处理共晶封装装置在实际使用过程中仍存在不足之处，不便对单个或多个晶片进行共晶工作，使用不够灵活方便。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型的实施例提供一种静态热处理共晶封装装置，本实用新型所要解决的技术问题是：如何对单个或多个晶片进行共晶工作。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种静态热处理共晶封装装置，包括箱体，所述箱体内部设有共晶室，且共晶室竖直方向设置若干组，所述共晶室侧面设有箱门，且箱门铰链连接于箱体外侧，所述共晶室内部贯穿有连接轴，且连接轴呈竖直设置，所述连接轴侧面活动设有放置板，所述共晶室远离箱门的侧面设有真空室和排气室，且真空室和排气室均位于箱体内部，所述排气室位于真空室远离共晶室的侧面，所述共晶室远离连接轴的侧面贯穿有安装架，所述安装架侧面嵌设有发热器，所述发热器顶部设有排气管，且排气管贯穿于安装架及真空室内部，所述发热器底部设有抽气管，且抽气管贯穿于安装架内部，所述放置板靠近连接轴的侧面固定设有连接板，所述连接板远离放置板的侧面开设有连接槽，所述连接槽内部开设有固定槽，所述连接轴内部贯穿有连接杆，且连接杆活动设于固定槽内部。
使用时，打开箱门，连接杆插入对应的固定槽内部，电机带动连接轴转动，连接槽的位置靠近连接板的其中一端，可使放置板从共晶室内部转出，采用共晶粘接剂将晶片固在PCB的固晶焊盘上，将固定有晶片的封装PCB板放置在放置板上，电机反转可通过连接轴带动放置板转回对应的共晶室内部，控制机构和发热器的控制器可控制发热器的调温工作，关闭箱门进行共晶，根据需要，可选择一个或多个共晶室及放置板进行工作，将连接杆插入选择放置板的固定槽内，即可单独使用放置板。
在一个优选地实施方式中，所述箱体顶部固定设有控制机构，且控制机构为电脑终端，便于进行控制工作。
在一个优选地实施方式中，所述箱体内部最底端设有安装室，所述安装室内部固定安装有电机和控制器，且电机和控制器分别与连接轴和发热器相连接，便于连接轴和发热器的工作。
在一个优选地实施方式中，所述真空室内部底端固定安装有真空泵，所述真空室与共晶室之间通过抽气管连通设置，便于进行抽真空。
在一个优选地实施方式中，所述排气室内部底端固定安装有排气泵，所述排气室与共晶室之间通过排气管连通设置，便于加快通风散热。
在一个优选地实施方式中，所述箱门对应共晶室设置若干组，所述放置板对应共晶室设置若干组，所述发热器对应共晶室设置若干组。
在一个优选地实施方式中，所述连接槽呈弧形设置，所述连接轴转动设于连接槽内部，所述固定槽和连接杆均呈矩形设置，且固定槽对应共晶室设置若干组。
在一个优选地实施方式中，相邻所述共晶室之间互不连通，所述真空室与排气室之间互不连通。
本实用新型的技术效果和优点：
1、本实用新型通过设有共晶室、连接轴和放置板，便于对单个或多个晶片进行共晶工作，连接杆插入对应的固定槽内部，电机带动连接轴转动，可使放置板从共晶室内部转出，将固定有晶片的封装PCB板放置在放置板上，电机反转可通过连接轴带动放置板转回对应的共晶室内部，根据需要，可选择一个或多个共晶室及放置板进行工作，将连接杆插入选择放置板的固定槽内，即可单独使用放置板，与现有技术相比，多个共晶室及放置板工作时互不干扰，使用更加灵活方便；
2、本实用新型通过设有真空室和排气室，便于进行抽真空和通风换热，需要抽真空时，真空泵工作可在真空室内部产生吸力，再通过抽气管抽取全部共晶室内部的气体，以便形成真空环境，需要通风换热时，打开箱门及排气泵，可通过排气室及排气管向全部共晶室内部通风，便于快速降温，与现有技术相比，使用功能性更好。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
图2为本实用新型的箱体剖面结构示意图。
图3为本实用新型图2的A处结构放大示意图。
图4为本实用新型的放置板结构俯视示意图。
图5为本实用新型的连接轴剖面结构俯视示意图。
附图标记为：1箱体、2控制机构、3箱门、4共晶室、5连接轴、6放置板、7控制器、8真空室、9排气室、10真空泵、11排气泵、12安装架、13发热器、14排气管、15抽气管、16连接板、17连接槽、18固定槽、19连接杆。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了一种静态热处理共晶封装装置，包括箱体1，所述箱体1内部设有共晶室4，且共晶室4竖直方向设置若干组，所述共晶室4侧面设有箱门3，且箱门3铰链连接于箱体1外侧，所述共晶室4内部贯穿有连接轴5，且连接轴5呈竖直设置，所述连接轴5侧面活动设有放置板6，所述共晶室4远离箱门3的侧面设有真空室8和排气室9，且真空室8和排气室9均位于箱体1内部，所述排气室9位于真空室8远离共晶室4的侧面，所述共晶室4远离连接轴5的侧面贯穿有安装架12，所述安装架12侧面嵌设有发热器13，所述发热器13顶部设有排气管14，且排气管14贯穿于安装架12及真空室8内部，所述发热器13底部设有抽气管15，且抽气管15贯穿于安装架12内部，所述放置板6靠近连接轴5的侧面固定设有连接板16，所述连接板16远离放置板6的侧面开设有连接槽17，所述连接槽17内部开设有固定槽18，所述连接轴5内部贯穿有连接杆19，且连接杆19活动设于固定槽18内部。
所述箱体1顶部固定设有控制机构2，且控制机构2为电脑终端。
所述箱体1内部最底端设有安装室7，所述安装室7内部固定安装有电机和控制器，且电机和控制器分别与连接轴5和发热器13相连接。
所述箱门3对应共晶室4设置若干组，所述放置板6对应共晶室4设置若干组，所述发热器13对应共晶室4设置若干组。
所述连接槽17呈弧形设置，所述连接轴5转动设于连接槽17内部，所述固定槽18和连接杆19均呈矩形设置，且固定槽18对应共晶室4设置若干组。
如图1-5所示，实施方式具体为：使用时，打开箱门3，连接杆19插入对应的固定槽18内部，电机带动连接轴5转动，连接槽17的位置靠近连接板16的其中一端，可使放置板6从共晶室4内部转出，先采用共晶粘接剂将晶片固在PCB的固晶焊盘上，粘接剂为共晶专业固晶材料，常温粘接性好，有较好的粘度，可把芯片稳定在指的焊盘上，且保证粘接剂本身的形状和厚度的稳定性及一致性，该固晶粘接剂在常温不挥发，在一定的温度曲线下，可按温度场的变化逐步挥发，激发晶片的合金层与PCB的焊盘焊接活性，使晶片的合金层与PCB的焊盘在高温下产生共振结晶层，从而形成良好的焊接接面，以便完成共晶焊接，将固定有晶片的封装PCB板放置在放置板6上，电机反转可通过连接轴5带动放置板6转回对应的共晶室4内部，控制机构2和发热器13的控制器可控制发热器13的调温工作，关闭箱门3进行共晶，整个共晶过程都处于静态放置中完成共晶，不会像传统回流炉共晶那样，把共晶材料放置在动态的传送带上移动到不同的温度区，实现共晶，因而静态共晶封装PCB共晶，不会因为共晶过程有动态过程，防止晶片在共晶过程出现偏移及焊盘错位，避免造成空洞等不良后果，根据需要，可选择一个或多个共晶室4及放置板6进行工作，将连接杆19插入选择放置板6的固定槽18内，即可单独使用放置板6，多个共晶室4及放置板6工作互不干扰，使用更加灵活方便，该实施方式具体解决了现有共晶封装装置不便对单个或多个晶片进行共晶工作的问题。
所述真空室8内部底端固定安装有真空泵10，所述真空室8与共晶室4之间通过抽气管15连通设置。
所述排气室9内部底端固定安装有排气泵11，所述排气室9与共晶室4之间通过排气管14连通设置。
相邻所述共晶室4之间互不连通，所述真空室8与排气室9之间互不连通。
如图2所示，实施方式具体为：需要抽真空时，真空泵10工作可在真空室8内部产生吸力，再通过抽气管15抽取全部共晶室4内部的气体，以便形成真空环境，需要通风换热时，打开箱门3及排气泵11，可通过排气室9及排气管14向全部共晶室4内部通风，便于快速降温，该实施方式具体解决了共晶室4不便通风换热的问题。
本实用新型工作原理：
参照说明书附图1-5，打开箱门3，连接杆19插入对应的固定槽18内部，电机带动连接轴5转动，连接槽17的位置靠近连接板16的其中一端，可使放置板6从共晶室4内部转出，采用共晶粘接剂将晶片固在PCB的固晶焊盘上，将固定有晶片的封装PCB板放置在放置板6上，电机反转可通过连接轴5带动放置板6转回对应的共晶室4内部，控制机构2和发热器13的控制器可控制发热器13的调温工作，关闭箱门3进行共晶，根据需要，可选择一个或多个共晶室4及放置板6进行工作，将连接杆19插入选择放置板6的固定槽18内，即可单独使用放置板6，多个共晶室4及放置板6工作互不干扰，使用更加灵活方便，需要抽真空时，真空泵10工作可在真空室8内部产生吸力，再通过抽气管15抽取全部共晶室4内部的气体，以便形成真空环境，需要通风换热时，打开箱门3及排气泵11，可通过排气室9及排气管14向全部共晶室4内部通风，便于快速降温。
最后应说明的几点是：首先，在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变，则相对位置关系可能发生改变；
其次：本实用新型公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计，在不冲突情况下，本实用新型同一实施例及不同实施例可以相互组合；
最后：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种静态热处理共晶封装装置，包括箱体(1)，其特征在于：所述箱体(1)内部设有共晶室(4)，且共晶室(4)竖直方向设置若干组，所述共晶室(4)侧面设有箱门(3)，且箱门(3)铰链连接于箱体(1)外侧，所述共晶室(4)内部贯穿有连接轴(5)，且连接轴(5)呈竖直设置，所述连接轴(5)侧面活动设有放置板(6)，所述共晶室(4)远离箱门(3)的侧面设有真空室(8)和排气室(9)，且真空室(8)和排气室(9)均位于箱体(1)内部，所述排气室(9)位于真空室(8)远离共晶室(4)的侧面，所述共晶室(4)远离连接轴(5)的侧面贯穿有安装架(12)，所述安装架(12)侧面嵌设有发热器(13)，所述发热器(13)顶部设有排气管(14)，且排气管(14)贯穿于安装架(12)及真空室(8)内部，所述发热器(13)底部设有抽气管(15)，且抽气管(15)贯穿于安装架(12)内部，所述放置板(6)靠近连接轴(5)的侧面固定设有连接板(16)，所述连接板(16)远离放置板(6)的侧面开设有连接槽(17)，所述连接槽(17)内部开设有固定槽(18)，所述连接轴(5)内部贯穿有连接杆(19)，且连接杆(19)活动设于固定槽(18)内部。
2.根据权利要求1所述的一种静态热处理共晶封装装置，其特征在于：所述箱体(1)顶部固定设有控制机构(2)，且控制机构(2)为电脑终端。
3.根据权利要求1所述的一种静态热处理共晶封装装置，其特征在于：所述箱体(1)内部最底端设有安装室(7)，所述安装室(7)内部固定安装有电机和控制器，且电机和控制器分别与连接轴(5)和发热器(13)相连接。
4.根据权利要求1所述的一种静态热处理共晶封装装置，其特征在于：所述真空室(8)内部底端固定安装有真空泵(10)，所述真空室(8)与共晶室(4)之间通过抽气管(15)连通设置。
5.根据权利要求1所述的一种静态热处理共晶封装装置，其特征在于：所述排气室(9)内部底端固定安装有排气泵(11)，所述排气室(9)与共晶室(4)之间通过排气管(14)连通设置。
6.根据权利要求1所述的一种静态热处理共晶封装装置，其特征在于：所述箱门(3)对应共晶室(4)设置若干组，所述放置板(6)对应共晶室(4)设置若干组，所述发热器(13)对应共晶室(4)设置若干组。
7.根据权利要求1所述的一种静态热处理共晶封装装置，其特征在于：所述连接槽(17)呈弧形设置，所述连接轴(5)转动设于连接槽(17)内部，所述固定槽(18)和连接杆(19)均呈矩形设置，且固定槽(18)对应共晶室(4)设置若干组。
8.根据权利要求1所述的一种静态热处理共晶封装装置，其特征在于：相邻所述共晶室(4)之间互不连通，所述真空室(8)与排气室(9)之间互不连通。
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