CN211629098U - 一种高密度idf型sop8引线框架结构 - Google Patents

一种高密度idf型sop8引线框架结构 Download PDF

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李卫国
杨富珍
李明达
谭永良
杨国健
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Abstract

本实用新型公开了一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,属于集成电路封装技术领域。本实用新型包括矩形的框架基板和设置在框架基板上的360个引线框单元,引线框单元沿框架基板的宽度方向列成10排、沿框架基板的长度方向排成36列,每相邻两列引线框单元组成一个结构单元,奇数排与偶数排上相邻的引线框单元的外引线脚彼此交叉错开,形成10×36的IDF矩阵式结构。本实用新型相对于现有技术中的矩阵式结构,其共面性更好,焊线难度更低,可提高10‑15%的生产效率;与传统单条框架相比,引线框单元更多,能够有效的减少粘片、焊线的工序,提高产能效率并降低生产能耗。

Description

一种高密度IDF型SOP8引线框架结构
技术领域
本实用新型涉及集成电路封装技术领域,具体涉及一种高密度IDF型SOP8引线框架结构。
背景技术
现有技术中,SOP8引线框架中,为了减少过片次数从而减少粘片、焊线的工序,多采用12排或15排排列,采用该种排列结构,会导致框架基板的宽度变大,从而引起共面性变差,增加焊接难度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高密度IDF型SOP8引线框架结构。
本实用新型的技术方案是:一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,包括矩形的框架基板和通过冲压打沉方式设置在框架基板上的引线框单元,引线框单元有360个,引线框单元沿框架基板的宽度方向列成10排,引线框单元沿框架基板的长度方向排成36列,每相邻两列引线框单元组成一个结构单元,奇数排与偶数排上相邻的引线框单元的外引线脚彼此交叉错开,使得框架基板上的引线框单元形成10×36的IDF矩阵式结构。
进一步的技术方案,框架基板长266.000±0.102mm,宽73.000±0.051mm;所述相邻引线框单元之间的步距为6.100±0.025mm,相邻结构单元之间的步距为14.800±0.025mm。
进一步的技术方案,相邻两列结构单元之间设有排列成一列的塑封流道。
进一步的技术方案,塑封流道包括沿框架基板的宽度方向交替排列的方形孔和长圆孔。
进一步的技术方案,引线框单元的相邻内引脚之间设有连接条,连接条与引线框单元一体成型设置。
本实用新型的有益效果:
本实用新型中框架基板上的引线框单元形成10×36的IDF矩阵式结构,框架基板的宽为73.000±0.051mm,以现有技术中12排矩阵式结构为例,其框架基板宽可达83mm,本结构中引脚垂直高度偏差值(即共面性)小于12排矩阵式结构的引脚垂直高度偏差值,减少了焊线难度,可提高10-15%的生产效率;与传统单条框架相比,本结构中引线框单元有360个,其数目远大于传统单条框架的引线框架的单元,通过减少过片次数能够有效的减少粘片、焊线的工序,产能效率可提高71.4%,生产能耗降幅可达50%,塑封料降幅可达30.67%,框架成本降幅可达10.38%,其他材料成本(如镀锡材料、清模辅助材料)降幅可达8%。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为图1的局部放大示意图;
图3为图1中引线框单元的结构示意图。
其中,1、框架基板,2、结构单元,3、引线框单元,4、塑封流道,5、连接条。
具体实施方式
下面通过非限制性实施例,进一步阐述本实用新型,理解本实用新型。
如图1-3所示,本实用新型为一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,包括矩形的框架基板1和通过冲压打沉方式设置在框架基板1上的引线框单元3,框架基板1长266.000±0.102mm,宽73.000±0.051mm;引线框单元3有360个,引线框单元3沿框架基板1的宽度方向列成10排,引线框单元3沿框架基板1的长度方向排成36列,每相邻两列引线框单元3组成一个结构单元2,相邻引线框单元之间的步距为6.100±0.025mm,相邻结构单元之间的步距为14.800±0.025mm。
奇数排与偶数排上相邻的引线框单元3的外引线脚彼此交叉错开,使得框架基板1上的引线框单元3形成10×36的IDF矩阵式结构。
相邻两列结构单元2之间设有排列成一列的塑封流道4;塑封流道4包括沿框架基板1的宽度方向交替排列的方形孔和长圆孔;方形孔和长圆孔能最大化的节约材料,更重要的是能在塑封和切筋工序作业中起到分散应力的作用,避免框架变形影响产品的质量;而且方便对框架基板1进行灵活的识别和安装,使其能灵活地应用在各种安装场合。
引线框单元3的相邻内引脚之间设有连接条5,连接条5与引线框单元3一体成型设置,塑封时可以防止塑封料向管脚处流动,避免造成管脚“溢胶”。
本实用新型中框架基板1上的引线框单元3形成10×36的IDF矩阵式结构,框架基板1的宽为73.000±0.051mm,与现有技术中框架基板1宽达83mm的12排矩阵式结构相比,本结构中引脚垂直高度偏差值小于12排矩阵式结构的引脚垂直高度偏差值,减少了焊线难度,可提高10-15%的生产效率。
本实用新型中框架基板1上的引线框单元3的个数为360个,与传统单条框架相比,其数目远大于传统单条框架的引线框单元,本实用新型通过减少过片次数能够有效的减少粘片、焊线的工序,产能效率可提高71.4%,生产能耗降幅可达50%,塑封料降幅可达30.67%,框架成本降幅可达10.38%,其他材料成本(如镀锡材料、清模辅助材料)降幅可达8%。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,包括矩形的框架基板和通过冲压打沉方式设置在框架基板上的引线框单元,其特征在于:所述引线框单元有360个,引线框单元沿框架基板的宽度方向列成10排,引线框单元沿框架基板的长度方向排成36列,每相邻两列引线框单元组成一个结构单元,奇数排与偶数排上相邻的引线框单元的外引线脚彼此交叉错开,使得框架基板上的引线框单元形成10×36的IDF矩阵式结构。
2.根据权利要求1所述的一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,其特征在于:所述框架基板长266.000±0.102mm,宽73.000±0.051mm;所述相邻引线框单元之间的步距为6.100±0.025mm,相邻结构单元之间的步距为14.800±0.025mm。
3.根据权利要求1所述的一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,其特征在于:相邻两列结构单元之间设有排列成一列的塑封流道。
4.根据权利要求3所述的一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,其特征在于:所述塑封流道包括沿框架基板的宽度方向交替排列的方形孔和长圆孔。
5.根据权利要求1所述的一种高密度IDF型SOP8引线框架结构,其特征在于:所述引线框单元的相邻内引脚之间设有连接条,连接条与引线框单元一体成型设置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117976641A (zh) * 2024-01-26 2024-05-03 天水华天科技股份有限公司 一种SOP300mil半导体集成电路的引线框架

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