CN211700330U - 一种各向同谱且同步光衰的白光led芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片，包括：基底；设置在所述基底一侧的发光薄膜层；设置在所述白光LED芯片侧边的保护层，所述保护层具有反射效果以使所述白光LED芯片实现单面出光；设置在出光面上的三维荧光胶层，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。也就是说，通过将白光LED芯片设置为单面出光，且三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，以使被照亮区域每个位置的光谱不会出现空间上的不同，并且，在长期使用过程中蓝光芯片和荧光胶层同步光衰，其光谱也不会出现时间上的不同。

Description

一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，更具体地说，涉及一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片。

背景技术

LED作为照明光源既节能又环保，开启了人类照明的新时代，已经与人们的生活息息相关。

尽管LED灯正在逐渐取代白炽灯和日光灯管等传统照明光源，但是其自身仍存在一些其它缺陷。

传统的照明光源如白炽灯和荧光灯，其光谱空间分布一样，即照亮区域的每一个位置的光谱是一致的，为各向同谱光源。在老化前后的光谱除了强度有所不同之外，其光谱线的形状是一样的，也就说明每个波长的光衰是同步的。

但是，LED照明灯的光谱空间分布存在明显的差异，其光谱在空间上是各向异性的，在老化前后的光谱谱形有明显差异，其光衰是不同步的。

实用新型内容

有鉴于此，为解决上述问题，本实用新型提供一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片及制作方法，技术方案如下：

一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片，所述白光LED芯片包括：

基底；

设置在所述基底一侧的发光薄膜层；

设置在所述白光LED芯片侧边的保护层，所述保护层具有反射效果以使所述白光LED芯片实现单面出光；

设置在出光面上的三维荧光胶层，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述基底为透明基底。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述发光薄膜层和所述三维荧光胶层设置在所述基底的两侧。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层背离所述基底一侧的N电极焊盘和P电极焊盘。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述发光薄膜层和所述三维荧光胶层设置在所述基底的同侧，且所述发光薄膜层位于所述三维荧光胶层和所述基底之间。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层背离所述基底一侧的N电极焊盘和P电极焊盘。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述保护层还部分覆盖所述发光薄膜层，且未覆盖所述N电极焊盘和所述P电极焊盘。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，包括：

所述三维荧光胶层各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述三维荧光胶层和所述出光面之间的硅胶层。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述三维荧光胶层包括：

红粉荧光胶层、黄粉荧光胶层和绿粉荧光胶层。

优选的，在上述白光LED芯片中，所述红粉荧光胶层、所述黄粉荧光胶层和所述绿粉荧光胶层在出光面上依次设置，且所述红粉荧光胶层相邻所述出光面设置。

一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底的一侧形成发光薄膜层；

在所述白光LED芯片的侧边形成保护层，所述保护层具有反射效果以使所述白光LED芯片实现单面出光；

在出光面上形成三维荧光胶层，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

优选的，在上述制作方法中，所述在出光面上形成三维荧光胶层，包括：

在所述出光面上形成荧光胶层；

采用三维微雕技术对所述荧光胶层进行三维微雕，以形成所述三维荧光胶层，且所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

优选的，在上述制作方法中，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，包括：

所述三维荧光胶层各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

相较于现有技术，本实用新型实现的有益效果为：

本实用新型提供的一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片，包括：基底；设置在所述基底一侧的发光薄膜层；设置在所述白光LED芯片侧边的保护层，所述保护层具有反射效果以使所述白光LED芯片实现单面出光；设置在出光面上的三维荧光胶层，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

也就是说，通过将白光LED芯片设置为单面出光，且三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，以使被照亮区域每个位置的光谱不会出现空间上的不同，并且，在长期使用过程中蓝光芯片和荧光胶层同步光衰，其光谱也不会出现时间上的不同。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的另一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图10为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图；

图11为本实用新型实施例提供的一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

目前，LED灯的实现途径是先将LED蓝光芯片和荧光粉封装成LED白光灯珠或模组，然后将灯珠或模组与二次光学部件、散热部件和电源组成灯具。

目前，受现有技术的限制，LED在封装成灯珠或模组时无法解决各向同谱和同步光衰的问题，在添加二次光学部件组成灯具时，也无法解决该问题。

LED白光灯珠或模组是由蓝光芯片、荧光粉和支架封装组成，目前广泛运用于照明的封装形式分为有碗杯和无碗杯两种。

有或类似于有碗杯的封装形式有仿流明、TOP和COB封装，这种封装形式是在固定了蓝光芯片的碗杯里点荧光胶获得白光LED。

无碗杯的封装形式有喷涂荧光粉的封装形式和直接封装荧光粉直涂的白光芯片的封装形式。

但是，无论哪种封装形式，原理上就决定了它无法实现发光的各向同谱和同步光衰。

基于蓝光芯片有同侧、倒装和垂直三种不同结构形式而言，无论哪种结构的蓝光芯片，其本身就是一个各向异性光源，每个方向的蓝光光强都不同。同侧结构芯片和倒装结构芯片其衬底是透明的，共有五个面会出蓝光，其中碳化硅衬底的倒装焊芯片其出光面更多，因此它的光强各向异性最明显；垂直结构的薄膜型芯片，尽管只有一个面出光，但它各个方向的光强仍然是不同的。

采用点荧光粉胶封装形式的白光LED，由于荧光粉与芯片之间的构造关系不合理，导致不同区域的荧光粉受到不同密度的蓝光激发，从而不同区域发出强度不同的黄光以及散射出强度不同的蓝光，使得白光LED在各个方向光谱不一致。

然而，目前这种封装形式的白光LED由于制造成本最低，它的市场规模却最大，尤其在户内照明的使用量最大。采用传统光源照明时，同一物体在照明区域不同位置人们不会感受到它色彩的差别，而采用其他LED光源照明时，人们却会感受到它色彩的差别，根本原因就在于白光LED没有解决各向同谱问题。

进一步的，近几年，荧光粉喷涂和molding透镜相结合的LED封装方法成为了研究和产业的热点。

倒装、同侧和垂直结构芯片均可以用于此种封装形式，其中倒装焊芯片采用此种封装形式最普遍。

采用喷涂荧光粉的工艺能在一定程度上改善白光LED的各向同谱性能，因为荧光粉的分布形状基本能适应芯片的形状。

但是，在做喷涂荧光粉的工艺时必须在荧光胶里面加入稀释剂以实现荧光粉的喷射效果，而由于荧光胶的流动性太强，这就直接导致了芯片顶面边缘的荧光粉因流失而变薄，芯片根部的荧光粉变厚。

采用喷涂荧光粉的方式，即便是单面出光的垂直结构芯片，也会由于顶面边缘的荧光胶流失而导致其无法实现各向图谱；倒装焊结构的芯片，不但顶面边缘不能实现蓝光等密度激发荧光粉，而且出光较少的侧边反而荧光粉最多，这就导致了其更难实现白光LED各向同谱。因此，喷涂荧光粉的封装方法仍然无法解决白光LED的各向同谱问题。

进一步的，当前白光LED各向同谱性能相对较好的实现方法是：先在仅有单面出光的薄膜型芯片表面直涂荧光粉将其做成白光芯片，然后封装成LED灯珠。

薄膜型芯片是单面出光的器件，用它做成的荧光粉直涂的白光芯片各向同谱性能可以得到一定的改善；然而，由于荧光粉直涂层具有一定的厚度，在较大出光角度上蓝光激发荧光粉的激发密度会与台面中间有所不同，从而导致直涂芯片在大角度探测时，它的白光谱与正面探测到的白光谱仍然会有所不同，并且芯片尺度越小这种差异越明显，也说明直涂白光芯片也没有完全解决各向同谱问题。

通过上述描述可知，LED白光光源空间上各向发光不同谱，时间上荧光粉与蓝光芯片光衰不同步，导致同一物体在LED照明区域不同位置人们不会感受到它色彩的差别，采用其他LED光源照明时，人们却会感受到它色彩的差别。

基于上述问题，本申请应用而生，提供了一种各向同谱且同步光衰的白光LED，完美的解决了现有技术中存在的技术问题。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

参考图1，图1为本实用新型实施例提供的一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

所述白光LED芯片包括：

基底11；

设置在所述基底11一侧的发光薄膜层12；

设置在所述白光LED芯片侧边的保护层13，所述保护层13具有反射效果以使所述白光LED芯片实现单面出光；

设置在出光面上的三维荧光胶层14，所述三维荧光胶层14各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

在该实施例中，通过将白光LED芯片设置为单面出光，且三维荧光胶层14各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，以使被照亮区域每个位置的光谱不会出现空间上的不同，并且，在长期使用过程中蓝光芯片和荧光胶层同步光衰，其光谱也不会出现时间上的不同。

需要说明的是，由于发光薄膜层12和三维荧光胶层14的位置不定，在图1中仅仅以一种示例的白光LED芯片结构进行说明，其具体结构在下文实施例有详细介绍。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图2，图2为本实用新型实施例提供的另一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

以倒装结构为例进行说明：

所述基底11为透明基底。

所述发光薄膜层12和所述三维荧光胶层14设置在所述基底11的两侧。并且，所述三维荧光胶层14所处的一侧为所述白光LED芯片的出光面。

所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层12背离所述基底11一侧的N电极焊盘16和P电极焊盘15。

其中，所述N电极焊盘16和所述P电极焊盘15之间存在绝缘区域。

在该实施例中，通过所述保护层13，使倒装白光LED芯片形成单面出光，并且，三维荧光胶层14各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量(通常由实验得出)；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

进而形成一种各向同谱且同步光衰的倒装结构的白光LED芯片。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图3，图3为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

该各向同谱且同步光衰的倒装结构的白光LED芯片，还包括：

设置在所述三维荧光胶层14和所述出光面之间的硅胶层17。

在该实施例中，由于白光LED芯片在工作过程中会发热，通过设置硅胶层17，使三维荧光胶层14不会直接受热，有效降低了三维荧光胶层14的老化程度。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图4，图4为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

在各向同谱且同步光衰的倒装结构的白光LED芯片中，所述三维荧光胶层14包括：

红粉荧光胶层141、黄粉荧光胶层142和绿粉荧光胶层143。

所述红粉荧光胶层141、所述黄粉荧光胶层142和所述绿粉荧光胶层143在出光面上依次设置，且所述红粉荧光胶141层相邻所述出光面设置。

在该实施例中，若红粉荧光、黄粉荧光和绿粉荧光混合之后设置在同一层后，由于个别激发光会存在相互影响的问题，存在光衰的问题。

因此，将三维荧光胶层14划分为红粉荧光胶层141、黄粉荧光胶层142和绿粉荧光胶层143，按照预设顺序进行叠层设置，就可以解决上述问题，进一步提高了白光LED芯片的显示效果。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图5，图5为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

以同侧结构为例进行说明：

所述发光薄膜层12和所述三维荧光胶层14设置在所述基底11的同侧，且所述发光薄膜层12位于所述三维荧光胶层14和所述基底11之间。所述三维荧光胶层14所处的一侧为所述白光LED芯片的出光面。

所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层12背离所述基底11一侧的N电极焊盘16和P电极焊盘15。

所述保护层13还部分覆盖所述发光薄膜层12，且未覆盖所述N电极焊盘16和所述P电极焊盘15。

在该实施例中，所述保护层13通过部分覆盖所述发光薄膜层12，且未覆盖所述N电极焊盘16和所述P电极焊盘15，限定出了三维荧光胶层14的设置区域，也为出光区域，使倒装白光LED芯片形成单面出光，并且，三维荧光胶层14各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量(通常由实验得出)；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

进而形成一种各向同谱且同步光衰的同侧结构的白光LED芯片。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图6，图6为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

该各向同谱且同步光衰的同侧结构的白光LED芯片，还包括：

设置在所述三维荧光胶层14和所述出光面之间的硅胶层17。

所述硅胶层17设置在所述三维荧光胶层14和所述发光薄膜层12之间。

在该实施例中，由于白光LED芯片在工作过程中会发热，通过设置硅胶层17，使三维荧光胶层14不会直接受热，有效降低了三维荧光胶层14的老化程度。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图7，图7为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

在各向同谱且同步光衰的同侧结构的白光LED芯片中，所述三维荧光胶层14包括：

红粉荧光胶层141、黄粉荧光胶层142和绿粉荧光胶层143。

所述红粉荧光胶层141、所述黄粉荧光胶层142和所述绿粉荧光胶层143在出光面上依次设置，且所述红粉荧光胶层141相邻所述出光面设置。

在该实施例中，若红粉荧光、黄粉荧光和绿粉荧光混合之后设置在同一层后，由于个别激发光会存在相互影响的问题，存在光衰的问题。

因此，将三维荧光胶层14划分为红粉荧光胶层141、黄粉荧光胶层142和绿粉荧光胶层143，按照预设顺序进行叠层设置，就可以解决上述问题，进一步提高了白光LED芯片的显示效果。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图8，图8为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

以垂直结构为例进行说明：

所述发光薄膜层12和所述三维荧光胶层14设置在所述基底11的同侧，且所述发光薄膜层12位于所述三维荧光胶层14和所述基底11之间。所述三维荧光胶层14所处的一侧为所述白光LED芯片的出光面。

在该实施例中，由于垂直结构的LED芯片本身就是单面出光，该保护层在垂直结构的白光LED芯片中主要起到保护的作用。

在出光面一侧，三维荧光胶层14各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量(通常由实验得出)；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

进而形成一种各向同谱且同步光衰的垂直结构的白光LED芯片。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图9，图9为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

该各向同谱且同步光衰的垂直结构的白光LED芯片，还包括：

设置在所述三维荧光胶层14和所述出光面之间的硅胶层17。

所述硅胶层17设置在所述三维荧光胶层14和所述发光薄膜层12之间。

在该实施例中，由于白光LED芯片在工作过程中会发热，通过设置硅胶层17，使三维荧光胶层14不会直接受热，有效降低了三维荧光胶层14的老化程度。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，参考图10，图10为本实用新型实施例提供的又一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的结构示意图。

在各向同谱且同步光衰的垂直结构的白光LED芯片中，所述三维荧光胶层14包括：

红粉荧光胶层141、黄粉荧光胶层142和绿粉荧光胶层143。

所述红粉荧光胶层141、所述黄粉荧光胶层142和所述绿粉荧光胶层143在出光面上依次设置，且所述红粉荧光胶层141相邻所述出光面设置。

在该实施例中，若红粉荧光、黄粉荧光和绿粉荧光混合之后设置在同一层后，由于个别激发光会存在相互影响的问题，存在光衰的问题。

因此，将三维荧光胶层14划分为红粉荧光胶层141、黄粉荧光胶层142和绿粉荧光胶层143，按照预设顺序进行叠层设置，就可以解决上述问题，进一步提高了白光LED芯片的显示效果。

通过上述描述可知，本申请通过将白光LED芯片设置为单面出光，且三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，以使被照亮区域每个位置的光谱不会出现空间上的不同，并且，在长期使用过程中蓝光芯片和荧光胶层同步光衰，其光谱也不会出现时间上的不同。

并且，本申请的LED是白光芯片而不是白光灯珠，在芯片加工时就获得白光LED芯片，而不是在封装时才获得白光LED灯珠，减少了LED照明光源的技术链的环节；在芯片加工时能批量的同时获得白光LED芯片，而不是在封装时一颗一颗的获得白光LED灯珠，使白光LED的生产效率显著提高；白光LED芯片不会因为封装形式的多样性使其发光和照明效果存在差异，避免了同种蓝光芯片和荧光粉封装的白光LED芯片会因封装形式的不同而出现不同的发光和照明效果。

进一步的，本申请的白光LED芯片其台面上的三维荧光胶层产热、散热、传热是一致的，在使用过程中三维荧光胶层不会出现区域性不均匀光衰的问题。

再者，本申请的高显指白光LED芯片红黄绿荧光粉分层排布，不但可以减少多种荧光粉的互激发损失光效，而且可以实现多种荧光粉同步光衰。

以及，本申请的白光LE芯片，采用方片实现，不采用圆片，能明显增加白光LED芯片的光色参数一致性。

进一步的，基于本实用新型上述全部实施例，在本实用新型另一实施例中还提供了一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的制作方法，参考图11，图11为本实用新型实施例提供的一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片的制作方法的流程示意图。

所述制作方法包括：

S101：提供一基底。

S102：在所述基底的一侧形成发光薄膜层。

S103：在所述白光LED芯片的侧边形成保护层，所述保护层具有反射效果以使所白光LED芯片实现单面出光。

S104：在出光面上形成三维荧光胶层，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，所述在出光面上形成三维荧光胶层，包括：

在所述出光面上形成荧光胶层；

采用三维微雕技术对所述荧光胶层进行三维微雕，以形成所述三维荧光胶层，且所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

进一步的，基于本实用新型上述实施例，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，包括：

所述三维荧光胶层各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

需要说明的是，本实用新型实施例提供的制作方法和上述实施例提供的白光LED芯片的原理相同，在此不再赘述。

以上对本实用新型所提供的一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片及制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片包括：

基底；

设置在所述基底一侧的发光薄膜层；

设置在所述白光LED芯片侧边的保护层，所述保护层具有反射效果以使所述白光LED芯片实现单面出光；

设置在出光面上的三维荧光胶层，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

2.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述基底为透明基底。

3.根据权利要求2所述的白光LED芯片，其特征在于，所述发光薄膜层和所述三维荧光胶层设置在所述基底的两侧。

4.根据权利要求3所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层背离所述基底一侧的N电极焊盘和P电极焊盘。

5.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述发光薄膜层和所述三维荧光胶层设置在所述基底的同侧，且所述发光薄膜层位于所述三维荧光胶层和所述基底之间。

6.根据权利要求5所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层背离所述基底一侧的N电极焊盘和P电极焊盘。

7.根据权利要求6所述的白光LED芯片，其特征在于，所述保护层还部分覆盖所述发光薄膜层，且未覆盖所述N电极焊盘和所述P电极焊盘。

8.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，包括：

所述三维荧光胶层各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

9.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述三维荧光胶层和所述出光面之间的硅胶层。

10.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述三维荧光胶层包括：

红粉荧光胶层、黄粉荧光胶层和绿粉荧光胶层。

11.根据权利要求10所述的白光LED芯片，其特征在于，所述红粉荧光胶层、所述黄粉荧光胶层和所述绿粉荧光胶层在出光面上依次设置，且所述红粉荧光胶层相邻所述出光面设置。

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