CN211320918U - H桥短路保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及模拟集成电路领域,具体为一种H桥短路保护电路,其能够让H桥没有短路电流流过,保护PMOS管,其包括比较器COMP1和比较器COMP,比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端,PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端,PMOS管PM2的栅端和PMOS管PM0的栅端相连,PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、电阻R0另一端,NMOS管NM2的栅端和NMOS管NM0的栅端相连,NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地,电阻R1另一端连接NMOS管NM2的源端和比较器COMP的输入端,比较器COMP1的输出端与比较器COMP的输出端连接或门的输出端,或门的输出端为OUT端口,其特征在于,比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3。
Description
技术领域
本实用新型涉及模拟集成电路领域,具体为一种H桥短路保护电路。
背景技术
随着技术的发展,现在对低压下的马达的应用越来越多,就需要的低压马达驱动越来越多。马达驱动电路一般采用H桥输出的方式,在使用时要防止H桥的输出短接,输出短路到电源或者到地,图1为H桥原理图,因此,输出短路保护电路就很重要了。
H桥分为上管和下管,低压的H桥高边管一般采用PMOS,低边管一般采用NMOS。高边管和低边管都有要短路保护机制。低边管保护机制如图2所示,低边NMOS管NM0通过并联sensor管NM2,同时sensor管NM2的电流流过电阻R1,在电阻R1上产生电压。OUT端短路到电源或两个输出短路时,这个电压比参考电压VREF_1高,则比较器COMP翻转,OUT端输出翻转,同时关闭H桥。保护输出H桥上长时间没有短路电流流过。
高边的PMOS管PM0通过并联检测电流的sensor管PM2,同时sensor管PM2的电流流过电阻R0,电阻R0上有一定的电压。如果只是检测电阻R0一端的电压,如图2所示,那么在H桥正常工作时这端口的电压会随着PMOS管PM0的开或关在0和VDD之间变化,如果参考电压VREF设置成为固定值时,比较器COMP1的输出也随着PMOS管PM0的开或关变化,因此这个电压无法确定。
实用新型内容
为了解决现有低压H桥的方案中高边管采用的PMOS管输出短路到地,PMOS管电流会过大损坏PMOS管的问题,本实用新型提供了一种H桥短路保护电路,其能够让H桥没有短路电流流过,保护PMOS管。
其技术方案是这样的:一种H桥短路保护电路,其包括比较器COMP1和比较器COMP,比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端,PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端,PMOS管PM2的栅端和PMOS管PM0的栅端相连,PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、电阻R0另一端,NMOS管NM2的栅端和NMOS管NM0的栅端相连,NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地,电阻R1另一端连接NMOS管NM2的源端和比较器COMP的输入端,比较器COMP1的输出端与比较器COMP的输出端连接或门的输出端,或门的输出端为OUT端口,其特征在于,比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3,所述PPMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3的栅端分别为所述比较器COMP1的输入端,所述PMOS管PM10的源端与所述PMOS管PM1的源端相连后连接所述PMOS管PM4的漏端,所述PMOS管PM9的源端与所述PMOS管PM3的源端相连后连接所述PMOS管PM5的漏端,所述PMOS管PM1的漏端与所述PMOS管PM9的漏端相连后连接PMOS管PM7的漏端、NMOS管NM1的漏端、NMOS管NM4的栅端,所述PMOS管PM10的漏端与所述PMOS管PM3的漏端相连后连接PMOS管PM6的漏端、NMOS管NM3的漏端和栅端、所述NMOS管NM1的栅端,所述NMOS管NM3的源端、NMOS管NM1的源端、NMOS管NM2的源端均接地,所述NMOS管NM2的漏端连接PMOS管PM8的漏端并为所述比较器COMP1的输出端,所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM8的栅端相连,所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6 、PMOS管PM7、PMOS管PM8的源端相连后连接VDD。
采用本实用新型后,重新设计了比较器COMP1的内部电路结构,通过检测电阻R0两端的压差和比较器COMP1的两个参考电压差值进行比较来确定是否要关闭H桥,让H桥没有短路电流流过,从而保护PMOS管。
附图说明
图1为H桥原理图;
图2为现有的H桥短路保护电路;
图3为本实用新型的H桥短路保护电路;
图4为本实用新型比较器COMP1电路原理图。
具体实施方式
见图3和图4所示,一种H桥短路保护电路,其包括比较器COMP1和比较器COMP,比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端,PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端,PMOS管PM2的栅端和PMOS管PM0的栅端相连,PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、电阻R0另一端,NMOS管NM2的栅端和NMOS管NM0的栅端相连,NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地,电阻R1另一端连接NMOS管NM2的源端和比较器COMP的输入端,比较器COMP1的输出端与比较器COMP的输出端连接或门的输出端,或门的输出端为OUT端口,比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3,PPMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3的栅端分别为比较器COMP1的输入端,PMOS管PM10的源端与PMOS管PM1的源端相连后连接PMOS管PM4的漏端,PMOS管PM9的源端与PMOS管PM3的源端相连后连接PMOS管PM5的漏端,PMOS管PM1的漏端与PMOS管PM9的漏端相连后连接PMOS管PM7的漏端、NMOS管NM1的漏端、NMOS管NM4的栅端,PMOS管PM10的漏端与PMOS管PM3的漏端相连后连接PMOS管PM6的漏端、NMOS管NM3的漏端和栅端、NMOS管NM1的栅端,NMOS管NM3的源端、NMOS管NM1的源端、NMOS管NM2的源端均接地,NMOS管NM2的漏端连接PMOS管PM8的漏端并为比较器COMP1的输出端,PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM8的栅端相连并输入Vbias,PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6 、PMOS管PM7、PMOS管PM8的源端相连后连接VDD。
本实用新型是通过检测电阻R0两端的电压差, 并同时和比较器COMP1的参考电压VREF_2与VREF_1的差值进行比较。在正常工作时PMOS管PM0开启或关闭,电阻R0两端的电压比VREF_2与VREF_1的差值小,比较器COMP1不会翻转。当电阻R0两端的电压比VREF_2与VREF_1的差值大时,比较器COMP1翻转,OUT端输出变化,同时OUT端信号使H桥关闭。保护H桥长时间没有短路电流流过。比较器COMP1的INPUT1端(即IN1N端和IN1P端)是接电阻R0两端进行电压检测,INPUT1端(即IN2N端和IN2P端)是接VREF_2和VREF_1,作为参考电压。VREF_2和VREF_1有固定的压差,当IN1N端和IN1P端的两个输出之间的压差大于VREF_2和VREF_1之间的压差,此比较器COMP1就翻转。
Claims (1)
1.一种H桥短路保护电路,其包括比较器COMP1和比较器COMP,比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端,PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端,PMOS管PM2的栅端和PMOS管PM0的栅端相连,PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、电阻R0另一端,NMOS管NM2的栅端和NMOS管NM0的栅端相连,NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地,电阻R1另一端连接NMOS管NM2的源端和比较器COMP的输入端,比较器COMP1的输出端与比较器COMP的输出端连接或门的输出端,或门的输出端为OUT端口,其特征在于,比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3,所述PPMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3的栅端分别为所述比较器COMP1的输入端,所述PMOS管PM10的源端与所述PMOS管PM1的源端相连后连接所述PMOS管PM4的漏端,所述PMOS管PM9的源端与所述PMOS管PM3的源端相连后连接所述PMOS管PM5的漏端,所述PMOS管PM1的漏端与所述PMOS管PM9的漏端相连后连接PMOS管PM7的漏端、NMOS管NM1的漏端、NMOS管NM4的栅端,所述PMOS管PM10的漏端与所述PMOS管PM3的漏端相连后连接PMOS管PM6的漏端、NMOS管NM3的漏端和栅端、所述NMOS管NM1的栅端,所述NMOS管NM3的源端、NMOS管NM1的源端、NMOS管NM2的源端均接地,所述NMOS管NM2的漏端连接PMOS管PM8的漏端并为所述比较器COMP1的输出端,所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM8的栅端相连,所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6 、PMOS管PM7、PMOS管PM8的源端相连后连接VDD。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022057219A1 (zh) * | 2020-09-18 | 2022-03-24 | 无锡翼盟电子科技有限公司 | 一种用于打印设备耗材芯片防止高压击穿电路 |
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