CN211654790U - 开闭装置及包括其的基板处理装置 - Google Patents
开闭装置及包括其的基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211654790U CN211654790U CN202020083038.0U CN202020083038U CN211654790U CN 211654790 U CN211654790 U CN 211654790U CN 202020083038 U CN202020083038 U CN 202020083038U CN 211654790 U CN211654790 U CN 211654790U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- opening
- inlet
- auxiliary
- closing
- outlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E05—LOCKS; KEYS; WINDOW OR DOOR FITTINGS; SAFES
- E05F—DEVICES FOR MOVING WINGS INTO OPEN OR CLOSED POSITION; CHECKS FOR WINGS; WING FITTINGS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, CONCERNED WITH THE FUNCTIONING OF THE WING
- E05F15/00—Power-operated mechanisms for wings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E05—LOCKS; KEYS; WINDOW OR DOOR FITTINGS; SAFES
- E05Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES E05D AND E05F, RELATING TO CONSTRUCTION ELEMENTS, ELECTRIC CONTROL, POWER SUPPLY, POWER SIGNAL OR TRANSMISSION, USER INTERFACES, MOUNTING OR COUPLING, DETAILS, ACCESSORIES, AUXILIARY OPERATIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, APPLICATION THEREOF
- E05Y2999/00—Subject-matter not otherwise provided for in this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种开闭装置及包括其的基板处理装置。基板处理装置中用于使得基板出入基板处理腔室的基板出入口的开闭装置包括开闭部,开闭部设置在所述出入口及处理腔室之间,以能够紧贴在所述出入口的形式进行旋转操作的同时开闭所述出入口。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体基板的处理装置。
背景技术
一般情况下,蚀刻装置大致分为利用使用湿式溶液的湿式化学品的湿式蚀刻装置和利用等离子体的干式蚀刻装置。这里的干式蚀刻装置是在向两个电极之间投入规定的反应气体的状态下形成电场,通过电场使得反应气体在中性状态下产生反应性极强的被电离的等离子体。这样产生的等离子体作用于成为处理对象的基板上,在基板的表面上进行去除预定的膜的蚀刻工艺。
这种干式蚀刻装置一般包括:处理腔室,其通过等离子体在基板进行预定的工艺处理;搬运腔室,其使得基板出入处理腔室;以及负载锁定腔室,其用于保管基板。
另外,在干式蚀刻装置中,在处理腔室的一侧形成有用于基板出入的出入口。出入口是基板进入处理腔室内部或向外部搬出的通道。
但是,处理腔室内部需要与外部隔离和密封,以便保持等离子体的产生及工艺氛围。
以往的干式蚀刻装置为了开闭出入口而配备有闸门阀,并在处理腔室的外部设置有闸门阀。但由于闸门阀在处理腔室的外部开闭出入口,因此当闸门阀被关闭时,在闸门阀和处理腔室之间形成预定体积的空间。即,形成出入口的部分与其它部分相比体积变得更大。由此,在处理腔室的内部产生等离子体时,因这些空间导致等离子体密度不均匀,而且基板无法被处理均匀。
前述的作为背景技术所说明的内容是发明者在本实用新型的提出过程中获得或掌握的,故不一定将其认定为在申请本实用新型之前已经公开于众的公知技术。
实用新型内容
实施例的目的是,提供一种设置有开闭部的基板处理装置,开闭部容易开闭且有效地保持基板处理装置的密封。
在实施例中要解决的课题不受限于所述提及的课题,对于尚未提及的另外其它课题,本领域技术人员可以根据如下记载得到清楚的理解。
根据用于实现所述本实用新型目的的本实用新型的实施例,基板处理装置中用于使得基板出入基板处理腔室的基板出入口的开闭装置包括开闭部,开闭部设置在所述出入口及处理腔室之间,以能够紧贴在所述出入口的形式进行旋转操作的同时开闭所述出入口。
此外,根据用于实现所述本实用新型目的的本实用新型的实施例,基板处理装置包括:腔室壳体,其包括用于处理基板的处理腔室,一侧形成有用于基板出入的出入口;开闭部,其以位于所述处理腔室及出入口之间的形式设置在间隔壳体内部,旋转操作的同时选择性地开闭所述出入口;以及驱动部,其与所述开闭部相连接,使得所述开闭部旋转。
如上所述,根据本实施例,门构件在壳体的内部开闭出入口,从而避免处理腔室内部空间的不均匀及由此导致等离子体密度的不均匀,进而可以均匀地处理基板。
而且,在门构件设置有密封构件,因而可以提升对出入的密封效果。
而且,因为两个门构件相互重叠地开闭出入口,所以可以提升出入口及处理腔室的密封效果。
根据一个实施例的基板处理装置的效果,不受限于所述提及的内容,对于尚未提及的其它效果,普通的技术人员可以通过如下记载得到清楚的理解。
附图说明
本说明书中的如下附图示例性地图示了本实用新型的优选的一个实施例,与本实用新型的详细说明一起,用于进一步理解本实用新型的技术思想,因此,本实用新型不应解释为仅限于这些图中记载的事项。
图1是根据一个实施例的基板处理装置的立体图。
图2是根据一个实施例的开闭装置的截面图。
图3是根据一个实施例的开闭装置的截面图。
图4是根据一个实施例的开闭部的立体图。
图5是根据一个实施例的开闭装置的截面图。
图6是根据一个实施例的开闭装置的截面图。
标号说明
1:基板
10:基板处理装置
11:壳体
111:出入口块体
112:出入口
12:处理腔室
121:腔室块
13,23:开闭部
131,231:门构件
241:辅助门构件
131a,231a:门构件的密封面
241a:辅助门构件的接触面
231b,241b:门构件的反面
132,232,242:旋转构件
133,233,243:密封构件
14:驱动部
具体实施方式
以下,通过示例性的附图详细说明实施例。值得注意的是,对各附图的构成要素添加了参照标号,即使在不同的附图上示出,相同的构成要素也尽可能地具有相同的标号。另外,在说明实施例时,认为对相关公知构成或功能的具体说明妨碍了对实施例的理解时,省略其详细说明。
此外,在说明实施例的构成要素时,可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)之类的用语。这些用语仅用于将构成要素与其他构成要素区分开,并且相关构成要素的性质或次序或顺序等不受这些用语限制。在提及某种构成要素“连接”、“结合”或“接入”至另一构成要素时,应理解为既可以是该构成要素直接连接于或接入于另一构成要素,也可以在各构成要素之间“连接”、“结合”或“接入”其他构成要素。
对于在任何一个实施例中包括的构成要素和包括共同性能的构成要素,可以在其它实施例中使用相同的名称加以说明。除非有相反的说明,否则任何一个实施例中的记载的说明均可以应用于其他实施例,并且在重复范围内将省略具体说明。
图1是根据一个实施例的基板处理装置的立体图,图2是根据一个实施例的开闭装置的截面图,图3是根据一个实施例的开闭装置的截面图,图4是根据一个实施例的开闭部的立体图。
参照图1至图4,根据一个实施例的基板处理装置10可使用于进行基板处理。基板处理装置10可以提供用于处理基板的特定环境,例如高温或高压、化学处理等处理环境。基板处理装置10可以简单地向内部放入基板的同时,在腔室内保持稳定的密封状态。
在基板处理装置10中处理的基板1可以是成为半导体基板的硅晶片。然而,本实用新型不限于此,基板1可以是用于诸如液晶显示器或等离子显示器等平板显示器设备的玻璃基板。另外,基板1的形状和大小将不受限于附图,而实质上可以具有圆形或四边形的板等各种形状和大小。
基板处理装置10包括:形成外观的壳体11;以及开闭装置,其用于开闭形成于壳体11并出入基板1的出入口112。开闭装置包括:开闭部13,其用于开闭出入口112;以及驱动部14,其用于驱动开闭部13。
壳体11包括:腔室块121,其形成有进行基板1处理的处理腔室12;以及出入口块体111,其形成有出入口112。出入口块体111设置在腔室块121的一侧,可以与腔室块121一体形成或结合。只是,为了便于说明,对腔室块121和出入口块体111进行区分并加以说明,但本实用新型不限于此。
处理腔室12容纳基板1进行预定的处理工艺,例如提供进行包括等离子体蚀刻工艺等在内的工艺的空间。处理腔室12形成为与基板1的形状相对应,并且除出入口112之外形成为与外部隔离的空间。
同时,在处理腔室12内部可以设置有根据在处理腔室12进行处理工艺的类型放置基板1的卡盘(未示出),或用于产生等离子体的电极(未示出)等。
出入口112构成为开口或狭缝形态,贯通出入口块体111使外部与处理腔室12相互连通。出入口112以与基板1的直径和厚度相对应的大小开口并形成。另外,出入口112可以构成为长度长、高度短的形状,使得基板1可以以水平放置的状态出入。
以下,为了便于说明,将出入口112的长的部分,即与基板1的直径相对应的部分称为“长度方向”,将短的部分,即与基板1的厚度相对应的部分称为“高度方向”。
开闭部13可以设置在壳体11的内部。开闭部13可以设置在出入口112及处理腔室12之间的空间。例如,开闭部13可以设置在壳体11内部腔室块121与出入口块体111的边界处。开闭部13旋转操作的同时可以开闭出入口112。例如,开闭部13可以根据旋转选择性地紧贴于出入口112。
开闭部13可以包括旋转构件132和门构件131。
旋转构件132可以以旋转轴为中心旋转。旋转构件132的旋转轴可以和出入口112的长度方向平行。旋转构件132以与门出入口112的长度方向平行的形式设置在出入口112的下方。然而,本实施例不限于附图,并且旋转构件132的位置也可以位于出入口112上方。
门构件131与旋转构件132相连接,并可以随着旋转构件132的操作开闭出入口112。门构件131可以具有板状,该板状从旋转构件132的周围方向的一侧向直径方向外部延伸。门构件131可包括当出入口112关闭时覆盖出入口112的面131a。以下,为了便于说明,将覆盖出入口112的面称为“密封面”,将与之相对的门构件131的另一面称为“反面”。
门构件131构成为具有比出入口112的开口面积更大的面积,例如,可以具有预定厚度的板状。然而,门构件131的形状不受限于附图。
垂直于旋转轴的截面,即,以图2为基准,旋转构件132具有圆形截面形状,并且门构件131可以具有从旋转构件132的外面向直径方向凸出的形状。在这种情况下,门构件131的密封面131a可以具有沿着旋转构件132的外面的切线方向延伸的形状。
根据这种结构,当门构件131随着旋转构件132的旋转关闭出入口112时,整个密封面131a可以以覆盖出入口112的形式紧贴。
另外,由于旋转构件132沿着门构件131的长度方向设置,所以当门构件131打开出入口112时,门构件131向处理腔室12内部凸出的长度将会缩短。另外,门构件131旋转所需的空间将会减小,并且在门构件131旋转为打开出入口112的状态下,可以避免基板1及门构件131在处理腔室12内部受到干扰。
密封构件133可以设置在门构件131的密封面131a上。当门构件131关闭出入口112时,密封构件133紧贴在出入口112及其周围表面,故具有更牢固地密封出入口112的作用。另外,密封构件133的大小可以大于出入口112的开口面积,并且可以具有预定厚度的板状。然而,密封构件133的形状和尺寸不受限于附图。
驱动部14可以与旋转构件132的旋转轴相连接,使得旋转构件132旋转。例如,驱动部14设置在壳体11的外部,并贯穿壳体11与旋转构件132相连接,故可以随着铰链旋转门构件131来开闭出入口112。
根据本实施例,门构件131设置在出入口112和处理腔室12之间,在壳体11内部密封出入口112,从而可以提高出入口112和处理腔室12的密封性能。另外,当门构件131关闭出入口112时,由于处理腔室12内部的压力,可以进一步提高门构件131的密封力。即,由于开闭部13设置在壳体11的内部,因此当壳体11内部的压力增加时,开闭部13向出入口112的方向被加压,从而起到牢固地保持壳体11内部的密封状态的功能。
图5是根据一个实施例的开闭装置的截面图,图6是根据一个实施例的开闭装置的截面图。
参照图5和图6,根据一个实施例的基板处理装置可以包括相互重叠并关闭出入口112的一对开闭部。以下,为了便于说明,以出入口112为基准,将下侧位置的称为“开闭部23”,将上侧位置的称为“辅助开闭部”。
开闭部23可以以位于处理腔室12和出入口112之间的形式设置在壳体11内部。开闭部23可以在旋转操作的同时选择性地开闭出入口112。开闭部23可以包括以旋转轴为中心旋转的旋转构件232和门构件231。
旋转构件232可以以旋转轴为中心旋转操作。旋转轴可以设置为和出入口112的长度方向平行。门构件231与旋转构件232相连接,并可以随着旋转构件232的旋转而覆盖和密封出入口112。门构件231可以包括与形成有出入口112的壳体23的内面相接触的面231a。
第一密封构件233可以设置在门构件231与出入口112相对应的面(以下,称为“密封面”231a)上。当门构件231密封出入口112时,第一密封构件233紧贴在出入口112及其周围的表面,具有更加牢固地密封出入口112的作用。另外,第一密封构件233可以具有板状,该板状的面积大于出入口112的开口面积,并且具有预定的厚度。然而,第一密封构件233的大小和形状不受限于附图。
辅助开闭部可以以位于处理腔室12和出入口112之间的形式设置在壳体11内部。辅助开闭部可以在以密封出入口的形式旋转操作的同时,辅助开闭部23的开闭操作。辅助开闭部可以包括辅助旋转构件242和辅助门构件243。
辅助旋转构件242可以以辅助旋转轴为中心进行旋转操作。辅助旋转轴可以设置为和出入口的长度方向平行。辅助门构件241与辅助旋转构件242相连接,并且可以随着辅助旋转构件242的旋转,与门构件231的反面231b相接触。辅助门构件241可以包括与门构件231相接触的接触面241a。
门构件231和辅助门构件241具有板状,该板状的大小大于出入口112的开口面积并且具有预定的厚度。然而,只要门构件231和辅助门构件241能够完全密封出入口112,其形状和大小不受限于附图。
在门构件231旋转为覆盖出入口112的状态下,辅助门构件241可以旋转操作为与门构件231的反面231b重叠。在开闭部23和辅助开闭部操作为关闭出入口112的状态下,辅助门构件241的接触面241a可与门构件231的反面231b重叠。
在这种情况下,在辅助门构件241的密封面241a上可以构成第二密封构件243。例如,第二密封构件243在辅助门构件241的密封面241a上构成为具有与和门构件231的反面231b重叠的面积相对应的大小和预定厚度的板状。只是,第二密封构件243的形状和大小也不受限于附图。
根据本实施例,一对开闭部23和辅助开闭部重叠并密封出入口112,因此可以提高出入口112及处理腔室12的密封性能。另外,因为一对门构件231、241设置在壳体11的内部,故能够排除因出入口112内部的空间产生的影响,由此能够避免在处理室12内部的等离子体密度不均匀和由其导致的基板处理的不均匀。
尤其是,由于开闭部23和辅助开闭部设置在壳体11的内部,因此,当壳体11内的压力增加时,开闭部23和辅助开闭部向出入口的112方向被加压,从而发挥牢固地保持壳体11内部的密封状态的功能。
如上所述,虽然根据限定的附图说明了实施例,但如果是所属技术领域的普通知识分子则能够基于所述记载进行各种修正及变形实施。例如,可以以与所述的方法不同的顺序进行所说明的技术,或者可以以与所述的方法不同的形态结合或组合所说明的结构、装置等构成要素,或者即使被其它构成要素或均等物代替或替换也可以实现适当的结果。
Claims (17)
1.一种开闭装置,作为用于使得基板出入基板处理腔室的基板出入口的开闭装置,其特征在于,包括:
开闭部,其设置在所述出入口及处理腔室之间,以能够紧贴在所述出入口的形式旋转操作的同时开闭所述出入口。
2.根据权利要求1所述的开闭装置,其中,所述开闭部包括:
旋转构件,其以旋转轴为中心进行旋转;以及
门构件,其与所述旋转构件相连接,并包括随着所述旋转构件的操作覆盖及密封所述出入口的密封面。
3.根据权利要求2所述的开闭装置,其中,
所述旋转构件的旋转轴和所述出入口的长度方向平行。
4.根据权利要求2所述的开闭装置,其中,
以垂直于所述旋转轴的截面为基准,所述旋转构件具有圆形截面形状,所述门构件具有从所述旋转构件的外面凸出来的形状。
5.根据权利要求4所述的开闭装置,其中,
所述门构件构成为密封面沿着所述旋转构件的外面的切线方向延伸。
6.根据权利要求2所述的开闭装置,其中,所述开闭部还包括:
密封构件,其设置在用于覆盖所述出入口的门构件的密封面。
7.根据权利要求6所述的开闭装置,其中,
所述密封构件具有比所述出入口更大面积的板状。
8.根据权利要求2所述的开闭装置,其还包括:
驱动部,其与所述旋转构件的旋转轴相连接,用于使得所述旋转构件旋转。
9.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
腔室壳体,其包括用于处理基板的处理腔室,并在一侧形成有用于基板出入的出入口;
开闭部,其以位于所述处理腔室及出入口之间的形式设置在间隔壳体内部,旋转操作的同时选择性地开闭所述出入口;以及
驱动部,其与所述开闭部相连接,并使得所述开闭部旋转。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述开闭部包括:
旋转构件,其以旋转轴为中心进行旋转;以及
门构件,其与所述旋转构件相连接,并形成有随着所述旋转构件的旋转而与形成有所述出入口的壳体内面相接触的密封面。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其还包括:
辅助开闭部,其以位于所述处理腔室及出入口之间的形式设置在间隔壳体内部,以密封所述出入口的形式进行旋转操作。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,所述辅助开闭部包括:
辅助旋转构件,其以辅助旋转轴为中心进行旋转;
辅助门构件,其与所述辅助旋转构件相连接,并形成有与所述门构件相接触的接触面。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,
在所述门构件以覆盖所述出入口的形式旋转的状态下,所述辅助门构件以与所述门构件重叠的形式进行旋转操作。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,
所述旋转轴及辅助旋转轴设置为和所述出入口的长度方向平行。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其中,
所述旋转轴和辅助旋转轴以所述出入口为基准相对称地分别设置于上下方向。
16.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,
所述辅助门构件的接触面的面积与和所述门构件的密封面相对的反面的面积相对应。
17.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,
所述辅助开闭部还包括设置在所述接触面的密封构件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190010081A KR20200092757A (ko) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | 개폐 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR10-2019-0010081 | 2019-01-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN211654790U true CN211654790U (zh) | 2020-10-09 |
Family
ID=71732675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020083038.0U Active CN211654790U (zh) | 2019-01-25 | 2020-01-15 | 开闭装置及包括其的基板处理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200243306A1 (zh) |
KR (1) | KR20200092757A (zh) |
CN (1) | CN211654790U (zh) |
-
2019
- 2019-01-25 KR KR1020190010081A patent/KR20200092757A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-01-15 CN CN202020083038.0U patent/CN211654790U/zh active Active
- 2020-01-23 US US16/750,317 patent/US20200243306A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200092757A (ko) | 2020-08-04 |
US20200243306A1 (en) | 2020-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101447184B1 (ko) | 게이트슬릿 개폐장치가 구비된 공정챔버 | |
KR102064640B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
US6429139B1 (en) | Serial wafer handling mechanism | |
KR100719806B1 (ko) | 건식식각장치 | |
US6347919B1 (en) | Wafer processing chamber having separable upper and lower halves | |
KR940012569A (ko) | 미소-환경 콘테이너 연결방법 및 미소 환경 하중 로크 | |
TW201350619A (zh) | 成膜裝置 | |
CN211654790U (zh) | 开闭装置及包括其的基板处理装置 | |
KR20100121986A (ko) | 반도체 제조장비의 리드 개폐용 힌지 장치 | |
KR101962722B1 (ko) | 차량용 파워 아울렛 | |
KR20190055895A (ko) | 차량용 파워 아울렛 | |
JPH11288992A (ja) | 被処理物体搬送チャンバ | |
JP2024057175A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
CN101256944A (zh) | 等离子加工设备 | |
KR20070048936A (ko) | 공정챔버 | |
KR20230165514A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2000003879A (ja) | 基板冷却機構 | |
KR20190005140A (ko) | 차량의 배터리용 캡 | |
KR100730743B1 (ko) | 기판 베이킹 장치 | |
US7083161B2 (en) | Method and apparatus for providing vacuum isolation | |
KR101876981B1 (ko) | 회전 가능한 정전척을 포함하는 플라즈마 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
JP3585200B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101909053B1 (ko) | 차량의 배터리용 캡 | |
KR20000021269A (ko) | 로드락 챔버의 개폐장치 | |
KR101322729B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 기판처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |