CN213484842U - 一种敏感信号抗干扰的电路结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供的一种敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，包括：敏感信号输入端、第一MOS管、敏感信号输出端，所述敏感信号输入端与所述第一MOS管的输入栅极连接，所述第一MOS管并联有第一电容，所述第一MOS管在电压输入端串联有第一电阻，第一MOS管还并联有降压模块，降压模块包括第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二电容，所述第二MOS管分别与第二电容、第二电阻及第三电阻连接，所述第二电容与第三电阻连接，所述第二电阻与第三电阻连接，所述第一MOS管分别与所述第二电容及第三电阻连接且接至接地端，所述降压模块连接至所述敏感信号输出端。通过将敏感信号在远端进行升压、在末端进行降压、并增加滤波电容来提升敏感信号的抗干扰能力。
Description
技术领域
本实用新型属于电路技术领域，尤其涉及一种敏感信号抗干扰的电路结构。
背景技术
现在终端平台越来越高端、系统的BUCK和大电流越来越多，在PCB(印刷电路板)走线时会发现PMU(电源管理芯片)出线时BUCK等大电路电源与敏感信号交叉的问题。目前的措施是走线避让，此种措施简便，但不一定能彻底解决，且有可能一次改版无法解决，这样会影响到项目进度。
综上，现亟需一种能够解决上述技术问题，能够通过将敏感信号在远端进行升压、在末端进行降压、并增加滤波电容来提升敏感信号的抗干扰能力，从而来克服上述问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足之处，本实用新型的目的在于提供一种敏感信号抗干扰的电路结构，旨在解决现有技术终端平台越来越高端、系统的BUCK和大电流越来越多，带来的干扰问题也越来越大，极大可能干扰敏感信号造成机器死机的问题。
为了达到上述目的，本实用新型采取了以下技术方案：
一种敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，包括：敏感信号输入端、第一MOS管、敏感信号输出端，所述敏感信号输入端与所述第一MOS管的输入栅极连接，所述第一MOS管并联有第一电容，所述第一MOS管在电压输入端串联有第一电阻，所述第一MOS管还并联有降压模块，所述降压模块包括第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二电容，所述第二MOS管分别与所述第二电容、第二电阻及第三电阻连接，所述第二电容与所述第三电阻连接，所述第二电阻与所述第三电阻连接，所述第一MOS管分别与所述第二电容及第三电阻连接且接至接地端，所述降压模块连接至所述敏感信号输出端。
优选的，所述电压输入端的电压为5V。
优选的，所述第一电阻的阻值为1-10k兆，所述第二电阻及第三电阻阻值为10k-100k兆。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果：
本实用新型提供的一种敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，包括：敏感信号输入端、第一MOS管、敏感信号输出端，所述敏感信号输入端与所述第一MOS管的输入栅极连接，所述第一MOS管并联有第一电容，所述第一MOS管在电压输入端串联有第一电阻，所述第一MOS管还并联有降压模块，所述降压模块包括第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二电容，所述第二MOS管分别与所述第二电容、第二电阻及第三电阻连接，所述第二电容与所述第三电阻连接，所述第二电阻与所述第三电阻连接，所述第一MOS管分别与所述第二电容及第三电阻连接且接至接地端，所述降压模块连接至所述敏感信号输出端。能够通过将敏感信号在远端进行升压、在末端进行降压、并增加滤波电容来提升敏感信号的抗干扰能力。
附图说明
图1为本实用新型优选实施例的电路框图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如附图1所示，本实用新型提供的一种敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，包括：敏感信号输入端、第一MOS管、敏感信号输出端，所述敏感信号输入端与所述第一MOS管的输入栅极连接，所述第一MOS管并联有第一电容，所述第一MOS管在电压输入端串联有第一电阻，所述第一MOS管还并联有降压模块，所述降压模块包括第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二电容，所述第二MOS管分别与所述第二电容、第二电阻及第三电阻连接，所述第二电容与所述第三电阻连接，所述第二电阻与所述第三电阻连接，所述第一MOS管分别与所述第二电容及第三电阻连接且接至接地端，所述降压模块连接至所述敏感信号输出端。
具体为，敏感信号从第一MOS管的栅极输入，经过第一MOS管、第一电阻及第一电容组成的升压电路将电压升压，然后进行信号传输，当到达末端时通过第二电阻。第三电阻、第二MOS管及第二电容将电压降到正常接收信号电压。需要说明的是，敏感信号分为高电平和低电平，当敏感信号为高电平时，第一MOS管关闭，电压输入端通过第一电阻上拉，将电平拉高，敏感信号到达末端时，第二电阻和第三电阻分压将第二MOS管打开，第二MOS管工作在线性状态，电压降低到需要的电平；当敏感信号为低电平时，第一MOS管打开，信号被拉低到0V，到达末端时，第二电阻和第三电阻上的电压为0V，第二MOS管通过其内部寄生的体二极管将0V低电平信号传递到敏感信号输出端。从而提升敏感信号的抗干扰能力。
在一些实施例中，所述电压输入端的电压为5V。
在一些实施例中，所述第一电阻的阻值为1-10k兆，所述第二电阻及第三电阻阻值为10k-100k兆。
综上，本实用新型的工作原理如下：
本实用新型提供的一种敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，包括：敏感信号输入端、第一MOS管、敏感信号输出端，所述敏感信号输入端与所述第一MOS管的输入栅极连接，所述第一MOS管并联有第一电容，所述第一MOS管在电压输入端串联有第一电阻，所述第一MOS管还并联有降压模块，所述降压模块包括第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二电容，所述第二MOS管分别与所述第二电容、第二电阻及第三电阻连接，所述第二电容与所述第三电阻连接，所述第二电阻与所述第三电阻连接，所述第一MOS管分别与所述第二电容及第三电阻连接且接至接地端，所述降压模块连接至所述敏感信号输出端。能够通过将敏感信号在远端进行升压、在末端进行降压、并增加滤波电容来提升敏感信号的抗干扰能力。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
Claims (3)
1.一种敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，包括：敏感信号输入端、第一MOS管、敏感信号输出端，所述敏感信号输入端与所述第一MOS管的输入栅极连接，所述第一MOS管并联有第一电容，所述第一MOS管在电压输入端串联有第一电阻，所述第一MOS管还并联有降压模块，所述降压模块包括第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二电容，所述第二MOS管分别与所述第二电容、第二电阻及第三电阻连接，所述第二电容与所述第三电阻连接，所述第二电阻与所述第三电阻连接，所述第一MOS管分别与所述第二电容及第三电阻连接且接至接地端，所述降压模块连接至所述敏感信号输出端。
2.根据权利要求1所述的敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，所述电压输入端的电压为5V。
3.根据权利要求1所述的敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，所述第一电阻的阻值为1-10k兆，所述第二电阻及第三电阻阻值为10k-100k兆。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202022385971.6U CN213484842U (zh) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 一种敏感信号抗干扰的电路结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202022385971.6U CN213484842U (zh) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 一种敏感信号抗干扰的电路结构 |
Publications (1)
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| CN213484842U true CN213484842U (zh) | 2021-06-18 |
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Family Applications (1)
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| CN202022385971.6U Active CN213484842U (zh) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 一种敏感信号抗干扰的电路结构 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN213484842U (zh) |
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2020
- 2020-10-23 CN CN202022385971.6U patent/CN213484842U/zh active Active
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