CN211239692U - 一种主板电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种主板电路，其包括电容C669、电容C670、电容C644、电容C645、肖特基二极管D82和肖特基二极管D83，开关电源GATE端与电容C669的一端、电容C670的一端连接，电容C669的另一端与肖特基二极管D82的3端连接，肖特基二极管D82的1端与5V电源端连接，肖特基二极管D82的2端与肖特基二极管D83的1端、电容C644的一端连接；电容C670的另一端与肖特基二极管D83的3端连接，肖特基二极管D83的2端与主板的V_BOOST端、电容C645的一端连接。本实用新型的技术方案只采用了较少的元器件就实现了12V的简易电路，大大降低了成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种主板电路。
背景技术
目前，随着主板的连接接口和支持的功能增多，主板在某些场合会用12V做一些上拉电压或者比较电压，如果采用电源芯片去完成12V电压的实现，势必会增加成本，所以有必要设计了一种低成本小电流的12V电路。
实用新型内容
针对上述技术问题，本实用新型公开了一种主板电路，电路结构简单，方便实施，降低了成本。
对此，本实用新型的技术方案为：
一种主板电路，其包括电容C669、电容C670、电容C644、电容C645、肖特基二极管D82和肖特基二极管D83，开关电源GATE端与电容C669的一端、电容C670的一端连接，所述电容C669的另一端与肖特基二极管D82的3端连接，所述肖特基二极管D82的1端与5V电源端连接，所述肖特基二极管D82的2端与肖特基二极管D83的1端、电容C644的一端连接，所述电容C644的另一端接地；
所述电容C670的另一端与肖特基二极管D83的3端连接，所述肖特基二极管D83的2端与主板的V_BOOST端、电容C645的一端连接，电容C645的另一端接地。
作为本实用新型的进一步改进，所述电容C669、电容C670的电容值为0.01μF/25V。
作为本实用新型的进一步改进，所述电容C644、电容C645的电容值为0.1μF/16V。
作为本实用新型的进一步改进，所述肖特基二极管D82和肖特基二极管D83的型号为BAT54S。
进一步的，所述电容C669、电容C670、电容C644、电容C645的大小均为0402。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
采用本实用新型的技术方案，不需要通过电源芯片，只采用了较少的元器件就实现了12V的简易电路，大大降低了成本。
附图说明
图1是本实用新型一种主板电路的电路图。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明。
如图1所示，一种主板电路，其包括电容C669、电容C670、电容C644、电容C645、肖特基二极管D82和肖特基二极管D83，开关电源GATE1端与电容C669的一端、电容C670的一端连接，所述电容C669的另一端与肖特基二极管D82的3端连接，所述肖特基二极管D82的1端与5V电源端连接，所述肖特基二极管D82的2端与肖特基二极管D83的1端、电容C644的一端连接，所述电容C644的另一端接地；
所述电容C670的另一端与肖特基二极管D83的3端连接，所述肖特基二极管D83的2端与主板的V_BOOST端、电容C645的一端连接，电容C645的另一端接地。
其中，所述电容C669、电容C670的电容值为0.01μF/25V。所述电容C644、电容C645的电容值为0.1μF/16V。所述肖特基二极管D82和肖特基二极管D83的型号为BAT54S。
进一步的，所述电容C669、电容C670、电容C644、电容C645的大小均为0402。
图1中的LGATE1为开关电源GATE端的信号，一般为5V高电平的方波，频率大概为300KHz左右。当LGATE1端为低电平时，+5A为5V，D82的第3脚为5V减二极管的压降0.7V，是4.3V， D82的第2脚为4.3V减二极管的压降0.7V，是3.6V；当LGATE1为高电平5V时，由于C669的压差不能突变，所以两端的压差仍旧是4.3V，这时D82的第3脚电压为5V加上4.3V，是9.3V，D82的第2脚为9.3V减二极管的压降0.7V，是8.6V，因此C644的电容就以300KHZ频率在3.6到8.6V之间充电，最终稳定在8.6V。同理，D83也是一样，最终V_BOOST的电压稳定在8.6+5-0.7*2=12.2V。
本实用新型的电路，只用了4颗电容和两颗BAT54S就实现了12V的简易电路，大大降低了成本。
以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的具体实施范围，本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式，凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。
Claims (4)
1.一种主板电路，其特征在于：其包括电容C669、电容C670、电容C644、电容C645、肖特基二极管D82和肖特基二极管D83，开关电源GATE端与电容C669的一端、电容C670的一端连接，所述电容C669的另一端与肖特基二极管D82的3端连接，所述肖特基二极管D82的1端与5V电源端连接，所述肖特基二极管D82的2端与肖特基二极管D83的1端、电容C644的一端连接，所述电容C644的另一端接地；
所述电容C670的另一端与肖特基二极管D83的3端连接，所述肖特基二极管D83的2端与主板的V_BOOST端、电容C645的一端连接，电容C645的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的主板电路，其特征在于：所述电容C669、电容C670的电容值为0.01μF/25V。
3.根据权利要求2所述的主板电路，其特征在于：所述电容C644、电容C645的电容值为0.1μF/16V。
4.根据权利要求3所述的主板电路，其特征在于：所述肖特基二极管D82和肖特基二极管D83的型号为BAT54S。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020139462.2U CN211239692U (zh) | 2020-01-21 | 2020-01-21 | 一种主板电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202020139462.2U CN211239692U (zh) | 2020-01-21 | 2020-01-21 | 一种主板电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN211239692U true CN211239692U (zh) | 2020-08-11 |
Family
ID=71916518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202020139462.2U Active CN211239692U (zh) | 2020-01-21 | 2020-01-21 | 一种主板电路 |
Country Status (1)
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|---|---|
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2020
- 2020-01-21 CN CN202020139462.2U patent/CN211239692U/zh active Active
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