CN211715292U - 一种管式pecvd过滤装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种管式PECVD过滤装置,其特征在于:包括过滤桶,所述过滤桶为柱形,其中过滤桶底部安装有漏斗,漏斗的大口径一面固定在过滤桶的侧壁上,所述过滤桶内从上至下依次排列有三层过滤网,每层过滤网通过螺母固定在过滤桶的侧壁上,且最下面一层过滤网设置于漏斗的大口径之上。本发明过滤装置安装在真空泵前,过滤、收集工艺过程中产生的粉尘,减少故障发生,增加开机率,节约成本。
Description
技术领域
本发明属于太阳能光伏行业领域,尤其涉及一种管式PECVD过滤装置。
背景技术
随着新能源技术的发展,晶硅太阳能电池发展迅猛,晶硅太阳能电池是一种可以将太阳光能转化成为电能的电子元器件。晶体硅类太阳能电池的制备一般经过制绒、扩散、镀膜、丝网印刷、烧结等工序。其中镀膜通常采用PECVD技术生成。PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)又称等离子体增强化学气相沉积法,技术原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电 离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在硅片上沉积出所期望的薄膜。
PECVD目前有板式和管式两种,在管式PECVD运行时,会产生氮化硅和氧化铝粉尘,易造成真空泵卡死或蝶阀异常等问题,严重增加故障率,导致开机低的问题,给生产带来额外的负担。
发明内容
鉴于以上,本发明过滤装置安装在真空泵前,过滤、收集工艺过程中产生的粉尘,减少故障发生,增加开机率,节约成本。
具体技术方案如下:
一种管式PECVD过滤装置,其特征在于:包括过滤桶,所述过滤桶为柱形,其中过滤桶底部安装有漏斗,漏斗的大口径一面固定在过滤桶的侧壁上,所述过滤桶内从上至下依次排列有三层过滤网,每层过滤网通过螺母固定在过滤桶的侧壁上,且最下面一层过滤网设置于漏斗的大口径之上。
进一步,所述过滤桶的侧壁下方贯通的连接有排废气管,该排废气管外接管式等离子气相沉积炉。
进一步,所述过滤桶的顶部贯通的连接有排废气管,该排废气管外接真空泵。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中进一步给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1为本发明管式PECVD过滤装置的结构示意图;
其中,1为过滤桶,2为漏斗,3为过滤网,4为螺母,5为排废气管,6为管式等离子气相沉积炉,7为真空泵。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
图1所示,本发明管式PECVD过滤装置的一种优选实施例示意图。本发明管式PECVD过滤装置,包括过滤桶1,过滤桶1为柱形,其中过滤桶1底部安装有漏斗2,漏斗2的大口径一面固定在过滤桶1的侧壁上,过滤桶1内从上至下依次排列有三层过滤网3,每层过滤网3通过螺母4固定在过滤桶1的侧壁上,且最下面一层过滤网3设置于漏斗2的大口径之上。其中过滤网3目数相同,为14,过滤网3间距相同,。
进一步,过滤桶1的侧壁下方贯通的连接有排废气管5,该排废气管5外接管式等离子气相沉积炉6。
进一步,过滤桶1的顶部贯通的连接有排废气管5,该排废气管5外接真空泵7。
本领域的技术人员应理解,尽管参照本发明的示意性实施例对本发明的具体实施方式进行了详细的描述,但是本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例,这些改进和实施例将落在本发明原理的精神和范围之内。
Claims (3)
1.一种管式PECVD过滤装置,其特征在于:包括过滤桶,所述过滤桶为柱形,其中过滤桶底部安装有漏斗,漏斗的大口径一面固定在过滤桶的侧壁上,所述过滤桶内从上至下依次排列有三层过滤网,每层过滤网通过螺母固定在过滤桶的侧壁上,且最下面一层过滤网设置于漏斗的大口径之上。
2.根据权利要求1所述的管式PECVD过滤装置,其特征在于,所述过滤桶的侧壁下方贯通的连接有排废气管,该排废气管外接管式等离子气相沉积炉。
3.根据权利要求1所述的管式PECVD过滤装置,其特征在于,所述过滤桶的顶部贯通的连接有排废气管,该排废气管外接真空泵。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201922411949.1U CN211715292U (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种管式pecvd过滤装置 |
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CN201922411949.1U CN211715292U (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种管式pecvd过滤装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN211715292U true CN211715292U (zh) | 2020-10-20 |
Family
ID=72818996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201922411949.1U Active CN211715292U (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种管式pecvd过滤装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN211715292U (zh) |
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2019
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